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本发明提供了一种主动阵列开关的制造方法，包括：于基板上形成栅极图形、栅极绝缘层以及半导体层；于半导体层上形成一光阻层，移除部分半导体层，以形成半导体图形；对光阻层进行干式蚀刻制程，使只有栅极图形中间上方留下来的光阻层仍覆盖部分半导体图形；利...
该专利属于惠科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过惠科股份有限公司授权不得商用。

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