一种巴郎山杓兰的培养方法技术

本发明专利技术公开了一种巴郎山杓兰的培养方法，包括以下步骤：取3‑5cm巴郎山杓兰的根茎放入富含腐殖质的培养基中，在壤土上铺满细石子，继续加入小粒树皮直到新芽有一半被埋入基质中，浇透水，保持土壤湿润，置阴处15‑20天；其中，所述培养基包括以下组分：1/4‑1/2MS培养基、0.2‑0.4mg/L萘乙酸、0.7‑1mg/L赤霉素、0.8‑1.2mg/L三十烷醇、0.02‑0.05mg/L丁酰肼、0.06‑0.1mg/L乙烯利、3‑5g/L琼脂。本发明专利技术的培养方法简单，便于实施，能够有效促进巴郎山杓兰的生根和茎叶生长，保证营养平衡，对稀有植物研究具有重大意义，且添加物质价格低廉，培养成本低，适宜推广应用。

A method for culture of balang mountain of Cypripedium

The invention discloses a method for culturing balang mountain Cypripedium, which comprises the following steps: the culture medium 3 5cm balang mountain Cypripedium rhizome into humus rich, in loam soil covered with fine stones, continue to add small bark until half of shoots were buried in the matrix, pour water, keep the soil moist. The shade of 15 20 days; wherein the medium comprises the following components: 1/4 1/2MS medium, 0.2 0.4mg/L 0.7 1mg/L NAA, GA3, 1.2mg/L 0.8 thirty alcohols, 0.02 0.05mg/L daminozide, 0.06 0.1mg/L, 3 5g/L ethephon agar. Culture method of the invention has the advantages of simple, easy to implement, can effectively promote the balang mountain Cypripedium rooting and shoot growth, ensure the nutritional balance, is of great significance to the study of rare plants and add material, low price, low cost of cultivation, suitable for popularization and application.

【技术实现步骤摘要】
一种巴郎山杓兰的培养方法
本专利技术涉及植物组织培养技术，具体涉及一种巴郎山杓兰的培养方法。
技术介绍
巴郎山杓兰(学名：CypripediumpalangshanenseTang&F.T.Wang)产自我国四川西部至西南部，生于海拔2200-2700米的林下或灌丛中。其植株高8-13厘米，具细长而横走的根状茎。茎直立，无毛，大部包藏于数枚鞘之中，顶端具2枚叶。叶对生或近对生，平展；叶片近圆形或近宽椭圆形。花序顶生，近直立，具1花；花俯垂，血红色或淡紫红色；花瓣斜披针形，长1.2-1.6厘米，宽4-5毫米，先端渐尖，背面基部略被毛；唇瓣囊状，近球形，长约1厘米，具较宽阔的、近圆形的囊口；退化雄蕊卵状披针形，长约3毫米。花期6月。根据近年来最新发现，巴郎山杓兰是一种药用植物，具有较高的药用价值，但是由于杓兰的生长环境和条件特殊，造成其数目稀少，面临灭绝的危机，因此，研制出一种巴郎山杓兰的培养方法十分有必要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种促进生根茎叶生长、保证营养平衡的巴郎山杓兰的培养方法。实现本专利技术目的的技术解决方案为：一种巴郎山杓兰的培养方法，包括以下步骤：取3-5cm巴郎山杓兰的根茎放入富含腐殖质的培养基中，在壤土上铺满细石子，继续加入小粒树皮直到新芽有一半被埋入基质中，浇透水，保持土壤湿润，置阴处15-20天；其中，所述培养基包括以下组分：1/4-1/2MS培养基、0.2-0.4mg/L萘乙酸、0.7-1mg/L赤霉素、0.8-1.2mg/L三十烷醇、0.02-0.05mg/L丁酰肼、0.06-0.1mg/L乙烯利、3-5g/L琼脂。优选的，所述培养基的组分为1/4MS培养基、0.3mg/L萘乙酸、0.8mg/L赤霉素、1mg/L三十烷醇、0.04mg/L丁酰肼、0.08mg/L乙烯利、5g/L琼脂。优选的，所述腐殖质的含量为1.2-1.5mg/L。本专利技术与现有技术相比，其显著优点是：本专利技术的培养方法简单，便于实施，能够有效促进巴郎山杓兰的生根和茎叶生长，保证营养平衡，提高生根率和成活率，对稀有植物研究具有重大意义，培养基中针对性的添加了多种杓兰培育过程所需营养物质，进一步保证了培育的成功率，且添加物质价格低廉易取，培养成本低，适宜推广应用。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。实施例1一种巴郎山杓兰的培养方法，包括以下步骤：取3-5cm巴郎山杓兰的根茎放入富含腐殖质的培养基中，在壤土上铺满细石子，继续加入小粒树皮直到新芽有一半被埋入基质中，浇透水，保持土壤湿润，置阴处15天；其中，所述培养基包括以下组分：1/4MS培养基、0.4mg/L萘乙酸、0.7mg/L赤霉素、1.2mg/L三十烷醇、0.02mg/L丁酰肼、0.1mg/L乙烯利、3g/L琼脂。优选的，所述腐殖质的含量为1.2mg/L。实施例2一种巴郎山杓兰的培养方法，包括以下步骤：取3-5cm巴郎山杓兰的根茎放入富含腐殖质的培养基中，在壤土上铺满细石子，继续加入小粒树皮直到新芽有一半被埋入基质中，浇透水，保持土壤湿润，置阴处20天；其中，所述培养基包括以下组分：1/2MS培养基、0.2mg/L萘乙酸、1mg/L赤霉素、0.8mg/L三十烷醇、0.05mg/L丁酰肼、0.06mg/L乙烯利、5g/L琼脂。优选的，所述腐殖质的含量为1.4mg/L。实施例3一种巴郎山杓兰的培养方法，包括以下步骤：取3-5cm巴郎山杓兰的根茎放入富含腐殖质的培养基中，在壤土上铺满细石子，继续加入小粒树皮直到新芽有一半被埋入基质中，浇透水，保持土壤湿润，置阴处18天；其中，所述培养基包括以下组分：优选的，所述培养基的组分为1/4MS培养基、0.3mg/L萘乙酸、0.8mg/L赤霉素、1mg/L三十烷醇、0.04mg/L丁酰肼、0.08mg/L乙烯利、5g/L琼脂。优选的，所述腐殖质的含量为1.3mg/L。实施例4一种巴郎山杓兰的培养方法，包括以下步骤：取3-5cm巴郎山杓兰的根茎放入富含腐殖质的培养基中，在壤土上铺满细石子，继续加入小粒树皮直到新芽有一半被埋入基质中，浇透水，保持土壤湿润，置阴处25天；其中，所述培养基包括以下组分：优选的，所述培养基的组分为1/4MS培养基、0.3mg/L萘乙酸、0.8mg/L赤霉素、1mg/L三十烷醇、0.04mg/L丁酰肼、0.08mg/L乙烯利、5g/L琼脂。优选的，所述腐殖质的含量为1.5mg/L。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种巴郎山杓兰的培养方法，其特征在于，包括以下步骤：取3‑5cm巴郎山杓兰的根茎放入富含腐殖质的培养基中，在壤土上铺满细石子，继续加入小粒树皮直到新芽有一半被埋入基质中，浇透水，保持土壤湿润，置阴处15‑20天；其中，所述培养基包括以下组分：1/4‑1/2MS培养基、0.2‑0.4mg/L萘乙酸、0.7‑1mg/L赤霉素、0.8‑1.2mg/L三十烷醇、0.02‑0.05mg/L丁酰肼、0.06‑0.1mg/L乙烯利、3‑5g/L琼脂。

【技术特征摘要】
1.一种巴郎山杓兰的培养方法，其特征在于，包括以下步骤：取3-5cm巴郎山杓兰的根茎放入富含腐殖质的培养基中，在壤土上铺满细石子，继续加入小粒树皮直到新芽有一半被埋入基质中，浇透水，保持土壤湿润，置阴处15-20天；其中，所述培养基包括以下组分：1/4-1/2MS培养基、0.2-0.4mg/L萘乙酸、0.7-1mg/L赤霉素、0.8-1.2mg/L三十烷醇、0.02-0.05mg/L...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶象余，
申请(专利权)人：陶象余，
类型：发明
国别省市：江苏,32