主动矩阵式影像感测装置制造方法及图纸

一种主动矩阵式影像感测装置包括一影像感测基板以及一闪烁体基板。影像感测基板具有多个影像感测像素。闪烁体基板与影像感测基板相对设置，闪烁体基板具有一第一基板、多个导引件、一反射层及一闪烁晶体层，该些导引件设置于第一基板上，并分别由第一基板朝向影像感测基板突出，且该些导引件分别与该些影像感测像素对应，反射层设置在该些导引件上，闪烁晶体层设置于反射层与影像感测基板之间。

【技术实现步骤摘要】
主动矩阵式影像感测装置
本专利技术关于一种影像感测装置，特别关于一种主动矩阵式影像感测装置。
技术介绍
传统X光成像技术是利用成像胶片接收X光的曝光而成像，但近年来，由于半导体技术的发展，X光成像技术也进化到利用平板式的数字化影像感测面板来成像，即所谓的数字放射造影(DigitalRadiography,DR)技术。将数字放射造影技术的原理简述如下。当X光进入影像感测装置内时，会先经过一闪烁晶体层(Scintillator)，以将X光转变为可见光，再通过感测面板的感光元件(光电二极管)将所感测到的可见光转换成电信号，再从数据线被读出，再经过影像处理后变成一影像。然而，当X光通过闪烁晶体层而被转换成可见光时，可见光的行进并无方向性，并不会沿着原先X光的行进方向前进而完全被感光元件感测到，这将造成影像感测装置的影像解析能力的下降。因此，如何提升X光影像感测装置的影像解析能力，一直是业界努力追求的目标之一。另外，由于可挠性基板(Flexiblesubstrate)的材料逐渐成熟，业者也开始思考将主动矩阵平板感测面板的感光元件制作在可挠性基板的可行性。因此，具有较高的影像解析能力，同时具有可挠性的X光影像感测装置，也是业界努力追求的目标之一。
技术实现思路
本专利技术的目的为提供一种主动矩阵式影像感测装置，可具有较高的影像空间解析能力。本专利技术的目的为提供另一种主动矩阵式影像感测装置，除了具有较高的影像空间解析能力，更具有可挠性而可应用于更多的领域上。本专利技术提出一种主动矩阵式影像感测装置，包括一影像感测基板以及一闪烁体基板。影像感测基板具有多个影像感测像素。闪烁体基板与影像感测基板相对设置，闪烁体基板具有一第一基板、多个导引件、一反射层及一闪烁晶体层，该些导引件设置于第一基板上，并分别由第一基板朝向影像感测基板突出，且该些导引件分别与该些影像感测像素对应，反射层设置在该些导引件上，且闪烁晶体层设置于反射层与影像感测基板之间。在一实施例中，该些导引件形成多个开口，该些开口分别与该些影像感测像素对应设置。在一实施例中，闪烁晶体层具有面向影像感测基板的一顶面，顶面与反射层的最短距离介于20微米至200微米之间。在一实施例中，主动矩阵式影像感测装置更包括一框胶，影像感测基板更具有一第二基板，该些影像感测像素配置于第二基板上，且框胶封闭第一基板与第二基板的外围。在一实施例中，主动矩阵式影像感测装置更包括一粘着层，粘着层设置于影像感测基板与闪烁晶体层之间。本专利技术提出另一种主动矩阵式影像感测装置，包括一影像感测基板、一第一闪烁晶体层以及一第二闪烁晶体层。影像感测基板具有一软性基板，且影像感测基板包含一第一表面及与第一表面相对的一第二表面。第一闪烁晶体层设置于影像感测基板的第一表面上。第二闪烁晶体层设置于影像感测基板的第二表面上。在一实施例中，影像感测基板更具有多个影像感测像素，该些影像感测像素配置于软性基板上。在一实施例中，影像感测像素包含一感光元件及一薄膜晶体管元件，感光元件具有一第一端点电极及一第二端点电极，薄膜晶体管元件具有一第一电极、一第二电极及一栅极，第一电极与一数据线电连接，第二电极与感光元件的第一端点电极电连接，栅极与一扫描线电连接，第二端点电极与一导电层电连接。在一实施例中，第一端点电极与第二端点电极分别为透明电极。在一实施例中，主动矩阵式影像感测装置更包括一反射层，反射层设置于第一闪烁晶体层远离第一表面的一侧，或设置于第二闪烁晶体层远离第二表面的一侧。承上所述，在本专利技术的一种主动矩阵式影像感测装置中，通过在闪烁体基板上具有对应于影像感测基板的像素图案的导引件，并在导引件上形成可反射光线的反射层来限制光线的行进路径，再通过将闪烁晶体层设置于反射层与影像感测基板之间。藉此，相较于已知技术而言，本专利技术的主动矩阵式影像感测装置可具有较高的影像空间解析能力。另外，在本专利技术的另一种主动矩阵式影像感测装置中，影像感测基板具有一软性基板而有可挠性，而第一闪烁晶体层设置于影像感测基板的第一表面上，且第二闪烁晶体层设置于影像感测基板的第二表面上。藉此，相较于比较例的主动矩阵式影像感测装置而言，本专利技术的主动矩阵式影像感测装置在维持相同的光转换率(或光吸收率)的情况下，可具有较高的影像空间解析能力。此外，由于本专利技术的影像感测基板具有可挠性，使得主动矩阵式影像感测装置亦具有可挠性，因此可应用于更多的领域上。附图说明图1为本专利技术一实施例的一种主动矩阵式影像感测装置的剖视示意图。图2A为图1的主动矩阵式影像感测装置中，影像感测基板的一个影像感测像素的结构示意图。图2B为图1的主动矩阵式影像感测装置中，影像感测基板的一个影像感测像素的等效电路示意图。图2C为一实施例的闪烁体基板的立体示意图。图3与图4分别为本专利技术不同实施态样的主动矩阵式影像感测装置的示意图。图5为本专利技术另一实施例的另一种主动矩阵式影像感测装置的示意图。图6A为本专利技术的主动矩阵式影像感测装置的另一示意图。图6B为一种比较例的主动矩阵式影像感测装置的示意图。图7A及图7B分别为图6A与图6B的主动矩阵式影像感测装置的空间解析度比较示意图。具体实施方式以下将参照相关图式，说明依本专利技术实施例的主动矩阵式影像感测装置，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。本专利技术所有实施态样的图示只是示意，不代表真实尺寸与比例。此外，以下实施例的内容中所称的方位“上”及“下”只是用来表示相对的位置关系。再者，一个元件形成在另一个元件“上”、“之上”、“下”或“之下”可包括实施例中的一个元件与另一个元件直接接触，或也可包括一个元件与另一个元件之间还有其他额外元件使一个元件与另一个元件无直接接触。请参照图1至图2B所示，其中，图1为本专利技术一实施例的一种主动矩阵式影像感测装置1的剖视示意图，图2A为图1的主动矩阵式影像感测装置1中，影像感测基板11的一个影像感测像素P的结构示意图，而图2B为图1的主动矩阵式影像感测装置1中，影像感测基板11的一个影像感测像素P的等效电路示意图。主动矩阵式影像感测装置1包括一影像感测基板11以及一闪烁体基板12，两者相对设置。影像感测基板11包含多个影像感测像素P，该些影像感测像素P配置于一基板111上。在实施上，基板111可为一可透光的材质，例如是玻璃、石英或类似物、塑胶、橡胶、玻璃纤维或其他高分子材料，较佳的可为一硼酸盐无碱玻璃基板(aluminosilicateglasssubstrate)。基板111亦可为一不透光的材质，例如是金属-玻璃纤维复合板、金属-陶瓷复合板。如图2A及图2B所示，影像感测像素P包含一扫描线SL、一数据线DL、一感光元件PD及一薄膜晶体管元件T。另外，影像感测像素P更包含一绝缘层IL2、一平坦化层PL及一导电层BL。其中，扫描线SL、数据线DL、感光元件PD、薄膜晶体管元件T、绝缘层IL2、平坦化层PL与导电层BL皆设置于基板111上。需注意的是，图2A与图2B仅绘出1个影像感测像素P，就主动矩阵式影像感测装置1的而言，其可具有多个影像感测像素P呈二维阵列设置，且多条数据线DL与多条扫描线SL是交错设置以分别定义出该些影像感测像素P。数据线DL与扫描线SL交错设置。感光元件PD具有一第一端点电极E1及一第二端点电极E2。第二端点电极E2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，包括：一影像感测基板，具有多个影像感测像素；以及一闪烁体基板，与该影像感测基板相对设置，该闪烁体基板具有：一第一基板；多个导引件，设置于该第一基板上，并分别由该第一基板朝向该影像感测基板突出，且该些导引件分别与该些影像感测像素对应；一反射层，设置在该些导引件上；及一闪烁晶体层，设置于该反射层与该影像感测基板之间。

【技术特征摘要】
1.一种主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，包括：一影像感测基板，具有多个影像感测像素；以及一闪烁体基板，与该影像感测基板相对设置，该闪烁体基板具有：一第一基板；多个导引件，设置于该第一基板上，并分别由该第一基板朝向该影像感测基板突出，且该些导引件分别与该些影像感测像素对应；一反射层，设置在该些导引件上；及一闪烁晶体层，设置于该反射层与该影像感测基板之间。2.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，该些导引件形成多个开口，该些开口分别与该些影像感测像素对应设置。3.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，该闪烁晶体层具有面向该影像感测基板的一顶面，该顶面与该反射层的最短距离介于20微米至200微米之间。4.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，更包括：一框胶，该影像感测基板更具有一第二基板，该些影像感测像素配置于该第二基板上，且该框胶封闭该第一基板与该第二基板的外围。5.如权利要求1所述的主动矩阵式影像感测装置，其特征在于，更包括：一粘着层，设置于该影像感测基板与该闪烁晶体层之间。6.一种主动矩阵式影像感测装...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智濠，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71