【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶圆切割液
本专利技术涉及半导体晶圆
，具体涉及一种半导体晶圆切割液。
技术介绍
在半导体晶圆切割过程中，由于强机械力的作用，半导体晶圆边沿容易出现微裂、崩边和应力集中点，半导体晶圆表面也存在应力分布不均和损伤，这些缺陷是造成半导体晶圆制造中产生大量滑移线、外延层错、滑移位错、微缺陷等二次缺陷以及半导体晶圆、芯片易破裂的重要因素。半导体晶圆中存在的损伤和应力的问题已经成为微电子工业继续发展的障碍，线切割工艺中克服线锯的晃动、提高其稳定性，对降低硅片表面损伤、特别是表面较粗糙的缺陷具有重要作用，但选择性能优良的线切割液更是减小或避免上述问题的重要途径。
技术实现思路
本专利技术旨在提供了一种半导体晶圆切割液。本专利技术提供如下技术方案：一种半导体晶圆切割液，其是由如下重量份数的原料组成：聚乙二醇65-90份、螯合剂15-18份、分散剂11-14份、渗透剂30-35份、表面活性剂14-22份。所述聚乙二醇分子量20000-100000。所述螯合剂由对苯二酚、三聚磷酸钠和氨基三亚甲基磷酸组成。所述分散剂由丙烯酸、乙基丙烯酸、马来酸酐、丙烯酰胺基磺酸以1：1：3：2的重量比组成。所述渗透剂是聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC)。所述表面活性剂为氯化硬脂基二甲基苄基铵、四乙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术的切割液能有效降低表面张力、减少摩擦力，切割片薄，成品率明显优于其它切割润滑产品；另外本专利技术的切割液具有很好的冷却和润滑作用，降低了半导体晶圆的表面损伤，机械应力，有利于半导体晶圆后续工序清洗，能有效地改善半导体...
【技术保护点】
一种半导体晶圆切割液，其特征在于，其是由如下重量份数的原料组成：聚乙二醇65‑90份、螯合剂15‑18份、分散剂11‑14份、渗透剂30‑35份、表面活性剂14‑22份。
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆切割液，其特征在于，其是由如下重量份数的原料组成：聚乙二醇65-90份、螯合剂15-18份、分散剂11-14份、渗透剂30-35份、表面活性剂14-22份。2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆切割液，其特征在于：所述聚乙二醇分子量20000-100000。3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆切割液，其特征在于：所述螯合剂由对苯二酚、三聚磷酸钠和氨基三亚甲基磷...
【专利技术属性】
技术研发人员：周诗健，窦璨，
申请(专利权)人：合肥新汇成微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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