一种场发射阴极和真空电子器件用电子源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种场发射阴极和真空电子器件用电子源，该场发射阴极为无集成栅极尖锥阵列场发射阴极，包括导电基片和形成于基片上表面的场发射尖锥阵列；所述场发射阴极的发射材料为高熔点且低功函数的材料。本实用新型专利技术在基片上直接制备发射材料尖锥，仅依靠光刻、镀膜等微加工工艺，工艺简单、成本低，适用于任何适合蒸发镀膜的金属和非金属场发射材料。

A field emission cathode and an electronic source for vacuum electronic devices

The utility model discloses a field emission cathode and vacuum electronic devices with electron source, the field emission cathode for integrated gate array field emission cathode, which comprises a conductive substrate and formed on the substrate surface of field emitter array; emission material of the field emission cathode for high melting point and low work function the material. The utility model has the advantages of direct preparation of cone emitting material on a substrate, only by photolithography, coating and other micro processing technology, simple process, low cost, suitable for any suitable evaporation of metal and nonmetal field emission materials.

【技术实现步骤摘要】
一种场发射阴极和真空电子器件用电子源
本技术涉及真空电子
更具体地，涉及一种场发射阴极和真空电子器件用电子源。
技术介绍
场发射阴极可以实现瞬时启动和室温工作，而且其电子引出无需外能，功耗小，电流密度大。传统真空电子器件使用场发射阴极作为电子源，有助于降低功耗，提高频率，实现器件小型化、集成化。场发射阴极潜在应用涉及显示器，微波功率放大器，传感器，X射线管，高能粒子加速器，以及各种显微镜、离子枪和质量分析器。研制高性能场发射阴极，对真空电子器件的发展和进步，具有积极的意义。传统集成栅控尖锥阵列场发射阴极如Spindt阴极，因其工作电压低，电子束易于成型而广受关注。然而集成栅控场发射阴极，由于发射体和栅极距离很近，容易因为阴栅短路导致器件失效，工作可靠性较差。近年来非集成栅控的场发射阴极的研究更受关注。非集成栅控的场发射阴极包括薄膜型，无序管线型，簇丛阵列型和尖锥阵列型，其中尖锥阵列型最容易实现规则制作，得到良好的阴极发射均匀性。制作无集成栅极尖锥阵列场发射阴极，可以使用化学腐蚀法，聚焦离子束刻蚀法，倒模成型法和Spindt阴极去栅法。然而化学腐蚀法制作尖锥仅限于硅系等半导体材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射阴极，其特征在于，该场发射阴极为无集成栅极尖锥阵列场发射阴极，包括导电基片和形成于基片上表面的场发射尖锥阵列；所述场发射阴极的发射材料为具有高熔点和低功函数的材料。

【技术特征摘要】
1.一种场发射阴极，其特征在于，该场发射阴极为无集成栅极尖锥阵列场发射阴极，包括导电基片和形成于基片上表面的场发射尖锥阵列；所述场发射阴极的发射材料为具有高熔点和低功函数的材料。2.根据权利要求1所述的场发射阴极，其特征在于，所述阴极沿矩形阵列线，相邻两个金属尖锥大端面中心点的直线距离为4.5～5...

【专利技术属性】
技术研发人员：李兴辉，蔡军，冯进军，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十二研究所，
类型：新型
国别省市：北京,11