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本实用新型公开了一种场发射阴极和真空电子器件用电子源，该场发射阴极为无集成栅极尖锥阵列场发射阴极，包括导电基片和形成于基片上表面的场发射尖锥阵列；所述场发射阴极的发射材料为高熔点且低功函数的材料。本实用新型在基片上直接制备发射材料尖锥，仅依...
该专利属于中国电子科技集团公司第十二研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十二研究所授权不得商用。

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