一种用于氘灯的防高压击穿电路制造技术

如本实用新型专利技术公开了一种用于氘灯的防高压击穿电路，包括电阻R1、瞬态电压抑制二极管DW、π型滤波器和继电器K，所述电阻R1的一端连接继电器K的触点K‑1，继电器K的触点K‑1的另一端连接电阻R2、MOS管Q1的漏极、电容C3和电感L1。本实用新型专利技术用于氘灯的防高压击穿电路能够对电网中的尖峰电压进行抑制，保护氘灯免受尖峰电压的影响，并且在电路中设置了谐波干扰抑制模块和过压保护模块，同时还设置了电压检测模块与过压自动切换电路，遇到过压情况时不会断开电路，只是通过增加回路电阻的方式降低再加氘灯上的电压，从而既不影响其使用，又防止了过压毁损，因此具有抗干扰性强、功能多样和使用方便的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种用于氘灯的防高压击穿电路
本技术涉及一种保护电路，具体是一种用于氘灯的防高压击穿电路。
技术介绍
氘灯是紫外可见分光光度计的紫外线光源，它发出的光的波长范围一般为190~400nm的连续光谱带。氘灯的使用波长范围一般为190~360nm。氘灯广泛应用于液相色谱仪的UV检测器，UV－VIS分光光度计,电泳仪,SOx/NOx分析仪,血液检查等多种分析测试仪器中。氘灯在使用过程中容易受到过压以及尖峰电压的影响，现有的氘灯电源只能进行单一保护，且保护的方式是断开电路，影响其正常的使用。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于氘灯的防高压击穿电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种用于氘灯的防高压击穿电路，包括电阻R1、瞬态电压抑制二极管DW、π型滤波器和继电器K，所述电阻R1的一端连接继电器K的触点K-1，继电器K的触点K-1的另一端连接电阻R2、MOS管Q1的漏极、电容C3和电感L1，瞬态电压抑制二极管DW并联在变压器T的次级绕组N2的两端，变压器T的次级绕组N2还连接整流桥D的电压输入端，整流桥D的电压输出端连接电容C2和电感L1，变压器T的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于氘灯的防高压击穿电路，包括电阻R1、瞬态电压抑制二极管DW、π型滤波器和继电器K，其特征在于，所述电阻R1的一端连接继电器K的触点K‑1，继电器K的触点K‑1的另一端连接电阻R2、MOS管Q1的漏极、电容C3和电感L1，瞬态电压抑制二极管DW并联在变压器T的次级绕组N2的两端，变压器T的次级绕组N2还连接整流桥D的电压输入端，整流桥D的电压输出端连接电容C2和电感L1，变压器T的初级绕组N1连接220V市电电压，电容C2的另一端连接电感L2和整流桥D的端口4，电阻R2的另一端连接MOS管Q1的栅极和三极管V1的集电极，三极管V1的发射极连接继电器K，继电器K的另一端连接电容C3的另一端...

【技术特征摘要】
1.一种用于氘灯的防高压击穿电路，包括电阻R1、瞬态电压抑制二极管DW、π型滤波器和继电器K，其特征在于，所述电阻R1的一端连接继电器K的触点K-1，继电器K的触点K-1的另一端连接电阻R2、MOS管Q1的漏极、电容C3和电感L1，瞬态电压抑制二极管DW并联在变压器T的次级绕组N2的两端，变压器T的次级绕组N2还连接整流桥D的电压输入端，整流桥D的电压输出端连接电容C2和电感L1，变压器T的初级绕组N1连接220V市电电压，电容C2的另一端连接电感L2和整流桥D的端口4，电阻R2的另一端连接MOS管Q1的栅极和三极管V1的集电极，三极管V1的发射极连接继电器K，继电器K的另一端连接电容C3的另一端、电感L2的另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：田阔，高强，齐智，
申请(专利权)人：北京波尔通达电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11