画素结构制造技术

本发明专利技术公开一种用于液晶显示器具有多域垂直排列的画素结构，包含具有负介电异向性常数的液晶分子的多个画素。对每个画素而言，每个画素电极以及每个共用电极分割为至少N个对应的区域，且每个区域由方向性奈米线栅偏光图案形成。画素电极的每个区域的方向性奈米线栅偏光图案具有第一延伸方向。共用电极的每个区域的方向性奈米线栅偏光图案具有第二延伸方向，第二延伸方向实质上垂直于对应的第一延伸方向。当画素电极由电压差驱动时，方向性奈米线栅偏光图案作用为偏光片。

Pixel structure

Pixel structure with multi domain vertical alignment of the invention discloses a liquid crystal display, comprising a plurality of negative dielectric anisotropy constant of the liquid crystal molecules of pixel. For each pixel, each pixel electrode and the common electrode of each segment is at least N corresponding regions, and each region by the direction of the nanowire grid polarizer pattern formation. Each area of the pixel electrodes in the direction of the nanowire grid polarizer pattern with a first direction. The direction of each area of the common electrode has second extension directions, and the second extension direction is essentially perpendicular to the corresponding first extension direction. When the pixel electrode is driven by the voltage difference when the direction of the nanowire gate pattern for polarizing polarizer.

【技术实现步骤摘要】
画素结构
本专利技术是有关于液晶显示器(liquidcrystaldisplay,LCD)技术，更具体而言，是有关于具有使用方向性奈米线栅偏光图案(nanowiregridpolarizer,NWGP)并具有多域垂直排列(multipledomainverticalaligment)模式的画素结构的液晶显示器，其中各区域的方向性奈米线栅偏光图案的光轴各不相同。
技术介绍
此处提供的先前技术，总体上乃为发表本专利技术的内容。在先前技术的段落中，若描述到本专利技术专利技术人的成果，则其相关描述不应被认定为申请日时的先前技术，于此描述并非默认或暗示其为有关本专利技术的先前技术。目前，液晶显示器(liquidcrystaldisplay,LCD)为常用的显示装置。液晶显示器可以在低耗电的情形下显示出良好的影像品质，因此常被当作使用电池的电子装置的显示器，诸如膝上型电脑、行动电话、数位相机以及其他可携式装置。在垂直排列(verticalaligned,VA)液晶显示器中，画素结构由负液晶材料(negativeliquidcrystalmaterial)以及垂直配向膜形成。当未施加电压时，液晶分子沿垂直方向排列，而液晶显示器显示黑屏。另一方面，当施加一预设电压时，液晶分子沿着水平方向排列，而液晶显示器显示白屏。VA液晶显示器提供的显示对比度高于扭向(twistednematic,TN)液晶显示器所提供的对比度，且VA液晶显示器的响应时间亦相对快速。VA液晶显示器亦提供全黑或全白显示器绝佳的可视角度。VA液晶显示器因此成为液晶显示器中一个备受瞩目的新风尚。然而，VA液晶显示器的画素结构在彩色滤光基板上需要有一层突出层(或凸块层)将液晶层分割为多个区域，以避免在有效视角之外(off-viewingangle)出现灰阶转换(grayscaleinversion)。然由于偏光片的偏光轴角度是固定的，很大部分的液晶和偏光轴夹角非较佳角度，造成液晶显示器的低透光率。因此，综自古迄今本领域中的缺陷与不足，克服上述问题的需求不言可喻。
技术实现思路
本专利技术的一面向有关于一种画素结构，包含第一基板、第二基板以及液晶层。第一基板与第二基板两者彼此分隔。液晶层设置于第一基板以及第二基板之间，并具有多个液晶分子。在一些实施方式中，液晶层定义出多个画素，其中每一画素包含画素电极、共用电极、薄膜电晶体以及突出物。画素电极设置于第一基板上并面朝液晶层，其中画素电极分割为N个第一区域，N为大于或等于8的正整数。共用电极设置于第二基板上并面朝液晶层，其中共用电极分割为N个第二区域，共用电极的N个第二区域的每一者沿着垂直于第一基板的垂直方向对应至画素电极的N个第一区域中的一对应者，其中画素电极的N个第一区域的每一者以及共用电极的N个第二区域的每一者由方向性奈米线栅偏光图案形成。画素电极的N个第一区域的每一者的方向性奈米线栅偏光图案具有实质上垂直于垂直方向的第一延伸方向，其中N个第一区域的方向性奈米线栅偏光图案的第一延伸方向互不相同，第一区域中的两相邻者各自的方向性奈米线栅偏光图案的第一延伸方向夹了约(360/N)度角。共用电极的N个第二区域的方向性奈米线栅偏光图案具有实质上垂直于垂直方向的第二延伸方向，且第二延伸方向垂直于画素电极中对应的第一区域的方向性奈米线栅偏光图案的第一延伸方向。薄膜电晶体设置于第一基板上，具有闸极、源极以及汲极，其中薄膜电晶体的汲极电性连接至画素电极的N个第一区域的方向性奈米线栅偏光图案。突出物设置于共用电极上，并面朝液晶层，其中共用电极的N个第二区域绕着突出物设置。当画素电极以及共用电极由薄膜电晶体提供的电压差驱动时，N个第一区域以及N个第二区域的方向性奈米线栅偏光图案作用为多个偏光片。在一些实施方式中，每一画素进一步包含彩色滤光层以及黑色矩阵。彩色滤光层设置于第二基板以及共用电极之间。黑色矩阵设置于第二基板上面朝液晶层，且黑色矩阵位于画素之间，且于垂直第一基板方向上黑色矩阵和方向性奈米线栅偏光图案不重叠。在一些实施方式中，方向性奈米线栅偏光图案的线栅间距不大于200奈米。在一些实施方式中，液晶层沿着垂直方向的厚度介于2～5微米，且突出物具有宽度以及高度，宽度介于5～15微米而高度介于1.0～1.4微米。在一些实施方式中，每一画素进一步包含：储存电容电极以及钝化层。储存电容电极设置于第一基板以及画素电极之间。钝化层设置于储存电容电极以及画素电极之间，其中储存电容电极由方向性奈米线栅偏光图案形成。在一些实施方式中，储存电容电极被分为N个第三区域，储存电容电极的N个第三区域的每一者沿着垂直方向对应至画素电极的N个第一区域中的对应者。储存电容电极的N个第三区域的每一者由方向性奈米线栅偏光图案形成。储存电容电极的N个第三区域的每一者的方向性奈米线栅偏光图案具有第三延伸方向，第三延伸方向与画素电极中对应的第一区域的第一延伸方向相同。在一些实施方式中，液晶层的液晶分子具有负介电常数异向性。在一些实施方式中，本专利技术的另一面向提供一种液晶显示器的画素结构。在一些实施方式中，画素结构，包含第一基板、第二基板以及液晶层。第一基板以及第二基板彼此分隔。液晶层设置于第一基板以及第二基板之间并具有多个液晶分子。在一些实施方式中，液晶层定义出多个画素，且每一画素包含两个次画素，其中每一画素包含画素电极、共用电极、两个薄膜电晶体以及两个突出物。画素电极，设置于第一基板上并面朝该液晶层，其中画素电极包含两个次画素电极，且两个次画素电极的每一者分割为N个第一区域，使得画素电极包含2*N个第一区域，N为大于或等于8的正整数。共用电极设置于第二基板上并面朝液晶层，其中共用电极分割为2*N个第二区域，每一共用电极的2*N个第二区域沿着实质上垂直于第一基板的垂直方向对应至画素电极的2*N个第一电极的一对应者，其中画素电极的2*N个第一区域的每一者以及共用电极的2*N个第二区域的每一者由方向性奈米线栅偏光图案形成。画素电极的2*N个第一区域的方向性奈米线栅偏光图案的每一者具有实质上垂直于垂直方向的第一延伸方向，其中两个次画素电极中的每一者的N个第一区域的方向性奈米线栅偏光图案的第一延伸方向彼此不同，且对两个该些次画素电极的每一者的N个第一区域中的一者而言，该者的方向性奈米线栅偏光图案的第一延伸方向与两相邻的第一区域的方向性奈米线栅偏光图案的第一延伸方向各夹约(360/N)度角。共用电极的2*N个第二区域的每一者的方向性奈米线栅偏光图案具有第二延伸方向，第二延伸方向实质上垂直于垂直方向以及画素电极的第一区域的一对应者的方向性奈米线栅偏光图案的第一延伸方向。两个薄膜电晶体设置于第一基板上，各自具有闸极、源极以及汲极，其中两个薄膜电晶体的汲极各自电性连接至两个次画素电极的N个第一区域的方向性奈米线栅偏光图案。两个突出物设置于共用电极上并面朝液晶层，其中共用电极的2*N个第二区域分为两群围绕两个突出物设置。其中当画素电极以及共用电极由两个薄膜电晶体所提供的电压差驱动时，2*N个第一区域的方向性奈米线栅偏光图案以及2*N个第二区域作用为偏光片，使得介于2*N个第一区域以及对应的第二区域之间的液晶分子的方向与第一延伸方向夹约360/N度角，而与第二延伸方向夹约360/N度角。在一些实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种画素结构，其特征在于，包含：一第一基板以及一第二基板，两者彼此分隔；以及一液晶层，设置于该第一基板以及该第二基板之间，并具有多个液晶分子，该液晶层定义出多个画素，其中每一该些画素包含：一画素电极，设置于该第一基板上并面朝该液晶层，其中该画素电极分割为N个第一区域，N为大于或等于8的正整数；一共用电极，设置于该第二基板上并面朝该液晶层，其中该共用电极分割为N个第二区域，该共用电极的该N个第二区域的每一者沿着垂直于该第一基板的一垂直方向对应至该画素电极的该N个第一区域中的一对应者，其中：该画素电极的该N个第一区域的每一者以及该共用电极的该N个第二区域的每一者由一方向性奈米线栅偏光图案形成；该画素电极的该N个第一区域的每一者的该方向性奈米线栅偏光图案具有实质上垂直于该垂直方向的一第一平面方向，其中该N个第一区域的该些方向性奈米线栅偏光图案的该些第一延伸方向互不相同，该些第一区域中的两相邻者各自的该些方向性奈米线栅偏光图案的该第一延伸方向夹了约(360/N)度角；以及该共用电极的该N个第二区域的该方向性奈米线栅偏光图案具有实质上垂直于该垂直方向的一第二延伸方向，且该第二延伸方向垂直于该画素电极中对应的该第一区域的该方向性奈米线栅偏光图案的该第一延伸方向；一薄膜电晶体，设置于该第一基板上，具有一闸极、一源极以及一汲极，其中该薄膜电晶体的该汲极电性连接至该画素电极的该N个第一区域的该些方向性奈米线栅偏光图案；以及一突出物，设置于该共用电极上，并面朝该液晶层，其中该共用电极的该N个第二区域绕着该突出物设置；其中当该画素电极以及该共用电极由该薄膜电晶体提供的一电压差驱动时，该N个第一区域以及该N个第二区域的该些方向性奈米线栅偏光图案作用为偏光片。...

【技术特征摘要】
2016.10.21 US 15/331,0121.一种画素结构，其特征在于，包含：一第一基板以及一第二基板，两者彼此分隔；以及一液晶层，设置于该第一基板以及该第二基板之间，并具有多个液晶分子，该液晶层定义出多个画素，其中每一该些画素包含：一画素电极，设置于该第一基板上并面朝该液晶层，其中该画素电极分割为N个第一区域，N为大于或等于8的正整数；一共用电极，设置于该第二基板上并面朝该液晶层，其中该共用电极分割为N个第二区域，该共用电极的该N个第二区域的每一者沿着垂直于该第一基板的一垂直方向对应至该画素电极的该N个第一区域中的一对应者，其中：该画素电极的该N个第一区域的每一者以及该共用电极的该N个第二区域的每一者由一方向性奈米线栅偏光图案形成；该画素电极的该N个第一区域的每一者的该方向性奈米线栅偏光图案具有实质上垂直于该垂直方向的一第一平面方向，其中该N个第一区域的该些方向性奈米线栅偏光图案的该些第一延伸方向互不相同，该些第一区域中的两相邻者各自的该些方向性奈米线栅偏光图案的该第一延伸方向夹了约(360/N)度角；以及该共用电极的该N个第二区域的该方向性奈米线栅偏光图案具有实质上垂直于该垂直方向的一第二延伸方向，且该第二延伸方向垂直于该画素电极中对应的该第一区域的该方向性奈米线栅偏光图案的该第一延伸方向；一薄膜电晶体，设置于该第一基板上，具有一闸极、一源极以及一汲极，其中该薄膜电晶体的该汲极电性连接至该画素电极的该N个第一区域的该些方向性奈米线栅偏光图案；以及一突出物，设置于该共用电极上，并面朝该液晶层，其中该共用电极的该N个第二区域绕着该突出物设置；其中当该画素电极以及该共用电极由该薄膜电晶体提供的一电压差驱动时，该N个第一区域以及该N个第二区域的该些方向性奈米线栅偏光图案作用为偏光片。2.如权利要求1所述的画素结构，其特征在于，每一该些画素进一步包含：一彩色滤光层，设置于该第二基板以及该共用电极之间；以及一黑色矩阵，设置于该第二基板上面朝该液晶层，其中该黑色矩阵位于该些画素之间，且于垂直该第一基板方向上该黑色矩阵和该些方向性奈米线栅偏光图案不重叠。3.如权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该方向性奈米线栅偏光图案的一线栅间距不大于200奈米。4.如权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该液晶层沿着该垂直方向的一厚度约介于2～5微米，且该突出物具有一宽度以及一高度，该宽度约介于5～15微米而该高度介于1.0～1.4微米。5.如权利要求1所述的画素结构，其特征在于，每一该些画素进一步包含：一储存电容电极，设置于该第一基板以及该画素电极之间；以及一钝化层，设置于该储存电容电极以及该画素电极之间，其中该储存电容电极由该方向性奈米线栅偏光图案形成。6.如权利要求5所述的画素结构，其特征在于，该储存电容电极被分为N个第三区域，该储存电容电极的该N个第三区域的每一者沿着该垂直方向对应至该画素电极的该N个第一区域中的一对应者；该储存电容电极的该N个第三区域的每一者由该方向性奈米线栅偏光图案形成；以及该储存电容电极的该N个第三区域的每一者的该方向性奈米线栅偏光图案具有一第三延伸方向，该第三延伸方向与该画素电极中对应的该第一区域的该第一延伸方向相同。7.如权利要求1所述的画素结构，其特征在于，该液晶层的该些液晶分子具有一负介电常数异向性。8.一种画素结构，其特征在于，包含：一第一基板以及一第二基板，两者彼此分隔；以及一液晶层，设置于该第一基板以及该第二基板之间并具有多个液晶分子，该液晶层定义出多个画素，且每一该些画素包含两个次画素，其中每一该些画素包含：一画素电极，设置于该第一基板上并面朝该液晶层，其中该画素电极包含两个次画素电极，且两个该些次画素电极的每一者分割为N个第一区域，使得该画素电极包含该2*N个第一区域，N为大于或等于8的正整数；一共用电极，设置于该第二基板上并面朝液晶层，其中该共用电极分割为2*N个第二区域，每一该共用电极的该2*N个第二区域沿着实质上垂直于该第一基板的垂直方向对应至该画素电极的该2*N个第一电极的一对应者，其中：该画素电极的该2*N个第一区域的每一者以及该共用电极的该2*N个第二区域的每一者由方向性奈米线栅偏光图案形成；该画素电极的该2*N个第一区域的该些方向性奈米线栅偏光图案的每一者具有实质上垂直于该垂直方向的一第一延伸方向，其中两个该些次画素电极中的每一者的该N个第一区域的该些方向性奈米线栅偏光图案的该些第一延伸方向彼此不同，且对两个该些次画素电极的每一者的该N个第一区域中的一者而言，该者的该方向性奈米线栅偏光图案的该第一延伸方向与两相邻的该些第一区域的该些方向性奈米线栅偏光图案的该些第一延伸方向各夹约(360/N)度角；以及该共用电极的该2*N个第二区域的每一者的该方向性奈米线栅偏光图案具有一第二延伸方向，该第二延伸方向实质上垂直于该垂直方向以及该画素电极的该些第一区域的一对应者的该方向性奈米线栅偏光图案的该第一延伸方向；两个薄膜电晶体，设置于该第一基板上，各自具有一闸极、一源极以及一汲极，其中两个该些薄膜电晶体的该些汲极各自电性连接至两个该些次画素电极的该N个...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锡烈，罗方祯，艾迪尔·艾比里，威廉·丹·波尔，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71