高频功率放大电路制造技术

一种高频功率放大电路，其包括高频放大器，其特征在于，所述高频放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容，所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极，用于按照控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流；第一晶体管的发射极接地，集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源；第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极，第二晶体管的基极经电容接地，集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源，第二偏置电路连接于第二晶体管的基极，用于给第二晶体管的基极提供偏置电流。本实用新型专利技术提供的高频功率放大电路减少了失真，且增大了输出功率。

High frequency power amplifier circuit

A high frequency power amplifier circuit, including high frequency amplifier, which is characterized in that the high-frequency amplifier includes: a first transistor, a second transistor, a first high frequency choke coil, second high frequency choke, the first second bias circuit, bias circuit and capacitance, the first base bias circuit is connected to the first transistor, according to the control voltage to the base of the first transistor provides the bias current; the first transistor emitter grounded collector through the first high-frequency choke is connected to the first power transmission; the collector electrode of the first transistor is connected to the second transistor, the second transistor base grounded through a capacitor, the collector with second high frequency choke is connected to the power supply second second, the base bias circuit is connected to the second transistor, the bias current is used to provide to the base of the second transistor. The high frequency power amplifier provided by the utility model reduces the distortion and increases the output power.

【技术实现步骤摘要】
高频功率放大电路
本技术涉及一种高频功率放大电路，尤其涉及一种应用于移动电话中的高频功率放大器。
技术介绍
一般地，在调幅制信号中，尤其是在QAM(正交振幅调制)等的多值调制中，在用于向天线发送功率的发送电路中需要配置的高频功率放大器，为保持信号不失真，高频功率放大器需要线性地对输入的高频调制信号进行线性放大。因此，在用作如手机的末级的高频功率放大器，通常工作在甲类或甲乙类状态。但通常采用单管放大器，输出功率较低，为克服该技术问题，现有技术提供了一种共射共基放大器，它们共用一个偏置电路，会造成对对输入信号的扭曲。
技术实现思路
为克服现有技术中存在的缺点，本技术的专利技术目的是提供一种高频功率放大电路，可减小对输入信号的扭曲，且能够增大输出功率。为实现所述专利技术目的，本技术提供一种高频功率放大电路，其包括高频放大器，其特征在于，所述高频放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容，所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极用于按照控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流；第一晶体管的发射极接地，集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源；第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极，第二晶体管的基极经电容接地，集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源，第二偏置电路连接于第二晶体管的基极，用于给第二晶体管的基极提供偏置电流。优选地，第一偏置电路包括第三晶体管，第三晶体管的集电极连接于第一电源，发射极依次经第一电阻和高频扼流圈连接于第一晶体管的基极，基极连接于第一参考电压。优选地，高频功率放大电路还包括供电电路，所述供电路包括依次串联并联接于控制电压和地之间的第二电阻、具有PN结的器件和第三电阻，从第二电阻和PN结相连的节点给第一偏置电路提供参考电压。优选地，具有PN结的器件由二极管配置而成。优选地，具有PN结的器件由晶体管配置而成。与现有技术相比，本技术提供的高频功率放大电路，由于采用了如下配置的放大器：第一晶体管、第二晶体、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容，所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极用于按照控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流；第一晶体管的发射极接地，集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源；第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极，第二晶体管的基极经电容接地，集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源，第二偏置电路连接于第二晶体管的基极，用于给第二晶体管的基极提供偏置电流，从而减小了失真(扭曲)，且增大了输出功率。附图说明图1是本技术第一实施例提供的高频功率放大器的电路图；图2是本技术第二实施例提供的高频功率放大器的电路图；图3是本技术第三实施例提供的高频功率放大器的电路图；图4是本技术第四实施例提供的高频功率放大器的电路图。具体实施方式下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。第一实施例图1是本技术第一实施例提供的高频功率放大器的电路图，如图1所示，本技术第一实施例提供的高频功率放大器包括高频信号输入端IN、输入匹配网络300、高频放大器500、输出匹配网络400、高频信号输出端OUT、第一偏置电路100和第二偏置电路，其中，高频放大器500包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第一高频扼流圈L1、第二高频扼流圈L2和电容C1，所述第一偏置电路100连接于第一晶体管T1的基极用于根据控制电压Vcon1给第一晶体管T1的基极提供偏置电流；第一晶体管T1的发射极接地，集电极经第一高频扼流圈L1连接于第一电源Vcc1；第一晶体管T1的集电极还连接于第二晶体管T2的发射极，第二晶体管T2的基极经电容C1接地，集电极经第二高频扼流圈L2连接于第二电源Vcc2，第二偏置电路连接于第二晶体管T2的基极，用于给第二晶体管T2的基极提供偏置电流，优选地，第二偏置电路由电阻R2组成，电阻R2的第一端连接于第二电源Vcc2，第二端连接于第二晶体管T2的基极，本技术中，由于采用了这种配置的放大器，使得高频放大电路减小了对输入信号的变形(失真)，且增大了输出功率。优选地，第一电源Vcc1还通过滤波电容C3接地。第二电源Vcc2还通过滤波电容C4接地。根据第一参考电压给晶体管T1提供偏置电压的偏置电路100包括晶体管T11，所述晶体管T11的集电极连接于电源Vcc1，发射极依次经电阻R11和高频扼流圈L11连接于晶体管T1的基极。第一参考电压由第一电源电路110提供，其用于控制晶体管T1的偏置量，第一电源电路110包括电阻R14、晶体管T12和晶体管T13，晶体管T12连接成二极管的结构，即晶体管T12的集电极和基极短路连接；晶体管T13连接成二极管的结构，即晶体管T13的集电极和基极短路连接。电阻R14的第一端连接于控制电压Vcon1，第二端连接于晶体管T12的基极，晶体管T12和晶体管T13串联连接，并连接于电阻R14和过冲控制电路之间。控制信号Vcon1用于控制偏置电路100的启动和停止。第一电源电路110中，设置电阻R14、晶体管T12和T13是为了在温度变化时由于温度偏移，引起的调制精度降低，上述部件起到温度补偿的作用。本技术中，电阻R11和高频扼流圈L11相串联的节点还经旁通电容C12接地。在控制电压Vcon1上升期间，加速电路用于临时性地提高从电源电路110输出的参考电压，从而提高了由偏置电路100给晶体管T1的增加量。加速电路包括电容C11，时间常数控制电路、放电电路和过冲控制电路，电容C11的第一端连接于控制电压Vcon1，第二端连接于时间常数控制电路，放电电路与电容C11并联联系。放电电路包括晶体管T16，其栅极连接于地，源极连接于晶体管T14的基极，漏极连接于控制电压Vcon1。时间常数控制电路包括晶体管T14、电阻R12和晶体管T15，晶体管T14的基极连接于电容C11的第二端，集电极连接于电压Vcc1，发射极连接于电阻R12的第一端；电阻R12的第二端连接于晶体管T15的基极；晶体管T15的集电极连接于电压Vcon1，发射极经电阻R13连接于地。时间常数控制电路用于确定在电容C11充电和放电的时间常数。过冲电路用于确定从电源电路110输出的参考电压的量，根据电容C11的放电量，参考电压临时性地增加。例如，过冲电路可以是仅包括电阻的R13的电路，电阻R13的第一端连接于地，第二端连接于电源电路110。图1所示的高频功率放本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频功率放大电路，其包括高频放大器，其特征在于，所述高频放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容，所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极用于按照控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流；第一晶体管的发射极接地，集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源；第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极，第二晶体管的基极经电容接地，集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源，第二偏置电路连接于第二晶体管的基极，用于给第二晶体管的基极提供偏置电流，第一晶体管和第二晶体管为NPN型晶体管。

【技术特征摘要】
1.一种高频功率放大电路，其包括高频放大器，其特征在于，所述高频放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容，所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极用于按照控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流；第一晶体管的发射极接地，集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源；第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极，第二晶体管的基极经电容接地，集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源，第二偏置电路连接于第二晶体管的基极，用于给第二晶体管的基极提供偏置电流，第一晶体管和第二晶体管为NPN型晶体管。2.根据权利要求1所述的高频功率放大电...

【专利技术属性】
技术研发人员：应忠于，连增水，
申请(专利权)人：公安海警学院，
类型：新型
国别省市：浙江,33