一种栅极结构的制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种栅极结构的制备方法，包括：提供一基板，并于基板上形成一复合结构；刻蚀第一多晶硅层和第二多晶硅层的暴露出的上表面一预设厚度；于第一多晶硅层和第二多晶硅层刻蚀后暴露出的上表面及侧壁上覆盖一防护层；刻蚀覆盖有防护层的第一多晶硅层和第二多晶硅层的上表面以将第一多晶硅层和第二多晶硅层的连接隔断，形成相互独立的一第一栅极和一第二栅极；能够对栅极结构的多晶硅暴露的表面进行保护，从而避免多晶硅掺杂类型不同在多晶硅表面产生过刻蚀的缺陷，以提高MOS器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种栅极结构的制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种栅极结构的制备方法。
技术介绍
MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为“N型”和“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET。现有技术中刻蚀形成NMOSFET和PMOSFET的两个栅极的多晶硅是同时刻蚀形成的，但是由于NMOSFET和PMOSFET的多晶硅的掺杂类型不同，导致了刻蚀速率的不同，这会造成刻蚀速率快的掺杂类型的多晶硅顶部产生“窄颈”现象，即向内的过刻蚀凹陷，从而对MOSFET器件的性能产生影响。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出了一种栅极结构的制备方法，其中，包括：步骤S1，提供一基板，并于所述基板上形成一复合结构，所述复合结构包括水平排列的第一掺杂类型的一第一多晶硅层和第二掺杂类型的一第二多晶硅层，位于所述第一多晶硅层上未完全覆盖的第一栅极保护层，以及位于所述第二多晶硅层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅极结构的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一基板，并于所述基板上形成一复合结构，所述复合结构包括水平排列的第一掺杂类型的一第一多晶硅层和第二掺杂类型的一第二多晶硅层，位于所述第一多晶硅层上未完全覆盖的第一栅极保护层，以及位于所述第二多晶硅层上未完全覆盖的第二栅极保护层；步骤S2，刻蚀所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层暴露出的上表面一预设厚度；步骤S3，于所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层刻蚀后暴露出的上表面及侧壁上覆盖一防护层；步骤S4，刻蚀覆盖有所述防护层的所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的上表面以将所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的连接隔断，形成相互独立的一第一栅极和一第...

【技术特征摘要】
1.一种栅极结构的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一基板，并于所述基板上形成一复合结构，所述复合结构包括水平排列的第一掺杂类型的一第一多晶硅层和第二掺杂类型的一第二多晶硅层，位于所述第一多晶硅层上未完全覆盖的第一栅极保护层，以及位于所述第二多晶硅层上未完全覆盖的第二栅极保护层；步骤S2，刻蚀所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层暴露出的上表面一预设厚度；步骤S3，于所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层刻蚀后暴露出的上表面及侧壁上覆盖一防护层；步骤S4，刻蚀覆盖有所述防护层的所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的上表面以将所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的连接隔断，形成相互独立的一第一栅极和一第二栅极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4包括：步骤S41，采用对所述防护层为高刻蚀比的刻蚀工艺一次刻蚀覆盖有所述防护层的所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层的上表面，直至刻蚀空间纵向延伸至邻近所述基板的上表面；步骤S42，二次刻蚀去除残余的所述防护层以及邻近所述基板的第一多晶硅层和所述第二多晶硅层，形成相...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆连，孟祥国，李全波，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31