一种Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了一类Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备方法。本方法采用一种在固化过程中可以发生Diels‑Alder反应和Si‑H加成反应的硅炔树脂PTSA，以及一种溶解性良好、锆含量较高的含锆前驱体ZNP，由共混法得到锆硅均相溶液ZPS。该制备方法工艺简单、操作方便，并且改善了共混法的不均一性以及直接合成法的难控制性，制备得到的陶瓷前驱体具备良好的储存稳定性，有助于实现Si/Zr/C复相陶瓷材料在耐烧蚀领域的广泛应用。

【技术实现步骤摘要】
一种Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备方法
本专利技术属于高性能树脂基陶瓷前驱体制备
，特别涉及一种Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备及前驱体的合成方法。
技术介绍
含Zr有机前驱体树脂在高温下可以陶瓷化形成ZrO2、ZrC覆盖在材料表面，因ZrO2、ZrC具有高强度、高熔点、高硬度、高温稳定性、高导电率和抗腐蚀等优异的性能，成为高温结构应用的潜在候选材料。目前，含Zr、C等元素的有机前驱体树脂已成为研究热点，可以适用于制备耐高温聚合物的基体、陶瓷化前驱体、耐烧蚀材料等。SiC作为基体具有耐高温、硬度大、强度高、高温性能优异的优点，同时其高温氧化后在材料表面形成一层SiO2薄膜，能够避免氧化性气体与复合材料直接接触，从而达到提高复合材料抗氧化性能的目的。而研究表明，含有硅锆的复相陶瓷材料，能够发挥ZrC、SiC、以及ZrO2的性能优势，在耐高温材料领域可望得到广泛应用。本专利技术采用直接共混法将一种在固化过程中可以发生Diels-Alder反应和Si-H加成反应的硅炔树脂PTSA，以及一种溶解性良好、锆含量较高的含锆前驱体ZNP，利用两者在有机溶剂中优异的溶解性，制备锆硅均相前驱体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一类Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于：采用一种在固化过程中可以发生Diels‑Alder反应和Si‑H加成反应的硅炔树脂PTSA，以及一种溶解性良好、锆含量较高的含锆前驱体ZNP，将两者按不同的质量比共混得到锆硅均相溶液ZPS。

【技术特征摘要】
1.一类Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于：采用一种在固化过程中可以发生Diels-Alder反应和Si-H加成反应的硅炔树脂PTSA，以及一种溶解性良好、锆含量较高的含锆前驱体ZNP，将两者按不同的质量比共混得到锆硅均相溶液ZPS。2.权利要求1所述的Si/Zr/C复相陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述的硅炔树脂PTSA为一类分子主链结构中含有C≡C和Si-H基团的杂化聚合物，其结构式见说明书附图的图2。3.权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周权，倪礼忠，刘帅帅，彭峥强，卢丹，
申请(专利权)人：华东理工大学，
类型：发明
国别省市：上海,31