一种玻璃陶瓷制造技术

本发明专利技术涉及一种玻璃陶瓷。本发明专利技术提供的玻璃陶瓷，包括以下重量份的组分：SiO2为20‑40,B2O3为1‑5，P2O5为5‑15，Al2O3为5‑15，MgO为3‑10，CaO为2‑12，Li2O为1‑10，ZrO2为5‑8，BaO为2‑10，PBO为2‑15。本发明专利技术提供的玻璃陶瓷的密度、弹性模量和刚度等机械性能更好，其适用于光学和电子元件的衬底，即使其厚度很小、表面积很大的情况下也能以高精度和高均一性制造出来，并且其制造成本比较低，该玻璃陶瓷制作的衬底可用于制造太阳能电池。

A kind of glass ceramics

【技术实现步骤摘要】
一种玻璃陶瓷
本专利技术属于太阳能及环保节能
，尤其涉及一种玻璃陶瓷。
技术介绍
目前，应用在衬底上的主要是无定形薄膜硅(a-Si)。在衬底上沉积无定形薄膜硅的方法所需的温度通常为约450℃。与a-Si元件相比，在相应元件中使用多晶薄膜硅(poly-Si)会显示某些绝对性优势，多晶薄膜硅具有明显更高的电子迁移率。例如，LCD的分辨率和反应速度会显著提高。进而，这开创了所安装的附加集成电路的板上(on-board)集成的新方法，如果是a-Si器件，则在LCD的边缘上安装，例如采用外加芯片的形式。在本领域中，多晶薄膜硅通过在衬底上的a-Si的再结晶而得到。原则上讲，这种方法通过加热硅层到使a-Si结晶的温度而得以实现。就此而言，低温多晶薄膜硅与高温多晶薄膜硅之间的差别是低温多晶薄膜硅是通过局部加热硅层至600℃而获得，而高温多晶薄膜硅是在约900℃的工艺温度下形成的。为制造这种多晶薄膜硅制品，可以把整个元件加热至相应温度(HT多晶薄膜硅)，或者另外通过以相应的光栅图案移动准分子激光器穿过表面(表面层)而在局部产生所需的温度。由在后提及的方法制造的元件中的多晶薄膜硅通常是不均匀的。上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种玻璃陶瓷，其特征在于，包括以下重量份的组分：SiO2为20‑40,B2O3为1‑5，P2O5为5‑15，Al2O3为5‑15，MgO为3‑10，CaO为2‑12，Li2O为1‑10，ZrO2为5‑8，BaO为2‑10，PBO为2‑15。

【技术特征摘要】
1.一种玻璃陶瓷，其特征在于，包括以下重量份的组分：SiO2为20-40,B2O3为1-5，P2O5为5-15，Al2O3为5-15，MgO为3-10，CaO为2-12，Li2O为1-10，ZrO2为5-8，BaO为2-10，PBO为2-15。2.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷，其特征在于：所述SiO2为20重量份，B2O3为1重量份，P2O5为5重量份，Al2O3为5重量份，MgO为3重量份，CaO为2重量份，Li2O为1重量份，ZrO2为5重量份，BaO为2重量份，PBO为2重量份。3.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾加红，
申请(专利权)人：桂林加宏汽车修理有限公司，
类型：发明
国别省市：广西,45