铌酸锂单晶基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种对温度、时间等处理条件的管理容易，且体积电阻率的面内分布极少的铌酸锂(LN)基板及其制造方法。上述制造方法是使用通过切克劳斯基法培育出的铌酸锂单晶来制造LN基板的方法，其特征在于，将单晶中的Fe浓度为50质量ppm以上且1000质量ppm以下并被加工成基板状态的LN单晶埋入Al粉末或者Al和Al2O3的混合粉末中，在350℃以上且小于450℃的温度进行热处理，从而制造出体积电阻率被控制在大于1×10

Lithium niobate single crystal substrate and its manufacturing method

The invention provides a lithium niobate (LN) substrate which is easy to manage, such as temperature, time and other processing conditions, and has very little in-plane distribution of volume resistivity, and a manufacturing method thereof. The manufacturing method is a method for manufacturing LN substrate using lithium niobate single crystal by Che Klaus method developed, which is characterized in that the concentration of Fe in crystal quality is more than 50 ppm and 1000 mass ppm and processed into LN single crystal substrate state in Al or Al powder and Al2O3 powder mixture, heat treatment in the above 350 DEG C and less than 450 DEG C, thus producing a volume resistivity was controlled at greater than 1 x 10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】铌酸锂单晶基板及其制造方法
本专利技术涉及一种用于表面弹性波元件等中的铌酸锂单晶基板，特别是，涉及一种在元件的制造工艺中难以产生低成品率的铌酸锂单晶基板及其制造方法的改进。
技术介绍
铌酸锂(LiNbO3；以下，略称为LN)单晶是熔点约为1250℃、居里(Curie)温度约为1140℃的人造铁电晶体。而且，由LN单晶得到的铌酸锂单晶基板(以下，称为LN基板)的用途是用于表面弹性波元件(SAW滤波器)的材料，该表面弹性波元件用于除去电信号噪声，主要用于移动通信装置中。上述SAW滤波器具有的结构是，在由以LN单晶为代表的压电材料构成的基板上，由AlCu合金等的金属薄膜形成梳状电极。该梳状电极起到影响设备特性的重要作用。另外，上述梳状电极是在通过溅射法等在压电材料上形成金属薄膜后，保留梳状图案，并通过光刻技术蚀刻去除不需要的部分而形成的。另外，作为SAW滤波器材料的LN单晶在工业上通过以下方法得到：主要采用切克劳斯基(Czochralski，CZ)法，通常使用白金坩埚，在氧浓度为20％左右的氮-氧混合气体环境的电炉中培养，在电炉内以规定的冷却速度冷却后，从电炉取出而得到。培育出的LN单晶，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铌酸锂单晶基板，其特征在于，其是体积电阻率被控制在大于1×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.18 JP 2015-1231881.一种铌酸锂单晶基板，其特征在于，其是体积电阻率被控制在大于1×1010Ω·cm且2×1012Ω·cm以下的范围的铌酸锂单晶基板，铌酸锂单晶中的Fe浓度为50质量ppm以上且1000质量ppm以下。2.一种铌酸锂单晶基板的制造方法，其使用通过切克劳斯基法培育出的铌酸锂单晶来制造铌酸锂单晶基板，其特征在于，将单晶中的Fe浓度为50质量ppm以上且1000质量ppm以下并被加工成基板状态的铌酸锂单晶埋入Al粉末或者Al和Al2O...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶谷富男，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP