【技术实现步骤摘要】
一种Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备方法
本专利技术属于高性能树脂基陶瓷前驱体制备
,特别涉及一种Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备及前驱体的合成方法。
技术介绍
含Zr有机前驱体树脂在高温下可以陶瓷化形成ZrO2、ZrC覆盖在材料表面,因ZrO2、ZrC具有高强度、高熔点、高硬度、高温稳定性、高导电率和抗腐蚀等优异的性能,成为高温结构应用的潜在候选材料。目前,含Zr、C等元素的有机前驱体树脂已成为研究热点,可以适用于制备耐高温聚合物的基体、陶瓷化前驱体、耐烧蚀材料等。SiC作为基体具有耐高温、硬度大、强度高、高温性能优异的优点,同时其高温氧化后在材料表面形成一层SiO2薄膜,能够避免氧化性气体与复合材料直接接触,从而达到提高复合材料抗氧化性能的目的。而研究表明,含有硅锆的复相陶瓷材料,能够发挥ZrC、SiC、以及ZrO2的性能优势,在耐高温材料领域可望得到广泛应用。本专利技术采用直接共混法将一种在固化过程中可以发生Diels-Alder反应和Si-H加成反应的硅炔树脂PTSA,以及一种溶解性良好、锆含量较高的含锆前驱体ZNP,利用两者在有机溶剂中优异的溶解性,制备锆硅均相前驱体,经过热处理后得到Si/Zr/C复相陶瓷材料,其较高的陶瓷转化率和锆含量,有望在耐烧蚀材料的研究领域得到进一步发展。
技术实现思路
将锆元素引入含硅聚合物中制备Si/Zr/C复相陶瓷材料,可以很大程度提高材料的耐烧蚀性能。本专利技术利用实验室已合成的硅炔树脂PTSA作为硅源,以溶解性良好的含锆聚合物ZNP作为锆源,利用两者的良好溶解性,以质量比1:2、1:1、2:1共混得到锆硅均相 ...
【技术保护点】
一类Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备方法,其特征在于:采用一种在固化过程中可以发生Diels‑Alder反应和Si‑H加成反应的硅炔树脂PTSA,以及一种溶解性良好、锆含量较高的含锆前驱体ZNP,将两者按不同的质量比共混得到锆硅均相溶液ZPS。
【技术特征摘要】
1.一类Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备方法,其特征在于:采用一种在固化过程中可以发生Diels-Alder反应和Si-H加成反应的硅炔树脂PTSA,以及一种溶解性良好、锆含量较高的含锆前驱体ZNP,将两者按不同的质量比共混得到锆硅均相溶液ZPS。2.权利要求1所述的Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备方法,其特征在于:所述的硅炔树脂PTSA为一类分子主链结构中含有C≡C和Si-H基团的杂化聚合物,其结构式见说明书附图的图2。3.权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:周权,倪礼忠,刘帅帅,彭峥强,卢丹,
申请(专利权)人:华东理工大学,
类型:发明
国别省市:上海,31
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