一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路及方法技术

本发明专利技术提供了一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路及方法，其中，该电路包括：第一开关与第一电源串联组成第一串联电路；电容与第一串联电路并联组成并联电路；待测IGBT、电流采集器和保护元件串联组成第二串联电路；第二串联电路通过第二开关与并联电路和电感组成的串联电路并联；第一、二电流源分别与第二串联电路并联，电压检测单元并联于待测IGBT的集射极；控制单元与栅极连接。通过第一电源、第一开关、第二开关、电感和电容组成的电路模拟故障时的短路电流，待电流采集器采集的集射极电流达到短路电流预设值时断开待测IGBT，之后进行Rce和Vce测试，这样能够更加准确地模拟直流断路器IGBT的工况，使得测试结果更接近实际故障情况，提高测试准确度。

An insulated gate bipolar transistor IGBT test circuit and method

The present invention provides a method for testing circuit and insulated gate bipolar transistor IGBT, among them, the circuit comprises a first switch and a first power supply connected in series to form a first series circuit; and the first capacitor series circuit in parallel to form a parallel circuit; IGBT, the measured current collector and the protective element in series. The second series circuit; second series parallel circuit through the second series circuit switch and parallel circuit and inductance; first, second current source and second series circuit in parallel beam voltage detection unit is connected in parallel with the measured IGBT control unit is connected with the gate electrode. Short circuit current analog circuit fault through the first power supply, the first and the second switch inductor and capacitor. When the beam to collect current collector current to short-circuit current preset disconnect test IGBT, then Rce and Vce test, it can more accurately simulate the DC circuit breaker IGBT condition, the the test results are closer to the actual fault conditions, improve the test accuracy.

【技术实现步骤摘要】
一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路及方法
本专利技术涉及功率器件可靠性领域，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路及方法。
技术介绍
近年来随着电力电子技术的蓬勃发展，风能、太阳能等可再生能源利用效率和规模不断扩大，可再生能源并网、分布式发电并网、异步交流电网互联等领域的需求持续上升，这使得多端电压源换流器型高压直流输电(MultiTermimalVoltageSourceConverterHighVoltageDirectCurrent，简称为MTVSC-HVDC)的优势更加突出。然而，对于多端高压直流输电系统(MultiTermimalHighVoltageDirectCurrent，简称为MT-HVDC)最大的问题是在线路发生故障时，需要在直流侧非常快速地切断短路电流，这就需要使用直流断路器进行切断。直流断路器通常由电子元件和避雷器构成，其中的电子元件为IGBT，在线路故障时，短路电流上升,在IGBT切断短路电流后,线路电压升高,当线路电压超过避雷器动作电压后,避雷器的阻抗变得很小，线路上残留的短路电流会从避雷器上流过，进而保护线路。由于断路器的反应时间在3-5ms本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，其特征在于，包括：第一电源(1)；第一开关(2)，与所述第一电源(1)串联连接，组成第一串联电路；电容(3)，与所述第一串联电路并联连接，组成并联电路，所述电容(3)的第一端与地线连接，所述电容(3)的第一端为与所述第一电源(1)负极相连接的一端；待测IGBT(4)、电流采集器(5)和保护元件(6)串联连接，组成第二串联电路；所述第二串联电路通过第二开关(7)并联在所述并联电路与电感(8)组成的串联电路的两端；第一电流源(9)、第二电流源(10)分别与所述第二串联电路并联，电压检测单元(11)并联于所述待测IGBT(4)的集电极和发射极；其中，所述第一电...

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，其特征在于，包括：第一电源(1)；第一开关(2)，与所述第一电源(1)串联连接，组成第一串联电路；电容(3)，与所述第一串联电路并联连接，组成并联电路，所述电容(3)的第一端与地线连接，所述电容(3)的第一端为与所述第一电源(1)负极相连接的一端；待测IGBT(4)、电流采集器(5)和保护元件(6)串联连接，组成第二串联电路；所述第二串联电路通过第二开关(7)并联在所述并联电路与电感(8)组成的串联电路的两端；第一电流源(9)、第二电流源(10)分别与所述第二串联电路并联，电压检测单元(11)并联于所述待测IGBT(4)的集电极和发射极；其中，所述第一电流源(9)用于提供所述待测IGBT(4)的集电极和发射极之间的电阻Rce测试所需的第一测试电流，所述第二电流源(10)用于提供所述待测IGBT(4)的集电极和发射极之间的电压Vce测试所需的第二测试电流；控制单元(12)，与所述待测IGBT(4)的栅极连接，用于提供所述待测IGBT(4)的栅极驱动信号。2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，其特征在于，还包括：加热板(13)，与所述待测IGBT(4)连接，用于加热所述待测IGBT(4)至预设温度。3.根据权利要求1或者2所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，其特征在于，还包括：电阻(14)，与所述第一串联电路串联连接。4.根据权利要求1-3任一所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，其特征在于，所述保护元件(6)为保护IGBT，所述保护IGBT的栅极与所述控制单元(12)连接。5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极型晶体管IGBT测试电路，其特征在于，所述第一电流源(9)为恒定电流源，所述第二电流源(...

【专利技术属性】
技术研发人员：李尧圣，李金元，潘艳，温家良，崔梅婷，王鹏，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，国网山东省电力公司电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京,11