一种Cu-Cr-Fe真空触头材料的制备方法技术

本发明专利技术公开的一种Cu‑Cr‑Fe真空触头材料的制备方法，包括以下步骤，按合金重量的重量比分别称取Cr、Fe和Cu；将真空雾化炉内的熔炼室和雾化室抽至真空状态，再将三种原料放入熔炼室的石墨坩埚中，并向熔炼室充入N

【技术实现步骤摘要】
一种Cu-Cr-Fe真空触头材料的制备方法
本专利技术属于真空触头材料的制备方法
，具体涉及一种Cu-Cr-Fe真空触头材料的制备方法。
技术介绍
Cu-Cr-Fe合金是我国自主研发的大容量真空断路器用真空触头材料，具有开断电流能力强，耐电压强度高，且截流值降低、抗熔焊好、抗电磨损好等优良特性，目前已大量用于10kV、31.5kA级的真空断路器灭弧室中；并且，由于它的高耐电压强度，35kV、20kA和25kA级真空断路器灭弧室中也得到了广泛应用。而现有的Cu-Cr-Fe合金制备普遍采用熔铸法与粉末冶金法，但由于Cu-Cr-Fe合金是一种多组元铜合金，凝固速度过慢容易出现成分偏析和粗大的树枝晶，降低合金的力学性能；同时，合金制备过程中易发生氧化，同样容易导致成分偏析。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种Cu-Cr-Fe真空触头材料的制备方法，解决了现有的制备方法得到的Cu-Cr-Fe合金成分偏析和晶粒粗大的问题。本专利技术所采用的技术方案是：一种Cu-Cr-Fe真空触头材料的制备方法，包括以下步骤，步骤1：按合金重量的重量比分别称取2％～4％的Cr、0.3％的Fe、余量Cu，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Cu‑Cr‑Fe真空触头材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，步骤1：按合金重量的重量比分别称取2％～4％的Cr、0.3％的Fe、余量Cu，进行配料；步骤2：将真空雾化炉内的熔炼室和雾化室抽至真空状态，再将步骤1中称取的三种原料放入熔炼室的石墨坩埚中，并向熔炼室充入N2作为保护气体，加热石墨坩埚使三种原料完全熔化得到合金液，并保温10min；步骤3：调节雾化压力为5MPa，将步骤2中得到的合金液通过石墨喷嘴喷入雾化室，石墨喷嘴的直径为3～5mm，雾化破碎得到合金粉末；步骤4：将步骤3中得到的合金粉末进行筛选，得到粒径不大于75μm的合金粉末，之后预压制粒径不大于75μm的合金粉末，压制...

【技术特征摘要】
1.一种Cu-Cr-Fe真空触头材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，步骤1：按合金重量的重量比分别称取2％～4％的Cr、0.3％的Fe、余量Cu，进行配料；步骤2：将真空雾化炉内的熔炼室和雾化室抽至真空状态，再将步骤1中称取的三种原料放入熔炼室的石墨坩埚中，并向熔炼室充入N2作为保护气体，加热石墨坩埚使三种原料完全熔化得到合金液，并保温10min；步骤3：调节雾化压力为5MPa，将步骤2中得到的合金液通过石墨喷嘴喷入雾化室，石墨喷嘴的直径为3～5mm，雾化破碎得到合金粉末；步骤4：将步骤3中得到的合金粉末进行筛选，得到粒径不大于75μm的合金粉末，之后预压制粒径不大于75μm的合金粉末，压制压力300KN，保压5分钟形成合金粉末压坯；步骤5：将步骤4中得到的合金粉末压坯装在可加压坩埚中，放入真空烧结炉内，通入H2...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖鹏，李玉发，梁淑华，邹军涛，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61