一种新型量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术适用于量子点发光二极管，提供了一种量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括从下往上依次相邻设置的衬底、第一电极层、第一电荷传输层、量子点发光层、第二电荷传输层、第二电极层。其特征在于，所述量子点发光二极管中的电荷传输层和量子点发光层不再是平面化堆砌结构，而是引入了周期或准周期性排列的纳米凹凸结构，且其折射率沿光出射方向呈梯度变化，实现光提取功能。本发明专利技术有效的提高了量子点发光二极管的外量子效率。

A new quantum dot light emitting diode and its preparation method

The invention is suitable for quantum dot light emitting diodes, and provides a quantum dot light emitting diode and a preparation method. The quantum dot light emitting diode comprises a substrate, a first electrode layer, a first charge transport layer, a quantum dot light-emitting layer, a second charge transport layer and a second electrode layer from the bottom up side by side. It is characterized in that the light-emitting quantum dots and quantum dot charge transport layer diode light-emitting layer is no longer flat and compact structure, but the introduction of periodic or quasi periodic nano concave convex structure is arranged, and the refractive index along the direction of light emission gradient, realize the function of light extraction. The invention effectively improves the external quantum efficiency of the quantum dot light emitting diode.

【技术实现步骤摘要】
一种新型量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术属于量子点发光二极管领域，尤其涉及一种新型量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管是基于半导体量子点材料的电致发光器件，具有发光效率高、色纯度高、发光颜色简单可调，以及制备工艺简单可实现大规模制备等优点。近年来，量子点发光二极管以及量子点材料得到了广泛的关注，量子点发光二极管被誉为继LED、OLED之后的下一代显示技术。量子效率是衡量电致发光器件的重要参数。量子点发光二极管的量子效率可以分为外量子效率（EQE）和内量子效率(IQE),而外量子效率是取决于内量子效率和光提取效率的乘积。如今，随着量子点材料和量子点发光二极管的不断研究，量子点发光二极管的内量子效率已经接近100%，然而由于各功能层之间、各功能层/玻璃衬底之间、玻璃衬底/空气之间存在折射率差异，导致发生内部全反射现象，量子点发光二极管的外量子效率只能达到20%左右，因而大大限制了量子点发光二极管的实际应用。为了进一步提高量子点发光二极管的外量子效率，一个有效的方法是提高它的光提取效率。
技术实现思路
基于此，本专利技术的目的在于提供一种新型量子点发光二极管及其制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型量子点发光二极管，包括：衬底，设置在所述衬底上的第一电极层，设置在所述第一电极层上的第一电荷传输层，设置在所述第一电荷传输层上的量子点发光层，设置在所述量子点发光层的第二电荷传输层，设置在所述电子传输层上的第二电极层，其特征在于，所述的第一电荷传输层、量子点发光层、第二电荷传输层在一表面呈纳米凹凸结构。

【技术特征摘要】
1.一种新型量子点发光二极管，包括：衬底，设置在所述衬底上的第一电极层，设置在所述第一电极层上的第一电荷传输层，设置在所述第一电荷传输层上的量子点发光层，设置在所述量子点发光层的第二电荷传输层，设置在所述电子传输层上的第二电极层，其特征在于，所述的第一电荷传输层、量子点发光层、第二电荷传输层在一表面呈纳米凹凸结构。2.根据权利要求1所述一种新型量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米凹凸结构呈周期或准周期性排列，且其折射率沿光出射方向呈梯度变化。3.根据权利要求1一种新型量子点发光二极管，其特征在于，所述纳米凹凸结构周期范围不大于400nm,所述纳米凹凸结构尺寸不大于1000nm,优选为不大于800nm，所述纳米凹凸结构厚度不大于功能层厚度。4.根据权利要求1所述一种新型量子点发光二极管，其特征在于，对于正置型量子点发光二极管，所述第一电荷传输层为空穴传输层，所述第二电荷传输层为电子传输层；对于倒置型量子点发光二极管，所述所述第一电荷传输层为电子传输层，所述第二电荷传输层为空穴传输层。5.一种根据权利要求1所述的量子点发光二极管制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S1,准备一衬底；S2,在所述衬底上制作第一电极层；S3,在所述第一电极层上依次沉积所述第一电荷传输层，量子点发光层，第二电荷传输层；S4，在所述第二电荷传输层上制作第二电极层；S5，完成量子点发光二极管的制作。6.根据权利要求5所述量子点发光二极管制作...

【专利技术属性】
技术研发人员：张芹，顾小兵，蒋杰，李清华，李龙翔，纪丽珊，
申请(专利权)人：南昌航空大学，
类型：发明
国别省市：江西,36