保护元件制造技术

本发明专利技术的保护元件，供与外部电路电气连接的电极，且于该至少两个电极之间，配置一由至少两种不同熔点的金属层所叠置构成的熔断结构。从而可透过调整不同金属层的质量比的方式控制熔断结构的熔断温度，不但有利于整体保护元件实现产品规格的多样性，且其可使用的金属选择范围较大，足以避开可能产生毒性的金属，有助于保护元件通过RoHS标准。

Protective element

The protection element of the invention is an electrode connected with the external circuit electrically, and a fuse structure consisting of at least two different melting points of metal layer is arranged between the at least two electrodes. The temperature and quality adjustment can fuse different metal layers through the way of controlling the fuse structure ratio, not only conducive to the overall protection elements to realize the diversity of product specifications, and the use of metal a greater range of options, enough to avoid possible toxic metals, helps protect the components through the RoHS standard.

【技术实现步骤摘要】
保护元件
本专利技术有关一种过电流/过电压保护元件，特别是指一种相对较容易控制熔断温度，有利于实现产品规格的多样性的保护元件。
技术介绍
众所周知，一般电流/过电压保护元件(以下统称保护元件)，主要用以保护电路中的电路或电器设施，防止其受到瞬间超额的电流或过高的电压而对精密电子设备造成损坏。当瞬间电流超过预定的电流额值时，保护元件当中以合金材料所完成熔断结构因瞬间过大的电流所产生的热量而被高温烧熔，进而形成断路，使过大的电流不再流入电路中，以保护电路及电器设备免于损坏。已知一种习用保护元件具有在一绝缘基板上的两个电极部，另于该两个电极部的间连接一由低熔点的合金材料所完成的熔断结构，且于该绝缘基板上罩设一至少将该熔断结构遮蔽的外壳，防止熔断结构氧化以及避免周边的电子元件或电路遭烧熔的金属损毁。习用保护元件当中的熔断结构多由纯锡或其他低熔点合金构成，由于其熔点相对较低(小于摄氏245度)，无法满足联合行业标准，不符实际应用；另有同业采用高铅锡合金做为保护元件当中的熔断结构，其虽具备相对较高的熔点(摄氏280~300度)，但却无法通过电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令(theRest本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护元件，在一绝缘基板上设有至少两个供与外部电路电气连接的电极，另有一可供于预先设定温度下熔断的熔断结构电气连接于该至少两个电极之间，以及设有一至少将该熔断结构遮蔽的壳件；其特征在于：该熔断结构由至少两种不同熔点的金属层所叠置构成。

【技术特征摘要】
1.一种保护元件，在一绝缘基板上设有至少两个供与外部电路电气连接的电极，另有一可供于预先设定温度下熔断的熔断结构电气连接于该至少两个电极之间，以及设有一至少将该熔断结构遮蔽的壳件；其特征在于：该熔断结构由至少两种不同熔点的金属层所叠置构成。2.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层及一低熔点金属层。3.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层及一高熔点金属层。4.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。5.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。6.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。7.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一低熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。8.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一低熔点金属层、一高熔点金属层及一高熔点金属层。9.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一低熔点金属层及一高熔点金属层。10.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构由下而上依序设有一高熔点金属层、一高熔点金属层、一高熔点金属层及一低熔点金属层。11.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为30：1~120：1；该铜金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于3~240um。12.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由铜构成的铜金属层；该锡金属层与该铜金属层的体积比为60：1；该铜金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为90um。13.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为50：1~160：1；该镍金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于5~320um。14.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由镍构成的镍金属层；该锡金属层与该镍金属层的体积比为90：1；该镍金属层的厚度为1um；该锡金属层的厚度为90um。15.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为25：1~110：1；该银金属层的厚度介于0.1~2um；该锡金属层的厚度介于2.5~220um。16.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层与该银金属层的体积比为50：1；该银金属层的厚度为1.5um；该锡金属层的厚度为75um。17.如权利要求1所述的保护元件，其特征在于，该熔断结构设有一由锡构成的锡金属层、一由铜构成的铜金属层及一由银构成的银金属层；该锡金属层、该铜金属层及该银金属层的体积比为60：1：1~240：1：1；该铜金属层加上该银金属层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何昌纬，王海峰，
申请(专利权)人：东莞华恒电子有限公司，何昌纬，
类型：发明
国别省市：广东,44