一种低容ESD静电保护抑制器制造技术

技术编号:17254655 阅读:19 留言:0更新日期:2018-02-11 16:28
本发明专利技术公开了一种低容ESD静电保护抑制器,具备层叠多个绝缘体层而成的素体、被配置于素体内的纯铜线圈、以在多个绝缘体层的垂直方向上与纯铜线圈排列的方式被配置于素体内的ESD抑制器。ESD抑制器包含互相分开地配置的第一以及第二放电电极、以将第一以及第二放电电极中的互相相对的部分彼此连接的方式接触于第一以及第二放电电极并且含有Ag/Cu合金颗粒的放电触发部而构成。第一以及第二放电电极在多个绝缘体层的垂直方向上看较放电触发部更位于纯铜线圈侧。在构成纯铜线圈的内部导体与包含于ESD抑制器的第一以及第二放电电极或者放电触发部之间产生低容值寄生电容。

【技术实现步骤摘要】
一种低容ESD静电保护抑制器
本专利技术涉及一种低容ESD静电保护抑制器,具有低容值的寄生电容。
技术介绍
已知有具备层叠多个绝缘体层而成的素体、通过多个内部导体被互相连接而构成并被配置于素体内的纯铜线圈、以及包含互相分开地配置的第一以及第二放电电极而构成并被配置于素体内的ESD抑制器的静电保护部件(例如参照日本专利申请公开2003-123936号公报(以下称之为专利文献1))。还已知有具备包含互相分开地配置的第一以及第二放电电极、以将第一以及第二放电电极中的互相相对的部分彼此连接的方式接触于第一以及第二放电电极而且含有Ag/Cu合金颗粒的放电触发部而构成的ESD抑制器,并且空洞部以接触于第一以及第二放电电极中的互相相对的上述部分彼此以及放电触发部的方式进行配置的静电保护部件(例如参照日本专利申请公开2011-243896号公报(以下称之为专利文献2))。
技术实现思路
在ESD抑制器(静电保护部件)中,因为第一以及第二放电电极互相分开地配置,所以如果将规定值以上的电压施加于该电极之间的话则在分开部分发生放电。放电触发部具有容易发生第一以及第二放电电极的分开部分中的放电的功能。ESD抑制器具有ESD(Electro-StaticDischarge(静电放电))吸收性能。然而,在将放电触发部和空洞部导入到具备在素体内配置有纯铜线圈和ESD抑制器的结构的静电保护部件的情况下,恐怕会发生以下那样的问题。在由内部导体构成的纯铜线圈和包含放电触发部而构成的ESD抑制器被配置于素体内的情况下,有必要得到内部导体和放电触发部被配置于内部的素体。素体通常经过实施烧成等的热处理的过程而得到。此时,构成内部导体的材料有可能扩散到放电触发部。如果构成内部导体的材料扩散到放电触发部的话则放电触发部的特性会发生变化。如果构成内部导体的材料、即导体材料扩散到放电触发部的话则放电触发部的电阻降低,从而在第一以及第二放电电极之间放电以比较低的电压发生。如果向放电触发部的导电材料的扩散量多的话则实质上放电触发部变成导体,并且第一以及第二放电电极之间发生短路。在具备纯铜线圈和ESD抑制器被配置于素体内的结构的静电保护部件中,在构成纯铜线圈的内部导体与包含于ESD抑制器的第一以及第二放电电极或者放电触发部之间产生寄生电容。接触于第一以及第二放电电极的放电触发部含有Ag/Cu合金颗粒并且介电常数高。因此,在纯铜线圈与ESD抑制器之间所产生的寄生电容比较大。寄生电容成为例如噪声特性的劣化或者传输信号的特性劣化等的主要原因之一。本专利技术所采用的技术方案提供一种放电触发部的特性的变化被抑制并且可以降低在纯铜线圈与ESD抑制器之间所产生的寄生电容的低容ESD静电保护抑制器。其特征在于:具备素体,层叠多个绝缘体层而成;纯铜线圈,通过多个内部导体被互相连接而构成并且被配置于所述素体内;以及ESD抑制器,以在所述多个绝缘体层的垂直方向上与所述纯铜线圈排列的方式被配置于所述素体内;所述ESD抑制器包含互相分开地配置的第一以及第二放电电极、以将所述第一以及第二放电电极中的互相相对的部分彼此连接的方式接触于所述第一以及第二放电电极并且含有Ag/Cu合金颗粒的放电触发部而构成,在构成纯铜线圈的内部导体与包含于ESD抑制器的第一以及第二放电电极或者放电触发部之间产生低容值寄生电容;所述第一以及第二放电电极在所述垂直方向上看较所述放电触发部更位于所述纯铜线圈侧,所述素体具有以在从所述纯铜线圈侧沿所述垂直方向看的时候覆盖所述放电触发部的整体的方式进行定位的空洞部,所述空洞部与所述第一以及第二放电电极中的互相相对的所述部分彼此以及所述放电触发部接触。所述第一放电电极具有在垂直于所述垂直方向的一个方向上延伸的第一侧面部,所述第二放电电极具有在所述一个方向上延伸的第二侧面部,所述第一以及第二放电电极被配置为互相分开,使得所述第一侧面部与所述第二侧面部相对。构成所述内部导体的材料的熔点低于构成所述Ag/Cu合金颗粒的材料的熔点。附图说明图1是表示第1实施方式所涉及的低容ESD静电保护抑制器的立体图。图2是表示素体的结构的分解立体图。图3是表示沿着图1所表示的III-III线的截面结构的示意图。图4是表示沿着图1所表示的IV-IV线的截面结构的示意图。具体实施方式下面结合说明书附图,对本专利技术作进一步的说明。参照图1~图4,说明第1实施方式所涉及的低容ESD静电保护抑制器1的结构。图1是表示本实施方式所涉及的低容ESD静电保护抑制器的立体图。图2是表示素体的结构的分解立体图。图3是表示沿着图1所表示的III-III线的截面结构的示意图。图4是表示沿着图1所表示的IV-IV线的截面结构的示意图。低容ESD静电保护抑制器1是被安装于电子设备的电路基板并保护电子设备免受ESD的电子部件。如图1~图4所示,低容ESD静电保护抑制器1具备呈现大致长方体形状的素体4、被配置于素体4的外表面的外部电极5、外部电极6、外部电极7以及外部电极8、被配置于素体4的内部的纯铜线圈L1、被配置于素体4的内部的具有ESD吸收性能的ESD抑制器SP1。以下,将素体4的高度方向作为Z方向,将素体4的长边方向作为Y方向,将素体4的短边方向作为X方向。素体4层叠多个绝缘体层10而被构成。各个绝缘体层10具有大致长方形状。各个绝缘体层10具有电绝缘性,由绝缘体生片的烧结体所构成。在实际的素体4中,各个绝缘体层10以不能够目视确认各层之间的边界的程度被一体化。素体4具有作为外表面的互相相对的一对端面4a,4b、邻接于端面4a,4b的四个侧面。一对端面4a,4b在素体4的长边方向上进行相对。四个侧面中的一个侧面4c被规定为与没有图示的其它的电子设备(例如电路基板或者电子部件等)面对面的面(安装面)。外部电极5以及外部电极6被配置于素体4的侧面4c。外部电极5在侧面4c上位于靠近端面4a的端部。外部电极6在侧面4c上位于靠近端面4b的端部。外部电极5以及外部电极6起到作为所谓底面电极的功能。外部电极7被配置于素体4的端面4a侧。外部电极7以覆盖素体4的端面4a的整个面并且其一部分迂回至与该端面4a相邻接的四个侧面上的方式被形成。外部电极8被配置于素体4的端面4b侧。外部电极8以覆盖素体4的端面4b的整个面并且其一部分迂回至与该端面4b相邻接的四个侧面上的方式被形成。外部电极5和外部电极7被互相连接,外部电极6和外部电极8被互相连接(参照图4)。纯铜线圈L1通过多个内部导体即导体21、导体22、导体23以及导体24的端部彼此由各个通孔导体31,32,33连接来进行构成。导体21、导体22、导体23以及导体24在素体4的内部在绝缘体层10的垂直方向(以下单单称之为“垂直方向”)上被并置。各个导体21~24在垂直方向上从接近于素体4的侧面4c的一方起按导体21、导体22、导体23、导体24的顺序被配置。通孔导体31位于导体21与导体22之间,并电连接导体21和导体22。通孔导体32位于导体22与导体23之间,并电连接导体22和导体23。通孔导体33位于导体23与导体24之间,并电连接导体23和导体24。各个通孔导体31~33起到作为纯铜线圈L1的一部分的功能。导体24的端部24a露出于素体4的端面4a,并与外部电极7相连接本文档来自技高网...
一种低容ESD静电保护抑制器

【技术保护点】
一种低容ESD静电保护抑制器,其特征在于:具备:素体,层叠多个绝缘体层而成;纯铜线圈,通过多个内部导体被互相连接而构成并且被配置于所述素体内;以及ESD抑制器,以在所述多个绝缘体层的垂直方向上与所述纯铜线圈排列的方式被配置于所述素体内;所述ESD抑制器包含互相分开地配置的第一以及第二放电电极、以将所述第一以及第二放电电极中的互相相对的部分彼此连接的方式接触于所述第一以及第二放电电极并且含有Ag/Cu合金颗粒的放电触发部而构成,在构成纯铜线圈的内部导体与包含于ESD抑制器的第一以及第二放电电极或者放电触发部之间产生低容值寄生电容;所述第一以及第二放电电极在所述垂直方向上看较所述放电触发部更位于所述纯铜线圈侧;所述素体具有以在从所述纯铜线圈侧沿所述垂直方向看的时候覆盖所述放电触发部的整体的方式进行定位的空洞部;所述空洞部与所述第一以及第二放电电极中的互相相对的所述部分彼此以及所述放电触发部接触。

【技术特征摘要】
1.一种低容ESD静电保护抑制器,其特征在于:具备:素体,层叠多个绝缘体层而成;纯铜线圈,通过多个内部导体被互相连接而构成并且被配置于所述素体内;以及ESD抑制器,以在所述多个绝缘体层的垂直方向上与所述纯铜线圈排列的方式被配置于所述素体内;所述ESD抑制器包含互相分开地配置的第一以及第二放电电极、以将所述第一以及第二放电电极中的互相相对的部分彼此连接的方式接触于所述第一以及第二放电电极并且含有Ag/Cu合金颗粒的放电触发部而构成,在构成纯铜线圈的内部导体与包含于ESD抑制器的第一以及第二放电电极或者放电触发部之间产生低容值寄生电容;所述第一以及第二放电电极在所述垂直方向上看较所述放电触发部更位于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:向龙
申请(专利权)人:佛山鑫进科技有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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