可实现缺陷自动调控的电子衍射仪制造技术

本发明专利技术涉及电子衍射仪，提供一种可实现缺陷自动调控的电子衍射仪，包括真空样品室，还包括检测光路、缺陷调控光路以及处理单元，检测光路的三倍频激光由第一入射窗口透射至真空样品室内，缺陷调控光路的二倍频激光由第二入射窗口透射至真空样品室内的样品台上，于真空样品室内还设置有电子枪，电子枪的阴极位于检测光路上，缺陷调控光路上设置有激光脉冲能量调节装置以及激光脉冲扫描装置，处理单元包括接收组件以及控制中心。本发明专利技术的电子衍射仪可对微纳制造过程原位实时无损测量，实现边生长、边检测，且通过对衍射图像处理获得样品表面缺陷信息，并根据此信息反馈调节飞秒激光脉冲能量及扫描位置，进行缺陷的修复，实现边检测、边调控的目的。

An electronic diffractometer for automatic control of defects

【技术实现步骤摘要】
可实现缺陷自动调控的电子衍射仪
本专利技术涉及电子衍射仪，尤其涉及一种可实现缺陷自动调控的电子衍射仪。
技术介绍
先进微纳制造技术作为原始生产力推动着社会的进步，薄膜生长则代表了先进微纳制造业的主要发展方向之一。薄膜生长的典型代表有化学气相沉积、分子束外延、脉冲激光沉积、超快激光微纳加工、电子脉冲曝光、聚焦离子束、纳米焊接/连接等，包括薄膜晶体生长、表面微纳复合结构、二维材料制备等制造手段，是电力电子、显示、半导体照明、仿生材料、微机械、微纳电子、光电子、电子封装、新型太阳能、低维材料及器件、生物制造、超高温传感器等新兴工业的关键材料与核心芯片等技术基础。典型微纳制造过程涉及皮秒至飞秒尺度的化学键的形成或断裂和电子电离、原子吸附与退吸附结构演化、纳米焊接和电子密度(等离子体)的演化。微纳制造又涉及难以测量处在微米到纳米尺度的介观缺陷，甚至处在原子分子结构的纳米到埃尺度的微观缺陷。目前对于微纳制造过程的测量只限于温度、层数、粗糙度等测量，无法对微观过程进行跨时空尺度的实时测量跟踪，从而缺乏对缺陷形成的微观机制进行有效分析和反馈调控，因而对于制造工艺的改进基本依靠传统的试错方法，阻碍了新本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可实现缺陷自动调控的电子衍射仪，包括真空样品室，所述真空样品室内设置有样品台，且所述真空样品室设置有第一入射窗口以及第二入射窗口，其特征在于：还包括用于发射三倍频激光的检测光路、用于发射二倍频激光的缺陷调控光路以及用于分析衍射图像的处理单元，所述检测光路的三倍频激光由所述第一入射窗口透射至所述真空样品室内，所述缺陷调控光路的二倍频激光由所述第二入射窗口透射至所述真空样品室内的所述样品台上，于所述真空样品室内还设置有用于向所述样品台上发射电子脉冲的电子枪，所述电子枪的阴极位于所述检测光路上，所述缺陷调控光路上设置有激光脉冲能量调节装置以及激光脉冲扫描装置，所述处理单元包括用于接收衍射图像的接...

【技术特征摘要】
1.一种可实现缺陷自动调控的电子衍射仪，包括真空样品室，所述真空样品室内设置有样品台，且所述真空样品室设置有第一入射窗口以及第二入射窗口，其特征在于：还包括用于发射三倍频激光的检测光路、用于发射二倍频激光的缺陷调控光路以及用于分析衍射图像的处理单元，所述检测光路的三倍频激光由所述第一入射窗口透射至所述真空样品室内，所述缺陷调控光路的二倍频激光由所述第二入射窗口透射至所述真空样品室内的所述样品台上，于所述真空样品室内还设置有用于向所述样品台上发射电子脉冲的电子枪，所述电子枪的阴极位于所述检测光路上，所述缺陷调控光路上设置有激光脉冲能量调节装置以及激光脉冲扫描装置，所述处理单元包括用于接收衍射图像的接收组件以及分析接收后衍射图像以控制所述激光脉冲能量调节装置以及所述激光脉冲扫描装置的控制中心。2.如权利要求1所述的可实现缺陷自动调控的电子衍射仪，其特征在于：所述电子枪还包括用于控制所述电子脉冲偏转以控制所述电子脉冲入射角的偏转组件，所述电子脉冲的入射角为1～3°。3.如权利要求1所述的可实现缺陷自动调控的电子衍射仪，其特征在于：所述缺陷调控光路上设置有光程延时组件。4.如权利要求1所述的可实现缺陷自动调控的电子衍射仪，其特征在于：所述接收组件包括接收衍射图像的荧光屏、增强所述荧光屏的图像信号的图像增强器以及记录所述图像增强器增强后图像信号的电荷耦合摄像机，所述荧光屏至少部分位于所述真空样品室内，所述图像增强器位于所述荧光屏与所述电荷耦合摄像机之间，且所述电荷耦合摄像机电连接所述控制中心。5.如权利要求1所述的可实现缺陷自动调控的电子衍射仪，其特征在于：还包括激光发射器，所述激光发射器的发出光通过分光光路分...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘胜，李辉，张国庆，申胜男，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42