像素、级电路和具有该像素和级电路的有机发光显示装置制造方法及图纸

提供了一种像素、一种级电路以及一种包括所述像素和所述级电路的有机发光显示装置。所述像素包括像素电路和有机发光二极管。像素电路具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管。第一晶体管控制从结合到第一节点的第一驱动电源通过有机发光二极管流向第二驱动电源的电流的量。当扫描信号被提供到第一扫描线时，第二晶体管被导通。当扫描信号被提供到第二扫描线时，第三晶体管导通。当扫描信号被提供到第三扫描线时，第四晶体管导通。第一晶体管为p型低温多晶硅薄膜晶体管，第三晶体管和第四晶体管为n型氧化物半导体薄膜晶体管。

【技术实现步骤摘要】
像素、级电路和具有该像素和级电路的有机发光显示装置于2016年7月1日提交的专利技术名称为“像素、级电路和具有该像素和级电路的有机发光显示装置(Pixel,StageCircuitandOrganicLightEmittingDisplayDeviceHavingthePixelandtheStageCircuit)”的第10-2016-0083492号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
在此描述的一个或更多个实施例涉及一种像素、一种级电路以及一种包括所述像素和所述级电路的有机发光显示装置。
技术介绍
已经开发了多种显示器。示例包括液晶显示器和有机发光显示器。有机发光显示器基于从包括有机发光二极管的像素发射的光来产生图像。有机发光显示器具有包括高响应速度和低功耗的优点。有机发光显示器包括连接到数据线和扫描线的像素。每个像素使用驱动晶体管基于数据信号来控制从第一驱动电源经过有机发光二极管流向第二驱动电源的电流的量。有机发光二极管基于来自驱动晶体管的电流的量来发射具有预定亮度的光。已经尝试改进有机发光显示器的性能。一种方案涉及将第二驱动电源设置为低电压以试图提高亮度。另一方案涉及以低频率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素，所述像素包括：有机发光二极管；第一晶体管，具有结合到第一节点的第一电极和结合到所述有机发光二极管的阳极电极的第二电极，所述第一晶体管将控制从结合到所述第一节点的第一驱动电源通过所述有机发光二极管流向第二驱动电源的电流的量；第二晶体管，结合在数据线与所述第一节点之间，当扫描信号被提供到第i条第一扫描线时，所述第二晶体管将导通，其中，i为自然数；第三晶体管，结合在所述第一晶体管的栅电极与所述第二电极之间，当扫描信号被提供到第i条第二扫描线时，所述第三晶体管将导通，其中，i为自然数；以及第四晶体管，结合在所述第一晶体管的所述栅电极与初始化电源之间，当扫描信号被提供到第i条第三扫描线时，所述...

【技术特征摘要】
2016.07.01 KR 10-2016-00834921.一种像素，所述像素包括：有机发光二极管；第一晶体管，具有结合到第一节点的第一电极和结合到所述有机发光二极管的阳极电极的第二电极，所述第一晶体管将控制从结合到所述第一节点的第一驱动电源通过所述有机发光二极管流向第二驱动电源的电流的量；第二晶体管，结合在数据线与所述第一节点之间，当扫描信号被提供到第i条第一扫描线时，所述第二晶体管将导通，其中，i为自然数；第三晶体管，结合在所述第一晶体管的栅电极与所述第二电极之间，当扫描信号被提供到第i条第二扫描线时，所述第三晶体管将导通，其中，i为自然数；以及第四晶体管，结合在所述第一晶体管的所述栅电极与初始化电源之间，当扫描信号被提供到第i条第三扫描线时，所述第四晶体管将导通，其中，i为自然数，所述第一晶体管为p型低温多晶硅薄膜晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管为n型氧化物半导体薄膜晶体管。2.如权利要求1所述的像素，其中，所述第二晶体管为p型低温多晶硅薄膜晶体管。3.如权利要求1所述的像素，其中，所述第二晶体管为n型氧化物半导体薄膜晶体管。4.如权利要求3所述的像素，其中，所述第i条第一扫描线和所述第i条第二扫描线为同一条扫描线。5.如权利要求1所述的像素，所述像素还包括：第五晶体管，结合在所述初始化电源与所述有机发光二极管的所述阳极电极之间，当所述扫描信号被提供到所述第i条第一扫描线时，所述第五晶体管将导通，其中，所述第五晶体管为p型低温多晶硅薄膜晶体管。6.如权利要求1所述的像素，所述像素还包括：第五晶体管，结合在所述初始化电源与所述有机发光二极管的所述阳极电极之间，当所述扫描信号被提供到所述第i条第二扫描线时，所述第五晶体管将导通，其中，所述第五晶体管为n型氧化物半导体薄膜晶体管。7.如权利要求1所述的像素，所述像素还包括：第六晶体管，结合在所述第一晶体管的所述第二电极与所述有机发光二极管的所述阳极电极之间，当发光控制信号被提供到发光控制线时，所述第六晶体管将截止；以及第七晶体管，结合在所述第一节点与所述第一驱动电源之间，当所述发光控制线号被提供时，所述第七晶体管将截止，其中，所述第六晶体管和所述第七晶体管为p型低温多晶硅薄膜晶体管。8.一种像素，所述像素包括：有机发光二极管；第一晶体管，将基于第一节点的电压来控制从连接到第一电极的第一驱动电源经过所述有机发光二极管流向第二驱动电源的电流的量；第二晶体管，结合在所述第一节点与所述第一晶体管的第二电极之间，当扫描信号被提供到第i条第一扫描线时，所述第二晶体管将导通，其中，i为自然数；存储电容器，结合在所述第一节点与第二节点之间；第三晶体管，结合在数据线与所述第二节点之间，当扫描信号被提供到第i条第二扫描线时，所述第三晶体管将导通，其中，i为自然数；以及第四晶体管，结合在所述第二节点与初始化电源，当反相发光控制线号被提供到反相发光控制线时，所述第四晶体管将截止，其中，所述第一晶体管为p型低温多晶硅薄膜晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管为n型氧化物半导体薄膜晶体管。9.如权利要求8所述的像素，其中，所述第二晶体管为p型低温多晶硅薄膜晶体管。10.如权利要求8所述的像素，其中，所述第二晶体管为n型氧化物半导体薄膜晶体管。11.如权利要求10所述的像素，其中，所述第i条第一扫描线和所述第i条第二扫描线为同一条扫描线。12.如权利要求8所述的像素，所述像素还包括：第五晶体管，结合在所述初始化电源与所述有机发光二极管的阳极电极之间，当所述扫描信号被提供到所述第i条第一扫描线时，所述第五晶体管将导通，其中，所述第五晶体管为p型低温多晶硅薄膜晶体管。13.如权利要求8所述的像素，所述像素还包括：第五晶体管，结合在所述初始化电源与所述有机发光二极管的阳极电极之间，当所述扫描信号被提供到所述第i条第二扫描线时，所述第五晶体管将导通，其中，所述第五晶体管为n型氧化物半导体薄膜晶体管。14.如权利要求8所述的像素，所述像素还包括：第六晶体管，结合在所述第一晶体管的所述第二电极与所述有机发光二极管的阳极电极之间，当发光控制信号被提供到发光控制线时，所述第六晶体管将截止，其中，所述晶体管为p型低温多晶硅薄膜晶体管，所述发光控制信号和所述反相发光控制信号相对于彼此反相。15.一种级电路，所述级电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，串联结合在第一电源与第二电源之间，所述第二电源被设置为比所述第一电源低的电压；第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管，串联结合在所述第一电源与所述第二电源之间；第九晶体管和第十晶体管，串联结合在所述第一电源与所述第二电源之间，其中：所述第一晶体管为p型低温多晶硅薄膜晶体管，并且具有接收起始脉冲或来自先前级的输出信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾智铉，裴汉成，郭源奎，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR