量子点薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种量子点薄膜及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：在配体修饰的量子点溶液中加入絮凝剂得量子点墨水，其中，所述絮凝剂的浓度为10～30mmol/L；在基体上沉积所述量子点墨水，然后干燥形成膜体；在所述干燥过程中，所述配体从量子点上脱落；采用溶剂浸润所述模体，以溶解所述配体和絮凝剂，然后除去溶解有所述配体和絮凝剂的溶剂，即得所述量子点薄膜。本发明专利技术的量子点薄膜的制备方法，通过在配体修饰的量子点溶液中加入絮凝剂制备量子点墨水，并合理控制絮凝剂的浓度，能够最终形成无绝缘性配体的致密量子点膜层，消除配体对量子点薄膜光电特性的影响，进而提高量子点发光二极管的性能。

【技术实现步骤摘要】
量子点薄膜及其制备方法
本专利技术涉及光电材料
，特别是涉及量子点薄膜及其制备方法。
技术介绍
半导体量子点具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优良特性。这些特点使得以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景，受到了学术界以及产业界的广泛关注。近年来，通过量子点材料合成工艺的改善以及器件结构的优化，QLED的性能有了大幅提升，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。在量子点发光二极管器件中，量子点薄膜中量子点之间的相互作用会很大程度影响该层膜的光电特性，为了保证量子点在溶剂中的分散性，量子点表面都会覆盖配体，而这些配体都是绝缘体，因此在量子点成膜后，量子点与量子点之间存在绝缘性的配体，从而大大影响器件的性能。
技术实现思路
基于此，有必要针提供一种光电特性好的量子点薄膜的制备方法。一种量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：在配体修饰的量子点溶液中加入絮凝剂得量子点墨水，其中，所述絮凝剂的浓度为10～30mmol/L；在基体上沉积所述量子点墨水，干燥形成膜体；在所述干燥过程中，所述配体从量子点上脱落；采用溶剂浸本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在配体修饰的量子点溶液中加入絮凝剂得量子点墨水，其中，所述絮凝剂的浓度为10～30mmol/L；在基体上沉积所述量子点墨水，然后干燥形成膜体；在所述干燥过程中，所述配体从量子点上脱落；采用溶剂浸润所述模体，以溶解所述配体和絮凝剂，然后除去溶解有所述配体和絮凝剂的溶剂，即得所述量子点薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在配体修饰的量子点溶液中加入絮凝剂得量子点墨水，其中，所述絮凝剂的浓度为10～30mmol/L；在基体上沉积所述量子点墨水，然后干燥形成膜体；在所述干燥过程中，所述配体从量子点上脱落；采用溶剂浸润所述模体，以溶解所述配体和絮凝剂，然后除去溶解有所述配体和絮凝剂的溶剂，即得所述量子点薄膜。2.根据权利要求1所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述絮凝剂的浓度为15～25mmol/L。3.根据权利要求1所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述配体为聚丙烯酸钠、聚苯乙烯磺酸钠、聚乙烯基磷酸酯钠；所述絮凝剂为氯化钠。4.根据权利要求1-3任一项所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述溶剂为丙二醇、甘油、甲酸中的一种或多种。5.根据权利要求1-3任一项所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述量子点任选自Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料核壳结构、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料核壳结构、Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料或Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料核壳结构。6.根据权利要求5所述的量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述量子点任选自CdS、Cd...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亚文，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44