一种有机发光二极管器件及显示装置制造方法及图纸

技术编号:17393714 阅读:19 留言:0更新日期:2018-03-04 17:25
本实用新型专利技术提供一种有机发光二极管器件、显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的顶发射AMOLED阴极材料透光率或电导率不佳的问题。本实用新型专利技术的有机发光二极管器件中第二基板上的第一隔垫物具有不平坦结构,便于辅助电极材料附着;第一隔垫物的高度与主隔垫物的高度不同,其中,高度大的隔垫物主要起到支撑作用,当受到压力时,高度大的隔垫物可以起到支撑、缓冲压力的作用,使得第一隔垫物上的辅助电极与第一基板上的第一电极接触过程中保护辅助电极,防止辅助电极断裂,增强整个第一电极的导电性。本实用新型专利技术的有机发光二极管器件适用于各种显示装置。

【技术实现步骤摘要】
一种有机发光二极管器件及显示装置
本技术属于显示
,具体涉及一种有机发光二极管器件及显示装置。
技术介绍
目前,有机发光二极管器件(OrganicLightEmittingDiode,OLED)器件以轻薄、低耗、高响应、高分辨等特征在平板显示领域迅速发展,其潜在的市场前景被业界看好。顶发射被动式有机电致发光二极管(Active-matrixorganiclightemittingdiode,AMOLED)可有效解决由于复杂TFT(薄膜场效应管)补偿电路所带来的开口率降低及显示屏亮度降低的问题,同时通过利用顶发射AMOLED器件结构中存在的微腔效应,还可以对AMOLED显示屏的色域进行改善,提高显示效果。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题:顶发射AMOLED必须投射部分,透明阴极的透光率和导电度是至关重要的因素。常用的阴极材料如Al、Mg-Ag、Ag都只有在很薄时才能有较好的透光度,但阴极层过薄会导致断路或金属氧化,不能形成有效地欧姆接触,致使显示屏亮度不均。所以阴极材料通常使用透明电极ITO,但ITO的电导率不够。
技术实现思路
本技术针对现有的顶发射AMOLED阴极材料透光率或电导率不佳的问题,提供一种有机发光二极管器件及显示装置。解决本技术技术问题所采用的技术方案是:一种有机发光二极管器件,包括相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板靠近所述第二基板的面上方设有第一电极,所述第二基板靠近第一基板的面上设有第一隔垫物,其中,第一隔垫物靠近第一基板的外表面具有不平坦结构,所述第一隔垫物靠近第一基板的外表面设有辅助电极层,所述辅助电极层的至少一部分与所述第一电极连接。优选的是,所述第二基板靠近第一基板的面上还设有主隔垫物,用于支撑所述第一基板和第二基板。优选的是,在垂直于所述第一基板所在面的方向上,所述第一隔垫物的尺寸小于主隔垫物的尺寸。优选的是,所述第一隔垫物具有台阶状结构。优选的是,所述主隔垫物由弹性材料构成,在垂直于所述第一基板所在面的方向上所述主隔垫物可压缩。优选的是,在垂直于所述第一基板所在面的方向上所述主隔垫物的尺寸与所述第一隔垫物的尺寸差值为0.65-0.98μm;且所述主隔垫物可压缩0.65-0.98μm。优选的是,所述第二基板靠近所述第一基板的面上方还设有黑矩阵,所述主隔垫物和辅助电极层至第二基板上的正投影面积落入所述黑矩阵至第二基板上的正投影面积范围内。优选的是,所述黑矩阵具有开口区域,所述开口区域内设有彩色滤光片;所述彩色滤光片远离第二基板的面上设有平坦化层。优选的是,所述平坦化层与所述主隔垫物、第一隔垫物两者中的至少一个与所述平坦化层为一体结构。优选的是,所述辅助电极层的材料包括金属材料,所述金属材料包括Al、Cu、Mo中的任意一种或几种。优选的是,所述辅助电极层的厚度为0.42μm-0.48μm。优选的是,所述第一基板上设有阳极、多个像素界定结构,相邻的像素界定层之间设有发光功能层,所述第一电极覆盖所述像素界定结构和发光功能层。优选的是,所述像素界定结构至第二基板上的正投影面积落入所述黑矩阵至第二基板上的正投影面积范围内。本技术还提供一种显示装置,包括上述的有机发光二极管器件。本技术的有机发光二极管器件中第二基板上的第一隔垫物具有不平坦结构,便于辅助电极材料附着;第一隔垫物的高度与主隔垫物的高度不同,其中,高度大的主隔垫物主要起到支撑作用,当受到压力时,高度大的主隔垫物可以起到支撑、缓冲压力的作用,使得辅助电极层与第一基板上的第一电极接触过程中保护辅助电极层,防止辅助电极层断裂,增强整个第一电极的导电性。本技术的有机发光二极管器件适用于各种显示装置。附图说明图1为本技术的实施例1的有机发光二极管器件结构示意图;图2、图3、图5、图6为本技术的实施例2的有机发光二极管器件结构示意图;图4为本技术的实施例3的有机发光二极管器件的制备流程示意图;其中,附图标记为:1、第一基板;11、第一电极;12、发光功能层;13、像素界定结构;2、第二基板;21、隔垫物;210、主隔垫物;211、第一隔垫物;22、不平坦结构;23、黑矩阵;24、彩色滤光片;3、辅助电极层。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本技术的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细描述。实施例1:本实施例提供一种有机发光二极管器件,如图1所示,包括相对设置的第一基板1和第二基板2,所述第一基板1靠近所述第二基板2的一侧设有第一电极11,所述第二基板2靠近第一基板1的一侧设有第一隔垫物211,其中,第一隔垫物211靠近第一基板1的外表面具有不平坦结构22,所述第一隔垫物211靠近第一基板1的外表面覆盖有辅助电极层3,所述辅助电极层3的至少一部分与所述第一电极11连接。需要说明的是所述辅助电极层可以部分覆盖或者全部覆盖第一隔垫物的外表面,只要保证对盒后辅助电极层与第一电极接触即可。本实施例的有机发光二极管器件中第二基板2上的第一隔垫物211具有不平坦结构22,便于辅助电极材料附着;第一隔垫物211的高度与主隔垫物210的高度不同,其中,高度大的主隔垫物210主要起到支撑作用,当受到压力时,高度大的主隔垫物210可以起到支撑、缓冲压力的作用,使得不平坦结构22上的辅助电极层3与第一基板1上的第一电极11接触过程中保护辅助电极层3,防止辅助电极层3断裂,增强整个第一电极11的导电性。本实施例的有机发光二极管器件适用于各种显示装置。实施例2:本实施例提供一种有机发光二极管器件,如图2所示,包括相对设置的第一基板1和第二基板2,所述第一基板1靠近所述第二基板2的面上方设有第一电极11,所述第二基板2靠近第一基板1的面上设有主隔垫物210和第一隔垫物211;第一隔垫物211靠近第一基板1的表面具有不平坦结构22,所述不平坦结构22靠近第一基板1的一侧覆盖有辅助电极层3,所述辅助电极层3的至少部分位置处与所述第一电极11连接。其中,参见图5,本实施例的不平坦结构22包括但不限于图5截面图所示的不规则的面a,弧面b、菱台面c、凹凸面d。本实施例对应的附图2中显示了在第二基板2上设有主隔垫物210和第一隔垫物211,第一隔垫物211表面具有不平坦结构22,高度大的主隔垫物210主要起到支撑作用,当受到压力时,高度大的主隔垫物210可以起到支撑、缓冲压力的作用,使得不平坦结构22上的辅助电极层3与第一基板1上的第一电极11接触过程中保护辅助电极层3,防止辅助电极层3断裂,其中,所述辅助电极层3的电极极性与第一电极11的电极极性相同,因此增强整个第一电极11的导电性。图2中的主隔垫物210与第一隔垫物211间隔设置,可以理解的是,二者的相对排布密度或比例可以根据实际导电需要进行选择。作为本实施例中的一种可选实施方案,所述第一隔垫物211具有台阶状结构。也就是说,第一隔垫物211与辅助电极层3接触的面设计为粗糙的表面,这样更加便于附着辅助电极材料。其中,本申请的技术人经过创造性的劳动发现台阶状(截面图看起来像是三棱台形状)的第一隔垫物211附着辅助电极材料的效果最好。在一个实施例中,所述隔垫物由弹性材料构成,在垂直于所述第一基板1所在面的方向上所述主隔垫物2本文档来自技高网...
一种有机发光二极管器件及显示装置

【技术保护点】
一种有机发光二极管器件,包括相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板靠近所述第二基板的一侧设有第一电极,其特征在于,所述第二基板靠近第一基板的一侧设有第一隔垫物,其中,所述第一隔垫物靠近第一基板的外表面具有不平坦结构,所述第一隔垫物靠近第一基板的外表面设有辅助电极层,所述辅助电极层的至少一部分与所述第一电极连接。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管器件,包括相对设置的第一基板和第二基板,所述第一基板靠近所述第二基板的一侧设有第一电极,其特征在于,所述第二基板靠近第一基板的一侧设有第一隔垫物,其中,所述第一隔垫物靠近第一基板的外表面具有不平坦结构,所述第一隔垫物靠近第一基板的外表面设有辅助电极层,所述辅助电极层的至少一部分与所述第一电极连接。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述第二基板靠近第一基板的面上还设有主隔垫物,用于支撑所述第一基板和第二基板。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管器件,其特征在于,在垂直于所述第一基板所在面的方向上,所述第一隔垫物的高度小于主隔垫物的高度。4.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述第一隔垫物具有台阶状结构。5.根据权利要求2所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述主隔垫物由弹性材料构成,在垂直于所述第一基板所在面的方向上所述主隔垫物可压缩。6.根据权利要求5所述的有机发光二极管器件,其特征在于,在垂直于所述第一基板所在面的方向上所述主隔垫物的高度与所述第一隔垫物的高度差值为0.65-0.98μm;所述主隔垫物可压缩0.65-0.98μm。7.根据权利要求2所述的有机发光二极管器件,其特征在于,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:李伟张星谢蒂旎
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:新型
国别省市:北京,11

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