The present application is publicly used for a method and device for low current control of a power connection. The described example includes a controller with a first current source (522) (Fig. 5500). The first current source has an output terminal that is coupled to the control terminal of the switch (502). The second current source (540) has the output terminal that is coupled to the control terminal of the switch (502). When the voltage on the control terminal is lower than the threshold, the second current source provides a current to the control terminal. According to another example, the switch (502) is a field effect transistor. In another example, the first current source (522) is driven by a charge pump.
【技术实现步骤摘要】
用于功率连接的低电流控制的方法和装置相关申请本申请要求根据35U.S.C.§119(e)于2016年9月7日提交的题为“METHODSANDAPPARATUSFORLOWCURRENTCONTROLFORAPOWERCONNECTION”,专利技术人为KGanapathiShankar的共同拥有的美国临时专利申请序列No.62/384,558的优先权的权益,所述申请的全部内容通过引用并入本文。
本申请总体涉及电源控制电路,并且特别涉及当电路连接到电源时用于控制所施加的功率的电路。
技术介绍
电子熔丝(“电子熔断器”)电路控制将电路连接到电源的一系列功率晶体管。例如,电路板可以从总线获得其功率。当电路板插入总线插座时,总线插座中的触点将电路板连接到电源。除了其他功能之外,电子熔丝控制如何在对电路板加电时施加功率。电子熔丝通常具有以下基本控制:a、在初始加电期间软启动(“dv/dt控制”),其中被供应到功率晶体管的栅极的电压和电流以用户设置斜率斜升,使得输出电压缓慢斜升。b、电流限制控制,其中监测功率晶体管电流并将其与用户设置电流极限进行比较。如果电流超过设置极限,则 ...
【技术保护点】
一种控制器,包括:第一电流源,其具有耦合到开关的控制端子的输出端子;以及第二电流源,其具有耦合到所述开关的所述控制端子的输出端子,当所述控制端子上的电压低于阈值时,所述第二电流源提供电流。
【技术特征摘要】
2016.09.07 US 62/384,558;2016.09.26 US 15/275,8751.一种控制器,包括:第一电流源,其具有耦合到开关的控制端子的输出端子;以及第二电流源,其具有耦合到所述开关的所述控制端子的输出端子,当所述控制端子上的电压低于阈值时,所述第二电流源提供电流。2.根据权利要求1所述的控制器,进一步包括:加电控制电路,以可选择地设置所述开关的所述控制端子上的所述电压的上升率。3.根据权利要求2所述的控制器,其中所述加电控制电路使用反馈回路来控制所述开关的所述控制端子上的所述电压的所述上升率。4.根据权利要求3所述的控制器,进一步包括级联晶体管,其将所述反馈回路耦合到所述开关的所述控制端子,所述级联晶体管的控制端子耦合到第一基准电位。5.根据权利要求4所述的控制器,其中所述第二电流源经由所述级联晶体管耦合到所述开关的所述控制端子。6.根据权利要求1所述的控制器,其中所述第一电流源由电荷泵驱动。7.根据权利要求1所述的控制器,其中所述开关是晶体管,并且所述晶体管的第一电流处理端子耦合到电压源,所述电压源在所述控制器的控制下被提供给所述晶体管的第二电流处理端子。8.根据权利要求7所述的控制器,其中所述晶体管是场效应晶体管。9.根据权利要求1所述的控制器,其中所述第二电流源具有比所述第一电流源更大的电流容量。10.根据权利要求1所述的控制器,其中所述开关在衬底上并且在与所述控制器相同的衬底上形成。11.根据权利要求1所述的控制器,其中所述开关在与所述控制器不同的衬底上形成。12.一种用于控制电源和提供的节点之间的连接的集成电路,其包括:控制端子,其用于耦合到第一场效应晶体管的栅极,所述第一场效应晶体管具有耦合在所述电源和所述提供的节点之间的电流传导路径;电压...
【专利技术属性】
技术研发人员:K·G·尚卡尔,
申请(专利权)人:德克萨斯仪器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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