一种类单晶籽晶的铺设方法技术

技术编号:17380105 阅读:52 留言:0更新日期:2018-03-03 16:35
本申请公开了一种类单晶籽晶的铺设方法,包括将类单晶籽晶摆放到坩埚内,相邻的类单晶籽晶之间保留具有预设宽度的缝隙;在每个所述缝隙中摆放单晶块,所述单晶块的生长速度低于所述类单晶籽晶的生长速度,且所述单晶块比所述类单晶籽晶化料后的剩余高度低一个预设值。上述类单晶籽晶的铺设方法,能够既消除籽晶块之间的挤压,又降低籽晶接缝间的缺陷。

The laying method of a single crystal seed crystal

The invention discloses a method of laying type single crystal seed, including single crystal like seed placed into the crucible, between the crystal seed crystal adjacent retention gap is preset width; single crystal block placed in each of the gaps, the growth rate of the crystal growth rate is lower than the block of the crystal seed, and the single crystal block than the remaining low height of a value of the seed crystal material after pre crystallization. The method of laying the single crystal seed crystal can not only eliminate the extrusion between the seeded blocks, but also reduce the defects between the seed seams.

【技术实现步骤摘要】
一种类单晶籽晶的铺设方法
本专利技术属于光伏电池
,特别是涉及一种类单晶籽晶的铺设方法。
技术介绍
类单晶是一种采用底部铺设单晶籽晶的定向凝固技术,籽晶的铺设是类单晶的关键步骤之一,籽晶之间的挤压会造成籽晶接缝处缺陷的产生,而缺陷会沿着晶体生长方向增殖延伸,造成类单晶品质的下降,因此籽晶接缝处缺陷的控制是提升晶体品质的关键因素,而消除籽晶间的挤压是减少接缝处缺陷的关键措施。常规的籽晶铺设方法为两籽晶块紧密排列,这种铺设方法的主要目的就是减小籽晶块之间的缝隙,减小籽晶接缝间空隙的主要目的是防止坩埚底部多晶形核,通过籽晶间的缝隙延伸生长,防止类单晶中多晶的产生。为了减小空隙,籽晶块间必然存在一定的挤压,籽晶块间的挤压成了接缝缺陷形成的必然条件。现有技术中还有一种籽晶的铺设方法,在两籽晶之间留有一定的空隙,在两籽晶之间的空隙填充的是低导热材料,并非硅单晶籽晶,因此会引入大量的多晶形核,不利于晶体品质提升。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提供了一种类单晶籽晶的铺设方法,能够既消除籽晶块之间的挤压,又降低籽晶接缝间的缺陷。本专利技术提供的一种类单晶籽晶的铺设方法,包括:将类单晶籽晶本文档来自技高网...
一种类单晶籽晶的铺设方法

【技术保护点】
一种类单晶籽晶的铺设方法,其特征在于,包括:将类单晶籽晶摆放到坩埚内,相邻的类单晶籽晶之间保留具有预设宽度的缝隙;在每个所述缝隙中摆放单晶块,所述单晶块的生长速度低于所述类单晶籽晶的生长速度,且所述单晶块比所述类单晶籽晶化料后的剩余高度低一个预设值。

【技术特征摘要】
1.一种类单晶籽晶的铺设方法,其特征在于,包括:将类单晶籽晶摆放到坩埚内,相邻的类单晶籽晶之间保留具有预设宽度的缝隙;在每个所述缝隙中摆放单晶块,所述单晶块的生长速度低于所述类单晶籽晶的生长速度,且所述单晶块比所述类单晶籽晶化料后的剩余高度低一个预设值。2.根据权利要求1所述的类单晶籽晶的铺设方法,其特征在于,所述类单晶籽晶为晶向为(...

【专利技术属性】
技术研发人员:王全志李林东晏文勇欧子杨汪沛渊白枭龙邓清香肖贵云陈志军王海涛金浩
申请(专利权)人:晶科能源有限公司浙江晶科能源有限公司
类型:发明
国别省市:江西,36

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