一种综合保护装置及金属隔离均热板制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种综合保护装置及金属隔离均热板，包括：散热底板，所述IGBT电力半导体设置在所述散热底板的上表面；至少一个引出端子，固定设置在所述IGBT电力半导体器件的上表面；金属隔离均热板，形状为Π型，两端与所述散热底板紧密相连，构成一个热传导闭合回路，用以将所述IGBT电力半导体器件的工作温度传导到所述散热底板；上述技术方案具有如下优点或有益效果：真正实现不依靠外围电路，直接从IGBT芯片封装成的器件完成综合精准保护，提高了IGBT电力半导体器件的功率密度和可靠性。

A comprehensive protective device and metal isolating plate

The utility model discloses a comprehensive protection device and the metal isolation are hot plate, which comprises a heat dissipation bottom, the IGBT power semiconductor is arranged on the upper surface of the substrate; at least one terminal is fixedly arranged on the upper surface of the IGBT power semiconductor devices; metal isolation are hot plate shape PI, is closely connected with the both ends of the radiating bottom plate to form a heat conduction, closed loop, to the working temperature of the IGBT transmission of power semiconductor devices to the substrate; the technical scheme has the following advantages: true or beneficial effect does not depend on the peripheral circuit, the device directly from the IGBT chip package the completion of the comprehensive accurate protection, improve the power density and reliability of IGBT power semiconductor devices.

【技术实现步骤摘要】
一种综合保护装置及金属隔离均热板
本技术涉及IGBT器件制备领域，尤其涉及一种综合保护装置及金属隔离均热板。
技术介绍
目前IGBT电力半导体器件失效、损坏主要形式有过温、过流和短路。造成IGBT电力半导体器件过温损坏的是器件的热疲劳现象，原因有散热设计不当，驱动电路设计不合理，外界负载发生的变化等。形成IGBT电力半导体器件过流、短路损坏的原因是负载绝缘不良，外界杂物引起的桥路短路和感性负载发生的关断峰值电压等。以上的失效损坏形式已经包含了IGBT电力半导体器件的95％以上的失效损坏范围。特别需要注意的是IGBT电力半导体器件在组成多芯片联合工作，如逆变、变频，交-直-交3电平PWM大容量变频传动装置时，只要有一个IGBT电力半导体器件损坏，就会引起整体模块的损坏。IGBT电力半导体器件必定是长期、高可靠工作，以确保安全。当前一般都在电力半导体器件外围设置一些驱动电路，包括各种保护电路。但此类驱动电路或者专业IC驱动器并不与IGBT电力半导体器件在同一物理环境下工作。因此对器件所产生的各种失效损坏感应速度，综合处理能力等存在不一致性。
技术实现思路
本技术针对现有技术的局限性，提供一种综合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种综合保护装置，应用于工业级的IGBT电力半导体器件的芯片封装过程中，其特征在于，包括：散热底板，所述IGBT电力半导体器件设置在所述散热底板的上表面；至少一个引出端子，分别固定设置在所述IGBT电力半导体器件的上表面；金属隔离均热板，形状为Π型，两端与所述散热底板紧密相连，构成一个热传导闭合回路；功能保护PCB板，设置在所述IGBT电力半导体器件上并与所述引出端子相连。

【技术特征摘要】
1.一种综合保护装置，应用于工业级的IGBT电力半导体器件的芯片封装过程中，其特征在于，包括：散热底板，所述IGBT电力半导体器件设置在所述散热底板的上表面；至少一个引出端子，分别固定设置在所述IGBT电力半导体器件的上表面；金属隔离均热板，形状为Π型，两端与所述散热底板紧密相连，构成一个热传导闭合回路；功能保护PCB板，设置在所述IGBT电力半导体器件上并与所述引出端子相连。2.如权利要求1所示的综合保护装置，其特征在于，所述功能保护PCB板紧贴固定在所述IGBT电力半导体器件的上表面。3.如权利要求1所示的综合保护装置，其特征在于，所述功能保护PCB板以嵌入式的形式封装于所述IGBT电力半导体器件内。4.如权利要求1所示的综合保护装置，其特征在于，所述散热底板上设置有多个具有不同形状的安装槽，每个所述安装槽用于适配安装一个具有对应的功率等级...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨友林，陈勤华，
申请(专利权)人：上海一旻成峰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31