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本发明公开了一种MOS器件衬底外围寄生电阻的建模方法，包括以下步骤：S01建立和MOS器件相对应的环状电阻测试结构，S02建立端头电阻辅助测试结构，S03建立端头电阻可伸缩模型，S04测试环状电阻测试结构的电阻Rtot2，将内部环和外部环的...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司授权不得商用。