流体喷射设备制造技术

在此公开了流体喷射设备。本公开涉及一种微流体裸片，该微流体裸片包括喷射电路系统以及具有至外部设备的最小数量的触点焊盘的一次性可编程存储器。该裸片包括相对大量的喷嘴和相对少量的触点焊盘。该裸片包括解码电路系统，该解码电路系统利用该少量的触点焊盘来控制这些喷嘴的驱动和喷射并且使用相同的接触焊盘来控制对该存储器的读出和写入。

Fluid ejector

The fluid ejector is disclosed here. The disclosure relates to a microfluidic die piece, which includes a spray circuit system and a one-time programmable memory with the smallest number of contact pad to the external device. The bare piece includes a relatively large number of nozzles and a relatively small number of contact plates. The die includes a decoding circuit system, which controls the driving and ejection of these nozzles by using a small number of contact pad, and controls the read and write of the memory by using the same contact pad.

【技术实现步骤摘要】
流体喷射设备
本公开涉及一种流体喷射设备，该流体喷射设备包括具有喷嘴、加热器、驱动电路系统以及存储器的裸片。
技术介绍
微流体裸片是包括空腔、喷嘴以及将流体从空腔中排出的无源电子部件的流体喷射设备。这些裸片通常不包括在与腔室和喷嘴相同的半导体衬底上的驱动电路系统。该驱动电路系统经常设置在耦合至微流体裸片上的单独的裸片上、不同的衬底上。该单独的裸片可以是结合在同一最终产品或封装体内并且电耦合至微流体裸片以向该微流体裸片提供控制信号和驱动信号以用于控制流体的喷射的专用集成电路(ASIC)。因为这些裸片中的每一个都具有非常不同的部件，微流体裸片是无源的而ASIC具有有源半导体部件(如晶体管)，所以这两种不同的裸片是通过非常不同的半导体处理步骤形成的。形成两个单独的裸片的原因之一与同在微流体裸片上的喷嘴数量相关联的触点焊盘的大小和数量相关联。通常，一个驱动信号用于一个喷嘴，并且因此，一个触点焊盘用于每个喷嘴。因为微流体裸片包括越来越多的喷嘴，触点焊盘的数量增加并且占用微流体裸片上的宝贵空间。将具有相关联的触点焊盘的驱动电路系统结合到具有大量喷嘴的微流体裸片上已经成为一个挑战。
技术实现思路
本公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：裸片，所述裸片包括：多个空腔；多个喷嘴；多个加热器，所述多个加热器与所述多个空腔相关联；多个驱动电路，每个驱动电路耦合至所述多个加热器中的至少两个；以及多个一次性可编程存储器位，每个存储器位与每个驱动电路相关联。

【技术特征摘要】
2016.08.18 US 15/240,7091.一种设备，包括：裸片，所述裸片包括：多个空腔；多个喷嘴；多个加热器，所述多个加热器与所述多个空腔相关联；多个驱动电路，每个驱动电路耦合至所述多个加热器中的至少两个；以及多个一次性可编程存储器位，每个存储器位与每个驱动电路相关联。2.如权利要求1所述的设备，进一步包括多个触点焊盘，所述多个触点焊盘包括第一多个选择触点焊盘和第二多个选择触点焊盘。3.如权利要求2所述的设备，其中，驱动电路的数量与第一多个选择触点焊盘的数量的比值在20:3与10:1的范围内。4.如权利要求2所述的设备，其中，每个驱动电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管耦合至所述第一多个选择触点焊盘；第二晶体管，所述第二晶体管耦合至所述第一多个选择触点焊盘；第三晶体管，所述第三晶体管耦合至所述第一多个选择触点焊盘；第四晶体管，所述第四晶体管耦合在所述第一晶体管与地之间；第五晶体管，所述第五晶体管耦合在所述第二晶体管与地之间；以及第六晶体管，所述第六晶体管耦合在所述第三晶体管与地之间。5.如权利要求4所述的设备，其中，所述第一晶体管的栅极耦合至所述第一多个选择触点焊盘，所述第一晶体管的第一端子耦合至所述第二多个选择触点焊盘，并且所述第一晶体管的第二端子耦合至所述第二晶体管的第一端子和所述第四晶体管的第一端子。6.如权利要求5所述的设备，其中，所述第二晶体管的栅极耦合至所述第一多个选择触点焊盘，所述第二晶体管的第二端子耦合至所述第三晶体管的第一端子和所述第五晶体管的第一端子。7.如权利要求6所述的设备，其中，所述第三晶体管的栅极耦合至所述第一多个选择触点焊盘，所述第三晶体管的第二端子耦合至所述第六晶体管的第一端子。8.如权利要求7所述的设备，其中，所述多个触点焊盘包括放电触点焊盘，并且所述第四、第五和第六晶体管的栅极耦合至所述放电触点焊盘。9.如权利要求8所述的设备，进一步包括激发晶体管，所述激发晶体管的栅极耦合至所述第三晶体管的所述第二端子。10.如权利要求9所述的设备，其中，所述激发晶体管的第一端子耦合至地，并且所述激发晶体管的第二端子耦合至所述多个加热器中的所述至少两个。11.如权利要求2所述的设备，进一步包括多个存储器电路，所述多个存储器电路被配置用于读出和写入所述存储器位，每个存储器电路包括读出分支和写入分支，每个读出分支和每个写入分支包括：第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合至所述第一多个选择触点焊盘的栅极以及耦合至所述第二多个选择触点焊盘的第一端子；第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合至所述第一多个选择触点焊盘的栅极、耦合至所述第一晶体管的第二端子的第一端子；第三晶体管，所述第三晶体管具有耦合至所述第一多个选择触点焊盘的栅极、耦合至所述第二晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·K·尼奥，M·帕泽蒂，F·康西格利尔里，L·莫利纳里，A·N·科莱基亚，S·多德，
申请(专利权)人：意法半导体亚太私人有限公司，意法半导体股份有限公司，意法半导体公司，
类型：发明
国别省市：新加坡,SG