一种综合保护装置、制备方法以及金属隔离均热板制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种综合保护装置、制备方法以及金属隔离均热板，包括：散热底板，IGBT电力半导体设置在散热底板的上表面；至少一个引出端子，固定设置在IGBT电力半导体器件的上表面；金属隔离均热板，形状为Π型，两端与散热底板紧密相连，构成一个热传导闭合回路。上述技术方案具有如下优点或有益效果：真正实现不依靠外围电路，直接从IGBT芯片封装成的器件完成综合精准保护，提高了IGBT电力半导体器件的功率密度和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种综合保护装置、制备方法以及金属隔离均热板
本专利技术涉及IGBT器件制备领域，尤其涉及一种综合保护装置、制备方法以及金属隔离均热板。
技术介绍
目前IGBT电力半导体器件失效、损坏主要形式有过温、过流和短路。造成IGBT电力半导体器件过温损坏的是器件的热疲劳现象，原因有散热设计不当，驱动电路设计不合理，外界负载发生的变化等。形成IGBT电力半导体器件过流、短路损坏的原因是负载绝缘不良，外界杂物引起的桥路短路和感性负载发生的关断峰值电压等。以上的失效损坏形式已经包含了IGBT电力半导体器件的95％以上的失效损坏范围。特别需要注意的是IGBT电力半导体器件在组成多芯片联合工作，如逆变、变频，交-直-交3电平PWM大容量变频传动装置时，只要有一个IGBT电力半导体器件损坏，就会引起整体模块的损坏。IGBT电力半导体器件必定是长期、高可靠工作，以确保安全。当前一般都在电力半导体器件外围设置一些驱动电路，包括各种保护电路。但此类驱动电路或者专业IC驱动器并不与IGBT电力半导体器件在同一物理环境下工作。因此对器件所产生的各种失效损坏感应速度，综合处理能力等存在不一致性。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种综合保护装置，应用于工业级的IGBT电力半导体器件的芯片封装过程中，其特征在于，包括：散热底板，所述IGBT电力半导体器件设置在所述散热底板的上表面；至少一个引出端子，分别固定设置在所述IGBT电力半导体器件的上表面；金属隔离均热板，形状为Π型，两端与所述散热底板紧密相连，构成一个热传导闭合回路，用以将所述IGBT电力半导体器件的工作温度传导到所述散热底板；功能保护PCB板，设置在所述IGBT电力半导体器件上并与所述引出端子相连，用以对所述IGBT电力半导体器件的工作温度进行传导。

【技术特征摘要】
1.一种综合保护装置，应用于工业级的IGBT电力半导体器件的芯片封装过程中，其特征在于，包括：散热底板，所述IGBT电力半导体器件设置在所述散热底板的上表面；至少一个引出端子，分别固定设置在所述IGBT电力半导体器件的上表面；金属隔离均热板，形状为Π型，两端与所述散热底板紧密相连，构成一个热传导闭合回路，用以将所述IGBT电力半导体器件的工作温度传导到所述散热底板；功能保护PCB板，设置在所述IGBT电力半导体器件上并与所述引出端子相连，用以对所述IGBT电力半导体器件的工作温度进行传导。2.如权利要求1所示的综合保护装置，其特征在于，所述功能保护PCB板紧贴固定在所述IGBT电力半导体器件的上表面。3.如权利要求1所示的综合保护装置，其特征在于，所述功能保护PCB板以嵌入式的形式封装于所述IGBT电力半导体器件内。4.如权利要求1所示的综合保护装置，其特征在于，所述散热底板上设置有多个具有不同形状的安装槽，每个所述安装槽用于适配安装一个具有对应的功率等级的所述IGBT电力半导体器件；所述散热底板适用于采用DBC方式封装的所述IGBT电力半导体器件或者采用塑封方式封装的所述IGBT电力半导体器件。5.如权利要求1所示的综合保护装置，其特征在于，所述散热底板上设置有多个所述IGBT电力半导体器件，每个所述IGBT电力半导体器件上分别对应设置有一个所述功能保护PCB板，以及每...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨友林，陈勤华，
申请(专利权)人：上海一旻成峰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31