一种气体传感器加热盘及加工方法技术

本发明专利技术公开了一种气体传感器加热盘的加工方法，包括在硅晶圆上设置绝缘层；在绝缘层上设置加热电极和检测电极，两者相互独立；硅晶圆刻蚀出检测腔。该方法将加热电极和检测电极都设置在相同绝缘层上，加热电极和检测电极之间相互间隔独立，相互不接触。因此在加热电极和检测电极之间不需要单独设置额外的绝缘层将其分隔开，因此减少了加工步骤，并且降低了绝缘材料的使用量。本发明专利技术还公开了一种气体传感器加热盘，包括硅晶圆，其上设置检测腔；绝缘层及其上的加热电极和检测电极，检测电极与加热电极相互独立。该加热盘上加热电极和检测电极均由相同绝缘层承托，两者位于绝缘层上不同的位置，不需要在检测电极与加热电极之间设置绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
一种气体传感器加热盘及加工方法
本专利技术涉及传感器加工
，更进一步涉及一种气体传感器加热盘及加工方法。
技术介绍
微型气体传感器加工成本低，功耗低，并且体积小易于集成，近年来被广泛地应用于移动和消费级气体检测产品。基于SnO2的WO3等金属氧化物检测材料的微型气体传感器由于其对CO等有害气体的高灵敏度和选择性，是主流的气体检测方案之一。传统的传感器加热盘在加工时，先在硅晶圆衬底上生长或淀积SiO2或分次淀积SiO2和Si3N4；接着在同一侧淀积或溅射加热电极材料层，并将加热电极材料层图形化，加工出相应的图案的加热电极；接着在加热电极上淀积绝缘材料，如SiO2；然后在绝缘材料上淀积或溅射检测电极材料层，同样地将检测电极材料层图形化，加工出相应的图案的检测电极。采用干法或湿法等方式从背面刻蚀硅晶圆，使在硅晶圆上依次层积的SiO2，Si3N4层、加热电极、绝缘材料层、检测电极等结构处于悬空，形成热盘。如图1和图2所示，分别表示加热电极和检测电极的形状结构图；加热电极为一根导通的导线，检测电极为两根相互独立的导线，相互之间不连通。传统的加工方式需要在硅晶圆上层积多次，需要控制每层薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体传感器加热盘的加工方法，其特征在于，包括：在硅晶圆(1)上设置绝缘层(2)；在所述绝缘层(2)上设置加热电极(31)；在所述绝缘层(2)上设置检测电极(4)，所述检测电极(4)与所述加热电极(31)相互独立；所述硅晶圆(1)刻蚀出检测腔(5)。

【技术特征摘要】
1.一种气体传感器加热盘的加工方法，其特征在于，包括：在硅晶圆(1)上设置绝缘层(2)；在所述绝缘层(2)上设置加热电极(31)；在所述绝缘层(2)上设置检测电极(4)，所述检测电极(4)与所述加热电极(31)相互独立；所述硅晶圆(1)刻蚀出检测腔(5)。2.根据权利要求1所述的气体传感器加热盘的加工方法，其特征在于，所述绝缘层(2)上设置加热电极(31)包括：所述绝缘层(2)上淀积或溅射整块完整的加热电极材料层(3)，并将所述加热电极材料层(3)图形化分隔出加热种子层与缓冲层(32)，所述加热种子层与所述缓冲层(32)相互独立不连接；所述加热种子层直接作为所述加热电极(31)或者在所述加热种子层上淀积或溅射所述加热电极(31)。3.根据权利要求2所述的气体传感器加热盘的加工方法，其特征在于，所述绝缘层(2)上设置检测电极(4)包括：所述缓冲层(32)分隔为相互独立的两部分，在所述缓冲层(32)的两部分上分别独立淀积或溅射所述检测电极(4)。4.根据权利要求1至3任一项所述的气体传感器加热盘的加工方法，其特征在于，还包括：在所述绝缘层(2)、所述加热电极(31)和所述检测电极(4)上整体涂覆或淀积气敏层(6)。5.一种气体传感器加热盘，其特征在于，包括：硅晶圆(1)，所述硅晶圆(1)上设置检测腔(5)；设置于...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹波，郭梅寒，程程，
申请(专利权)人：深迪半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31