一种MOS器件衬底外围寄生电阻的建模方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种MOS器件衬底外围寄生电阻的建模方法
本专利技术涉及半导体集成电路测试与建模领域，具体涉及一种MOS器件衬底外围寄生电阻的建模方法。
技术介绍
在射频集成电路领域，MOS器件的衬底电阻在很大程度上决定了器件的输出特性，在射频集成电路设计中其影响不可忽略。MOS器件的衬底电阻以器件有源区为界，可以分为两大部分，一部分为有源区即MOS器件源漏区及沟道区下方的衬底部分，另一部分为器件有源区外围，即衬底引出端及引出端与有源区之间的STI(浅槽隔离)区域下方的衬底部分。对于后者，其衬底部分电阻的计算与器件的版图因子及排布方式有关，其中，版图因子和版图设计尺寸相对应。现有技术的有源射频器件建模过程中，采用两端口测试结构对其进行建模表征，但是在两端口测试结构中，该部分很难被准确定义并表征出来，从而导致衬底电阻模型的精度不足，进而影响电路设计的结果。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种MOS器件衬底外围寄生电阻的建模方法，通过该方法可以直接表征MOS器件有源区外围引入的寄生电阻，并且建模得出的MOS器件衬底外围寄生电阻的可伸缩模型适用于不同情况下的版图布局方式。...
【技术保护点】
一种MOS器件衬底外围寄生电阻的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：S01、建立和MOS器件相对应的环状电阻测试结构，其中，MOS器件包括位于该器件中心的有源区、均匀分布在有源区中的栅极、位于有源区和栅极之外的体端环状引出以及位于体端环状引出之外的衬底阱，所述体端环状引出的宽度为rw，衬底阱用于将MOS器件与外界隔离；所述环状电阻测试结构从内往外依次为内部环、外部环和环形衬底阱，内部环和外部环宽度为rw，内部环和外部环之间的区域以及内部环内部区域为STI区域，内部环的电阻为R2，外部环的电阻为R1，STI区域的电阻为Rsti，衬底阱用于将环状电阻测试结构与外界隔离；环状电阻...
【技术特征摘要】
1.一种MOS器件衬底外围寄生电阻的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：S01、建立和MOS器件相对应的环状电阻测试结构，其中，MOS器件包括位于该器件中心的有源区、均匀分布在有源区中的栅极、位于有源区和栅极之外的体端环状引出以及位于体端环状引出之外的衬底阱，所述体端环状引出的宽度为rw，衬底阱用于将MOS器件与外界隔离；所述环状电阻测试结构从内往外依次为内部环、外部环和环形衬底阱，内部环和外部环宽度为rw，内部环和外部环之间的区域以及内部环内部区域为STI区域，内部环的电阻为R2，外部环的电阻为R1，STI区域的电阻为Rsti，衬底阱用于将环状电阻测试结构与外界隔离；环状电阻测试结构的版图设计尺寸与MOS器件的版图设计尺寸相同；S02、建立端头电阻辅助测试结构，其中，所述端头电阻辅助测试结构包括位于矩形两个相对边上的矩形端头以及位于端头外侧的衬底阱；两个端头的宽度均为rw，端头所在的矩形边长为w，两个端头之间距离为l，两个端头的组成部分和所述环状电阻测试结构中内部环和外部环的组成部分相同，且两者接触孔的布局方式相同；S03、建立端头电阻可伸缩模型：固定w，变化l的值，测得一系列对应的端头电阻辅助测试结构的电阻值Rtot1，以Rtot1为纵坐标，l/w为横坐标，绘制曲线，该曲线在纵坐标的截距即为两个端头的总电阻，端头电阻辅助测试结构中两边端头电阻相同，端头电阻Rend为截距的一半，选取多组w，获得端头电阻辅助测试结构中Rend与w之间的端头电阻可伸缩模型；S04、建立MOS器件衬底外围寄生电阻的可伸缩模型：测试环状电阻测试结构的电阻Rtot2，将内部环和外部环的周长带入端头电阻可伸缩模型中的w，得出R2和R1的电阻，Rsti＝Rtot2-R1-R2，变换与版图设计尺寸相对应的版图因子可以得到不同版图尺寸下Rsti的值，分析Rsti与上述版图尺寸的变化关系，建立MOS器件衬底外围寄生电阻的可伸缩模型。2.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘林林，王全，郭奥，周伟，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，成都微光集电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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