当前位置: 首页 > 专利查询>刘国章专利>正文

一种静电探测装置制造方法及图纸

技术编号:17194430 阅读:126 留言:0更新日期:2018-02-03 21:38
本发明专利技术公开了一种静电探测装置,包括感应片、场效应管、三极管和芯片VT66A,所述感应片连接在场效应管的栅极上,所述场效应管的源极与三级管的基极相连,所述三极管的基极连接在电源的负极上且集电极与芯片VT66A的第三引脚相连,所述场效应管的漏极通过第一电阻与VT66A的第一引脚相连且VT66A的第一引脚通过开关与电源正极相连,所述VT66A的第二引脚通过电感与开关相连且电感上并联有电容。其利用感应片对元件进行接触,若有静电,则直接进行泄放并提示,保证元件后续装配的可靠性。

An electrostatic detection device

The invention discloses an electrostatic detection device, including induction plate, FET, transistor and chip VT66A, the induction piece is connected with the FET gate, the FET connected to the source electrode and base three tubes, a base of the transistor is connected to the negative terminal of the power and the collector and the VT66A chip third pin is connected to the FET drain electrode through the first pin of the first pin of the first resistor is connected with the VT66A and the VT66A switch and the positive power supply are connected through the VT66A, the second pin is connected through the inductor and switch and inductance is connected in parallel with a capacitor. It uses the induction plate to contact the component. If there is static electricity, it is directly discharged and prompted to ensure the reliability of the assembly of the components.

【技术实现步骤摘要】
一种静电探测装置
本专利技术涉及探测装置领域,具体涉及一种静电探测装置。
技术介绍
任何在空气中移动的物体都会因不同的带电过程而带上静电。譬如,喷气式飞机所带的电量可达10-7-10-3C。人体在日常生活中也会带静电,置于平台上待装配的器件也会带静电。器件若带电装配,电路焊接完成后,若有回路,静电会对器件造成破坏。
技术实现思路
本专利技术为了解决上述技术问题提供一种静电探测装置。本专利技术通过下述技术方案实现:静电探测装置,其特征在于,包括感应片、场效应管、三极管和芯片VT66A,所述感应片连接在场效应管的栅极上,所述场效应管的源极与三级管的基极相连,所述三极管的基极连接在电源的负极上且集电极与芯片VT66A的第三引脚相连,所述场效应管的漏极通过第一电阻与VT66A的第一引脚相连且VT66A的第一引脚通过开关与电源正极相连,所述VT66A的第二引脚通过电感与开关相连且电感上并联有电容。本方案的感应片直接贴与元件上,若有静电,则场效应管导通,VT66A为声音提示电路,通过上述电路不仅可对有无静电进行提示,也可对静电进行泄放。所述VT66A的第一引脚与电阻之间连接有发光二极管。所述电感为3本文档来自技高网...
一种静电探测装置

【技术保护点】
静电探测装置,其特征在于,包括感应片、场效应管、三极管和芯片VT66A,所述感应片连接在场效应管的栅极上,所述场效应管的源极与三级管的基极相连,所述三极管的基极连接在电源的负极上且集电极与芯片VT66A的第三引脚相连,所述场效应管的漏极通过第一电阻与VT66A的第一引脚相连且VT66A的第一引脚通过开关与电源正极相连,所述VT66A的第二引脚通过电感与开关相连且电感上并联有电容。

【技术特征摘要】
1.静电探测装置,其特征在于,包括感应片、场效应管、三极管和芯片VT66A,所述感应片连接在场效应管的栅极上,所述场效应管的源极与三级管的基极相连,所述三极管的基极连接在电源的负极上且集电极与芯片VT66A的第三引脚相连,所述场效应管的漏极通过第一电阻与VT66A的第一引脚相连且VT66A的第一引脚通过开关与电源正极相连,所述VT66A的第二引脚通...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘国章
申请(专利权)人:刘国章
类型:发明
国别省市:四川,51

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1