一种热拔突波电流吸收电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种热拔突波电流吸收电路，包括开关S1，所述开关S1的输出端并接电阻R2和发光二极管LED，发光二极管LED的输出端串接场效应管Q2的集电极，场效应管Q2的集电极与发射级间并接稳压二极管ZD2，场效应管Q2的基极串接电阻R1与三极管Q2的集电极连接。该热拔突波电流吸收电路的电阻R11用于设定突破电流触发保护的值，假设三极管Q1基极对发射级的结电压为0.7V，则设电阻R11为0.7欧姆，当输出电压大于1A就触发三极管Q1导通，将场效应管Q2的栅极拉到低电平，场效应管Q2即截止，这样有助于大电解电容C1上的能量释放的时间延长，从而避免了短时间内大电流经过LED等造成其损坏，损伤的问题；整体对LED灯保护效果好。

A hot pullout wave current absorption circuit

The utility model discloses a hot plug surge current absorption circuit, including the switch S1, the switch output end of the S1 and the resistor R2 and the light emitting diode LED light emitting diode LED, output end on the collector field effect transistor Q2, the collector and emitter FET Q2 is connected between the zener diode ZD2 base, FET Q2 series resistor R1 and transistor collector connected Q2. The hot drawing surge current absorbing resistor R11 circuit is used to set the current value of the breakthrough trigger protection, assuming the base electrode of the triode Q1 on the emission level node voltage 0.7V, a resistor R11 is 0.7 ohms, when the output voltage is greater than 1A will trigger triode Q1 conduction, the gate FET Q2 to pull low level FET Q2 cutoff, which helps the large electrolytic capacitor C1 on the energy release time, thus avoiding the high current in a short time after LED caused damage and injury problems; overall good protection effect of LED lamp.

【技术实现步骤摘要】
一种热拔突波电流吸收电路
本技术涉及LED驱动电源
，尤其是一种热拔突波电流吸收电路。
技术介绍
在LED驱动和灯头(灯头、灯泡)分离的灯具结构中，电工在更换灯头(灯头、灯泡)时候由于现场应用情况或者不规范操作有可能不断电而直接带电插拔，这种热插拔的动作有可能会导致LED灯珠的损坏，因为LED驱动电源一般输出都有一个大的滤波电解电容，而且空载电压一般会高于实际带载的LED串电压VF，所以在LED灯头接触的瞬间，大电解电容上的能量会短时间内流过LED，造成瞬态巨大的电流，能量值I^2t(或CΔV)，所以这种瞬态大电流容易造成LED的局部过热损坏或损伤，为了解决这种问题一般的做法就是输出接一个NTC电阻，或者通过一种专门的IC抑制，使用NTC无法做到限值电流值到很小，而使用IC一来价格较贵，二来IC有启动延时，对us级的突波失去抑制作用，因此需一种热拔突波电流吸收电路。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种热拔突波电流吸收电路，具有对LED灯保护效果好的优点，以解决上述
技术介绍
中不断电热拔插动作会对LED灯珠造成损害的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种热拔突波电流吸收电路，包括开关S1，所述开关S1的输入端串接稳压二极管D1的输出端，稳压二极管D1的输入端串接变压器T1的输出端；所述稳压二极管D1的两端并接电容C1，电容C1的一端接变压器T1的输出端，电容C1的另一端接开关S1的输入端；所述开关S1的输出端并接电阻R2和发光二极管LED，发光二极管LED的输出端串接场效应管Q2的集电极，场效应管Q2的集电极与发射级间并接稳压二极管ZD2，场效应管Q2的基极串接电阻R1与三极管Q2的集电极连接，三极管Q1的基极串接场效应管Q2发射级，三极管Q1与电阻R2间串接稳压二极管ZD1，三极管Q1的基极串接稳压二极管ZD1的输入端，稳压二极管ZD1的输出端连接电阻R2；所述三极管Q1的基极与发射级间并接电阻R11，电阻R11的输出端接地。作为本技术进一步的方案：所述电阻R11的阻值与电流的乘积大于三极管Q1的结电压时，三极管Q1导通。作为本技术进一步的方案：所述开关S1为模拟的热拔插。与现有技术相比，本技术的有益效果如下：该热拔突波电流吸收电路的开关S1为模拟的热拔插，电阻R11用于设定突破电流触发保护的值，假设三极管Q1基极对发射级的结电压为0.7V，则设电阻R11为0.7欧姆，当输出电压大于1A就触发三极管Q1导通，将场效应管Q2的栅极拉到低电平，场效应管Q2即截止，这样有助于大电解电容C1上的能量释放的时间延长，从而避免了短时间内大电流经过LED等造成其损坏，损伤的问题；整体对LED灯保护效果好。附图说明图1为本技术的电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例中，一种热拔突波电流吸收电路，包括开关S1，开关S1的输入端串接稳压二极管D1的输出端，稳压二极管D1的输入端串接变压器T1的输出端；稳压二极管D1的两端并接电容C1，电容C1的一端接变压器T1的输出端，电容C1的另一端接开关S1的输入端；开关S1的输出端并接电阻R2和发光二极管LED，发光二极管LED的输出端串接场效应管Q2的集电极，场效应管Q2的集电极与发射级间并接稳压二极管ZD2，场效应管Q2的基极串接电阻R1与三极管Q2的集电极连接，三极管Q1的基极串接场效应管Q2发射级，三极管Q1与电阻R2间串接稳压二极管ZD1，三极管Q1的基极串接稳压二极管ZD1的输入端，稳压二极管ZD1的输出端连接电阻R2；三极管Q1的基极与发射级间并接电阻R11，电阻R11的输出端接地，电阻R11的阻值与电流的乘积大于三极管Q1的结电压时，三极管Q1导通；开关S1为模拟的热拔插，电阻R11用于设定突破电流触发保护的值，假设三极管Q1基极对发射级的结电压为0.7V，则设电阻R11为0.7欧姆，当输出电压大于1A就触发三极管Q1导通，将场效应管Q2的栅极拉到低电平，场效应管Q2即截止，这样有助于大电解电容C1上的能量释放的时间延长，从而避免了短时间内大电流经过LED等造成其损坏，损伤的问题；整体对LED灯保护效果好。综上所述：该热拔突波电流吸收电路的开关S1为模拟的热拔插，电阻R11用于设定突破电流触发保护的值，假设三极管Q1基极对发射级的结电压为0.7V，则设电阻R11为0.7欧姆，当输出电压大于1A就触发三极管Q1导通，将场效应管Q2的栅极拉到低电平，场效应管Q2即截止，这样有助于大电解电容C1上的能量释放的时间延长，从而避免了短时间内大电流经过LED等造成其损坏，损伤的问题；整体对LED灯保护效果好。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热拔突波电流吸收电路，包括开关S1，其特征在于：所述开关S1的输入端串接稳压二极管D1的输出端，稳压二极管D1的输入端串接变压器T1的输出端；所述稳压二极管D1的两端并接电容C1，电容C1的一端接变压器T1的输出端，电容C1的另一端接开关S1的输入端；所述开关S1的输出端并接电阻R2和发光二极管LED，发光二极管LED的输出端串接场效应管Q2的集电极，场效应管Q2的集电极与发射级间并接稳压二极管ZD2，场效应管Q2的基极串接电阻R1与三极管Q2的集电极连接，三极管Q1的基极串接场效应管Q2发射级，三极管Q1与电阻R2间串接稳压二极管ZD1，三极管Q1的基极串接稳压二极管ZD1的输入端，稳压二极管ZD1的输出端连接电阻R2；所述三极管Q1的基极与发射级间并接电阻R11，电阻R11的输出端接地。

【技术特征摘要】
1.一种热拔突波电流吸收电路，包括开关S1，其特征在于：所述开关S1的输入端串接稳压二极管D1的输出端，稳压二极管D1的输入端串接变压器T1的输出端；所述稳压二极管D1的两端并接电容C1，电容C1的一端接变压器T1的输出端，电容C1的另一端接开关S1的输入端；所述开关S1的输出端并接电阻R2和发光二极管LED，发光二极管LED的输出端串接场效应管Q2的集电极，场效应管Q2的集电极与发射级间并接稳压二极管ZD2，场效应管Q2的基极串接电阻R1与三极管Q2的集电极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄智慧，
申请(专利权)人：无锡市益明光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32