探测状况的方法以及相关的装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种对与等离子体切割工艺的最终阶段相关的状况进行探测的方法，包括以下步骤：提供非金属基板，所述非金属基板上限定有多个切割通道；沿所述切割通道，等离子体蚀刻穿透所述衬底，其中在所述等离子体蚀刻期间，监测从所述切割通道的至少一部分发出的红外辐射，从而当观察到来自切割通道的红外辐射的增加时，视为进入等离子体切割操作的最后阶段；和由所监测的红外辐射探测与所述等离子体切割的最终阶段相关的状况。本发明专利技术还涉及相关的装置。

【技术实现步骤摘要】
探测状况的方法以及相关的装置
本专利技术涉及一种对与等离子体切割工艺的最终阶段的状况相关进行探测的方法。本专利技术还涉及相关的装置。
技术介绍
等离子体切割是用等离子体蚀刻方法来单片化(singulated)芯片(die)的一种已知技术。典型地，所述芯片由诸如硅之类的半导体材料形成并用于电子器件的应用中。由于放热化学反应、离子轰击和来自等离子体的辐射，等离子体切割方法会产生大量的热。此外，通常会将等离子体蚀刻腔室加热到一个升高的温度(典型地为约60℃)以确保副产物挥发掉。随后，挥发的副产物可被泵出。具体地，当用氟基等离子体对硅进行蚀刻时，反应Si+4F→SiF4产生的热焓为1.615MJ/mol。这是极高放热的并导致显著的热负荷。其他半导体衬底的切割同样具有高度相关的热预算。例如，用氯基等离子体化学切割GaAs晶圆时，由于切割期间持续施加到晶圆上的RF功率，而具有高的热预算。对于150mm直径的晶圆，可达几百瓦的量级。该热负荷还未计入形成氯化镓(211kJ/mol)和氯化砷(123kJ/mol)的正热焓。由于与等离子体切割方法相关的高温，通常要冷却基板。典型地，用静电或机械方法或用这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对与等离子体切割工艺的最终阶段相关的状况进行探测的方法，所述方法包括以下步骤：提供非金属基板，所述非金属基板上限定有多个切割通道；沿所述切割通道等离子体蚀刻穿透所述基板，其中在所述等离子体蚀刻期间，监测从所述切割通道的至少一部分发出的红外辐射，从而当观察到来自所述切割通道的红外辐射的增加时，视为进入等离子体切割操作的最后阶段；和由所监测的红外辐射来探测与所述等离子体切割的最终阶段相关的状况。

【技术特征摘要】
2016.07.04 GB 1611652.71.一种对与等离子体切割工艺的最终阶段相关的状况进行探测的方法，所述方法包括以下步骤：提供非金属基板，所述非金属基板上限定有多个切割通道；沿所述切割通道等离子体蚀刻穿透所述基板，其中在所述等离子体蚀刻期间，监测从所述切割通道的至少一部分发出的红外辐射，从而当观察到来自所述切割通道的红外辐射的增加时，视为进入等离子体切割操作的最后阶段；和由所监测的红外辐射来探测与所述等离子体切割的最终阶段相关的状况。2.根据权利要求1所述的方法，其中至少一个工艺变量响应于所探测的状况而改变。3.根据权利要求2所述的方法，其中改变所述工艺变量以调整所述等离子体蚀刻。4.根据权利要求3所述的方法，其中调整所述等离子体蚀刻以降低对所述基板的蚀刻速率。5.根据权利要求2～4中任意一项所述的方法，其中改变所述工艺变量以控制与所述等离子体蚀刻工艺相关的温度。6.根据权利要求2所述的方法，其中响应于所探测的状况来停止所述等离子体蚀刻。7.根据前述任意一项权利要求所述的方法，其中所述状况是接近终点。8.根据权利要求1～6中任意一项所述的方法，其中所述状况是终点。9.根据权利要求1～6中任意一项所述的方法，其中基于观察到来自所述切割通道的红外辐射的增加来事先预测...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥立佛·J·安塞尔，戴维·A·托塞尔，马丁·哈尼辛克，
申请(专利权)人：SPTS科技有限公司，
类型：发明
国别省市：英国,GB