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本发明提供一种对温度、时间等处理条件的管理容易，且体积电阻率的面内分布极少的铌酸锂(LN)基板及其制造方法。上述制造方法是使用通过切克劳斯基法培育出的铌酸锂单晶来制造LN基板的方法，其特征在于，将单晶中的Fe浓度为50质量ppm以上且100...
该专利属于住友金属矿山株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友金属矿山株式会社授权不得商用。

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