具有均流保护的MOSFET并联驱动电路制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种具有均流保护的MOSFET并联驱动电路，包括至少一个由一组MOSFET并联形成的并联电路及驱动一组所述MOSFET工作的驱动电路，还包括与每个并联电路匹配的电压采集电路和逻辑或比较电路，每个所述电压采集电路用于采集所述并联电路中的每个MOSFET对应的电压信号，并输送给对应的逻辑或比较电路，所述逻辑或比较电路判断N个电压信号中的一个超过其接收的参考电压时，所述逻辑或比较电路输出低电平断开对应的驱动电路的驱动信号输出。本实用新型专利技术设计精巧，实现了MOSFET并联应用中对单个MOSFET的过流检测和保护，进而实现了MOSFET并联电路的整体保护，从系统保护和可靠性方面来说，进一步完善了MOSFET并联技术和应用，使对该并联技术的过流保护更加全面和系统。

MOSFET parallel drive circuit with current sharing protection

The utility model discloses a driving circuit with current protection MOSFET parallel driving circuit including at least one formed by a group of MOSFET parallel parallel circuit and drive a set of the MOSFET, also includes a voltage acquisition circuit and logic, and each parallel circuit or circuit, each of the voltage acquisition the circuit for the voltage signal corresponding to each of the parallel MOSFET acquisition circuit, and output to the corresponding logic or the logic circuit, a comparison circuit judge or N voltage signal in a received exceeds the reference voltage, the driving signal output circuit drives the logic or the comparison circuit output low disconnect the corresponding level. The utility model has the advantages of compact design, realizes over-current detection and protection of single MOSFET MOSFET parallel applications, so as to realize the overall protection of parallel MOSFET circuit, from the aspects of system protection and reliability, to further improve the MOSFET parallel technology and application, the overcurrent protection of the parallel technology is more comprehensive and systematic.

【技术实现步骤摘要】
具有均流保护的MOSFET并联驱动电路
本技术涉及一种MOSFET并联驱动电路，尤其是一种具有均流保护的MOSFET并联驱动电路。
技术介绍
随着电动汽车行业的发展，作为电动汽车的重要组成部分——电机控制器的成败决定了电动车的好与坏。电机控制器用通常具有很高的功率密度，因为单个MOSFET的导通电流较小，所以更多的采用MOSFET并联的方式来获取较大的功率，来满足低压大电流的应用场合。理论上MOSFET的漏极电流ID具有负温度系数，有自动均流和均温的作用，在并联时无需使用平衡器件电流的限流电阻和温度补偿电阻，但由于MOSFET自身参数和电路参数的不均衡，会导致器件并联应用时出现电流分配不均的问题，严重时会导致MOSFET过载而失效。目前最常用的改善MOSFET均流方案有以下几种：1、选用同型号、同批次、内部参数分散性小的MOSFET进行并联。2、通过器件对称布局，采用低电感布线，减小杂质电感和分布电容。3、MOSFET间尽量靠近，采用紧密的热耦合，置于同一散热片上，使器件的温度尽量一致。由于受到工艺水平和产品结构的限制，上述的几个关键点在实际应用中很难100%得到保证，因此对于MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有均流保护的MOSFET并联驱动电路，包括至少一个由一组MOSFET并联形成的并联电路（1）及驱动一组所述MOSFET工作的驱动电路（2），其特征在于：还包括与每个并联电路（1）匹配的电压采集电路（3）和逻辑或比较电路（4），每个所述电压采集电路（3）用于采集所述并联电路（1）中的每个MOSFET对应的电压信号，并输送给对应的逻辑或比较电路（4），当所述逻辑或比较电路（4）判断N个电压信号中的一个超过其接收的参考电压时，所述逻辑或比较电路（4）输出低电平断开对应的驱动电路（1）的驱动信号输出。

【技术特征摘要】
1.具有均流保护的MOSFET并联驱动电路，包括至少一个由一组MOSFET并联形成的并联电路（1）及驱动一组所述MOSFET工作的驱动电路（2），其特征在于：还包括与每个并联电路（1）匹配的电压采集电路（3）和逻辑或比较电路（4），每个所述电压采集电路（3）用于采集所述并联电路（1）中的每个MOSFET对应的电压信号，并输送给对应的逻辑或比较电路（4），当所述逻辑或比较电路（4）判断N个电压信号中的一个超过其接收的参考电压时，所述逻辑或比较电路（4）输出低电平断开对应的驱动电路（1）的驱动信号输出。2.根据权利要求1所述的具有均流保护的MOSFET并联驱动电路，其特征在于：所述并联电路（1）为2个且它们分别与一个驱动电路（2）、电压采集电路（3）及逻辑或比较电路（4）连接并共同形成上桥回路和下桥回路，所述上桥回路和下桥回路用于交流电机的三相驱动电路中的至少一相；所述上桥回路中的每个MOSFET的漏极通过所述电压采集电路接直流电源正极（DC+），所述上桥回路中的每个MOSFET的栅极分别通过一电阻连接上桥驱动电路，所述上桥回路中的每个MOSFET的源极接交流电机的U相输出端或V相输出端或W相输出端；所述下桥回路中的每个MOSFET的漏极接交流电机的U相输出端或V相输出端或W相输出端，所述下桥回路中的每个MOSFET的栅极分别通过一电阻连接下桥驱动电路，所述下桥回路中的每个MOSFET的源极通过电压采集电路接直流电源负极（DC-）。3.根据权利要求2所述的具有均流保护的MOSFET并联驱动电路，其特征在于：所述电压采集电路（3）包括N个采样电阻（RS1，RS2，…RSN），所述上桥回路中的每个采样电阻的一端接一个MOSFET的漏极及所述逻辑或比较电路（4）,每个采样电阻的另一端接直流电源正极（DC+）；所述下桥回路中的每个采样电阻的一端接一个MOSFET的源极及所述逻辑或比较电路（...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱利东，陈峰，
申请(专利权)人：天索苏州控制技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32