For the nickel active material, its preparation method and lithium secondary battery two contains the anode including lithium based two battery is disclosed, the active material of nickel particles including two based on the two part of the internal external part with particles having radially arranged structure and has a porous structure the irregular, the inner part of the two particles with pore size than the outside of the two part of the large particles.
【技术实现步骤摘要】
用于锂二次电池的基于镍的活性材料、制备其的方法、和包括包含其的正极的锂二次电池对相关申请的交叉引用本申请要求在韩国知识产权局于2016年7月20日提交的韩国专利申请No.10-2016-0092244和2016年11月30日提交的韩国专利申请No.10-2016-0162292的优先权和权益,将其各自的全部内容引入本文中作为参考。
本公开内容的实施方式的一个或多个方面涉及用于锂二次电池的基于镍的(镍基)活性材料、制备其的方法、和包括包含所述基于镍的活性材料的正极的锂二次电池。
技术介绍
随着便携式电子装置和通讯装置的发展,对于具有高的能量密度的锂二次电池的开发存在高度需要。锂镍锰钴复合氧化物、锂钴氧化物等可在锂二次电池中用作正极活性材料。然而,当使用这样的正极活性材料时,由于随着重复充电/放电循环在一次活性材料颗粒中的裂纹的产生,锂二次电池的寿命可降低。结果,电池电阻可增加且电池容量特性可不为令人满意的。因此,在正极活性材料方面的改善是合乎需要的。
技术实现思路
本公开内容的实施方式的一个或多个方面涉及用于锂二次电池的基于镍的活性材料和制备所述基于镍的活性材料的方法,所述锂二次电池由于在充电/放电循环期间裂纹形成的抑制或减少而具有改善的寿命和降低的电池电阻。本公开内容的实施方式的一个或多个方面涉及包括包含所述基于镍的活性材料的正极的锂二次电池,所述锂二次电池呈现改善的单元电池(cell)性能。额外的方面将部分地在随后的描述中阐明,且部分地将由该描述明晰,或者可通过所呈现的实施方式的实践获悉。本公开内容的一个或多个实例实施方式提供用于锂二次电池的基于镍的活性材料 ...
【技术保护点】
用于锂二次电池的基于镍的活性材料,所述基于镍的活性材料包括二次颗粒,所述二次颗粒具有拥有径向排列的结构的外部部分和拥有不规则的多孔结构的内部部分,所述二次颗粒的内部部分具有比所述二次颗粒的外部部分大的孔尺寸。
【技术特征摘要】
2016.07.20 KR 10-2016-0092244;2016.11.30 KR 10-2011.用于锂二次电池的基于镍的活性材料,所述基于镍的活性材料包括二次颗粒,所述二次颗粒具有拥有径向排列的结构的外部部分和拥有不规则的多孔结构的内部部分,所述二次颗粒的内部部分具有比所述二次颗粒的外部部分大的孔尺寸。2.如权利要求1所述的基于镍的活性材料,其中所述二次颗粒的内部部分的孔尺寸为150nm-1μm,和所述二次颗粒的外部部分的孔尺寸小于150nm。3.如权利要求1所述的基于镍的活性材料,其中所述二次颗粒进一步包括朝向所述二次颗粒的内部部分的中心的具有小于150nm的尺寸的开孔。4.如权利要求1所述的基于镍的活性材料,其中所述基于镍的活性材料包括具有在径向方向上排列的长轴的片颗粒。5.如权利要求4所述的基于镍的活性材料,其中所述片颗粒具有150nm-500nm的平均长度和100nm-200nm的平均厚度,和所述平均厚度对所述平均长度的比率为1:2-1:5。6.如权利要求1所述的基于镍的活性材料,其中所述基于镍的活性材料为由式1表示的活性材料:式1Lia(Ni1-x-y-zCoxMnyMz)O2其中,在式1中,M为选自硼(B)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、铁(Fe)、铜(Cu)、锆(Zr)、和铝(Al)的元素,和a、x、y和z满足以下关系:0.95≤a≤1.3,x≤(1-x-y-z),y≤(1-x-y-z),z≤(1-x-y-z),0<x<1,0≤y<1,和0≤z<1。7.如权利要求6所述的基于镍的活性材料,其中,在式1中,a、x、y和z满足以下关系:0.95≤a≤1.3,0<x≤0.33,0≤y≤0.5,...
【专利技术属性】
技术研发人员:金钟珉,金志允,尹弼相,张东圭,赵广焕,玄章鉐,金珍和,
申请(专利权)人:三星SDI株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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