主动阵列开关的制造方法技术
The manufacturing method of active array switch
The present invention provides a method for manufacturing an active switch array, comprising: forming a gate pattern, a gate insulating layer and a semiconductor layer on the substrate; a photoresist layer is formed on the semiconductor layer, remove part of a semiconductor layer to form a semiconductor pattern; dry etching process on the photoresist layer, so that only the middle gate pattern the top left photoresist layer to the semiconductor still covers part of the semiconductor conductor of graphics; graphics from the photoresist layer is exposed by conductor process; remove the gate pattern above the middle of the whole photoresist layer and forming a source electrode and a drain electrode, the semiconductor layer conductor to form overlap region the source drain impedance becomes small, ensure the on state current while reducing the parasitic capacitance of active switch array.
【技术实现步骤摘要】
主动阵列开关的制造方法
本专利技术涉及一种主动阵列开关的制造方法，特别是涉及一种利用半导体层导体化以保持开态电流的主动阵列开关的制造方法。
技术介绍
驱动显示面板的主动阵列开关半导体层目前主要有非晶硅(a-Si)，氧化物(Oxide)和多晶硅(Poly-Si)等。相对于非晶硅，氧化物半导体具有较高的迁移率，较低的漏电；虽多晶硅主动阵列开关迁移率更高，但其成本较高且不合适于目前主流产品的生产线。氧化物半导体主动阵列开关常用的结构有ESL(蚀刻阻挡)，BCE(背沟道蚀刻)，Co-plannerSelf-AlignTopGate(共平面顶栅自对准型)以及DualGate(双栅机)等结构。其中Co-plannerSelf-AlignTopGate主动阵列开关制程难度较大，而DualGate主动阵列开关寄生电容较大，因此在主动阵列开关平板显示应用中，以ESL(蚀刻阻挡)和BCE(背沟道蚀刻)较为常见，但BCE(背沟道蚀刻)结构又具有省一道光罩的优点，是未来发展的重点。然而对于BCE结构，为了保证一定的迁移率，Gate(栅极)与Source/Drain(源漏极)电极往往会有重...
【技术保护点】
一种主动阵列开关的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：于一基板上形成一第一金属层，并图案化所述第一金属层成一栅极图形；于所述基板上形成一栅极绝缘层，以覆盖所述栅极图形；于所述栅极绝缘层上形成一半导体层；于所述半导体层上形成一具有多个厚度的光阻层，其中位于所述栅极图形上方的所述光阻层的厚度大于位于所述栅极图形两侧上方的所述光阻层的厚度；移除部分所述半导体层，以形成一半导体图形；对所述光阻层进行干式蚀刻制程，移除位于所述栅极图形两侧上方的所述光阻层的厚度，留下所述栅极图形上方的所述第一光阻层覆盖部分所述半导体图形；利用导体化制程对所述半导体图形自所述光阻层所露出的部分进行导体化...
【技术特征摘要】
1.一种主动阵列开关的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：于一基板上形成一第一金属层，并图案化所述第一金属层成一栅极图形；于所述基板上形成一栅极绝缘层，以覆盖所述栅极图形；于所述栅极绝缘层上形成一半导体层；于所述半导体层上形成一具有多个厚度的光阻层，其中位于所述栅极图形上方的所述光阻层的厚度大于位于所述栅极图形两侧上方的所述光阻层的厚度；移除部分所述半导体层，以形成一半导体图形；对所述光阻层进行干式蚀刻制程，移除位于所述栅极图形两侧上方的所述光阻层的厚度，留下所述栅极图形上方的所述第一光阻层覆盖部分所述半导体图形；利用导体化制程对所述半导体图形自所述光阻层所露出的部分进行导体化成为一导体层；移除所述栅极图形上方的全部所述光阻层；以及于所述半导体图形、所述导体层和所述栅极绝缘层上形成一第二金属层，并图案化所述第二金属层，以形成一源极和一漏极。2.如权利要求1所述的主动阵列开关的制造方法，其特征在于，形成所述具有多个厚度的光阻层的步骤包括：于所述半导体层上形成一感光材料层，使用一半色调式光罩对所述感光材料层进行一曝光制程，以及进行一显影制程。3.如权利要求1所述的主动阵列开关的制造方法，其特征在于，形成所述具有多个厚度的光阻层的步骤包括：于所述半导体层上形成一感光材料层，使用灰色调式光罩对所述感光材料层进行一曝光制程，以及进行一显影制程。4.如权利要求1所述的主动阵列开关的制造方法，其特征在于，所述半导体层为金属氧化物半导体层。5.如权利要求4所述的主动阵列开关的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层的金属包括II-VI族元素及其化合物所组成的群组。6.如权利要求5所述的主动阵列开关的制...
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