【技术实现步骤摘要】
像素、级电路以及有机发光显示装置相关申请的交叉引用2016年7月1日递交的、名称为“像素、级电路以及具有该像素和该级电路的有机发光显示装置”的韩国专利申请第10-2016-0083498号的全文通过引用合并于此。
本文描述的一个或多个实施例涉及像素、级电路以及包括像素和级电路的有机发光显示装置。
技术介绍
已开发出各种显示器。示例包括液晶显示器和有机发光显示器。有机发光显示器利用包括有机发光二极管的像素生成图像。二极管基于有机发光层中的电子和空穴的复合生成光。这种类型的显示器具有相对高的响应速度和低功耗。有机发光显示器的像素连接至数据线和扫描线。每个像素包括驱动晶体管,驱动晶体管基于来自扫描线和数据线的信号而调节流过有机发光二极管的电流量。像素基于调节后的电流量发射具有亮度的光。已进行了各种尝试来改善有机发光显示器的性能。一种方案涉及将驱动电源设定为低电压。另一种方案涉及以低频率驱动显示器从而降低功耗。然而,这些方案允许漏电流例如从每个像素的驱动晶体管流出。其结果是,无法在一个帧周期期间维持数据信号的电压。这可能会对亮度产生不利影响。
技术实现思路
根据一个或多个实施 ...
【技术保护点】
一种像素,包括有机发光二极管;第一晶体管,所述第一晶体管基于第一节点的电压而控制从连接至所述第一晶体管的第一电极的第一驱动电源经过所述有机发光二极管且流向第二驱动电源的电流量,所述第一晶体管是n‑型低温多晶硅薄膜晶体管;连接在数据线与所述第一节点之间的第二晶体管,所述第二晶体管当扫描信号供应至第一扫描线时导通,所述第二晶体管是n‑型氧化物半导体薄膜晶体管;连接在所述第一晶体管的第二电极与初始化电源之间的第三晶体管,所述第三晶体管当扫描信号供应至第二扫描线时导通,所述第三晶体管是n‑型低温多晶硅薄膜晶体管;连接在所述第一驱动电源与所述第一晶体管的所述第一电极之间的第四晶体管, ...
【技术特征摘要】
2016.07.01 KR 10-2016-00834981.一种像素,包括有机发光二极管;第一晶体管,所述第一晶体管基于第一节点的电压而控制从连接至所述第一晶体管的第一电极的第一驱动电源经过所述有机发光二极管且流向第二驱动电源的电流量,所述第一晶体管是n-型低温多晶硅薄膜晶体管;连接在数据线与所述第一节点之间的第二晶体管,所述第二晶体管当扫描信号供应至第一扫描线时导通,所述第二晶体管是n-型氧化物半导体薄膜晶体管;连接在所述第一晶体管的第二电极与初始化电源之间的第三晶体管,所述第三晶体管当扫描信号供应至第二扫描线时导通,所述第三晶体管是n-型低温多晶硅薄膜晶体管;连接在所述第一驱动电源与所述第一晶体管的所述第一电极之间的第四晶体管,所述第四晶体管当发光控制信号供应至发光控制线时关断,所述第四晶体管是n-型低温多晶硅薄膜晶体管;以及连接在第二节点与所述第一节点之间的存储电容器,所述第二节点连接至所述第一晶体管的所述第二电极。2.根据权利要求1所述的像素,进一步包括:连接在参考电源与所述第一节点之间的第五晶体管,其中,所述第五晶体管当扫描信号供应至第三扫描线时导通,并且其中,所述第五晶体管是n-型氧化物半导体薄膜晶体管。3.根据权利要求1所述的像素,进一步包括:连接在所述第一驱动电源与所述第二节点之间的第一电容器。4.根据权利要求1所述的像素,其中,当所述第一扫描线位于第i条水平线上时,所述第二扫描线被设定成位于第i-1条水平线上的第一扫描线,其中,i是自然数。5.一种级电路,包括:缓冲器,所述缓冲器基于信号发生器的控制而将第一输入端或第二输入端连接至输出端,其中,所述缓冲器包括并联连接在所述第一输入端与所述输出端之间的第一晶体管和第二晶体管,以及并联连接在所述第二输入端与所述输出端之间的第三晶体管和第四晶体管,其中,所述第一晶体管和所述第三晶体管是n-型低温多晶硅薄膜晶体管,并且其中,所述第二晶体管和所述第四晶体管是n-型氧化物半导体薄膜晶体管。6.根据权利要求5所述的级电路,其中,所述第一晶体管的栅电极电连接至所述第二晶体管的栅电极。7.根据权利要求5所述的级电路,其中,所述第三晶体管的栅电极电连接至所述第四晶体管的栅电极。8.一种有机发光显示装置,包括:多个像素,所述多个像素连接至扫描线、发光控制线和数据线;扫描驱动器,所述扫描驱动器驱动所述扫描线和所述发光控制线;以及数据驱动器,所述数据驱动器驱动所述数据线,其中,所述像素中的至少一个像素包括:有机发光二极管;第一晶体管,所述第一晶体管基于第一节点的电压而控制从连接至所述第一晶体管的第一电极的第一驱动电源经过所述有机发光二极管且流向第二驱动电源的电流量,其中,所述第一晶体管是n-型低温多晶硅薄膜晶体管;连接在数据线与所述第一节点之间的第二晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:贾智铉,郭源奎,裵汉成,
申请(专利权)人:三星显示有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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