一种高断差界面的堆叠精度测量方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种高断差界面的堆叠精度测量方法，包括以下步骤：步骤S1)选择堆叠层的其中一层作为基准层，选择堆叠层的其中另一层或多层作为对位层；步骤S2)在所述基准层上设置第一标志；步骤S3)在所述对位层对应于所述第一标志的位置设置第二标志；步骤S4)分别测量所述第一标志的中心位置和所述第二标志的中心位置；步骤S5)计算所述第一标志的中心位置和所述第二标志的中心位置之间的间隔得到堆叠精度。

【技术实现步骤摘要】
一种高断差界面的堆叠精度测量方法及应用
本专利技术涉及堆叠层之间的精度测量和定位等领域，具体为一种高断差界面的堆叠精度测量方法。
技术介绍
在液晶面板制作工艺过程中，包括多个步骤，其中包括将不同的功能性膜层堆叠组合。在堆叠组合时，需要精确的将不同膜层对准，以保证液晶面板的整体性能。因此，在膜层对位时需要对膜层进行定位测量以获取膜层的堆叠精度。但在测量时，当中间工艺制程厚度增加，会导致对位层和基准层无法同时出现在视野中，或边界模糊则无法通过现在的堆叠精度测试图形进行量测。
技术实现思路
本专利技术的目的是：提供一种高断差界面的堆叠精度测量方法，通过分别测量和比较基准层和对位层的位置，来间接获得堆叠精度，同时来化解堆叠精度在Z轴方面的高度差，克服机台阱深的问题。实现上述目的的技术方案是：一种高断差界面的堆叠精度测量方法，包括以下步骤：步骤S1)选择堆叠层的其中一层作为基准层，选择堆叠层的其中另一层或多层作为对位层；步骤S2)在所述基准层上设置第一标志；步骤S3)在所述对位层对应于所述第一标志的位置设置第二标志；步骤S4)分别测量所述第一标志的中心位置和所述第二标志的中心位置；步骤S5)计算所述第一标志的中心位置和所述第二标志的中心位置之间的间隔得到堆叠精度。在本专利技术一较佳的实施例中，所述步骤S4)包括以下步骤，步骤S41)建立三维直角坐标，所述三维直角坐标的Z轴表示堆叠层的堆叠方向；步骤S42)在三维直角坐标上标识出所述第一标志的中心坐标位置(X1，Y1)和第二标志的中心坐标位置(X2，Y2)。在本专利技术一较佳的实施例中，所述第一标志、第二标志分别对应的设有多个。在本专利技术一较佳的实施例中，所述第一标志和第二标志阵列设置。在本专利技术一较佳的实施例中，所述步骤S42)中包括以下步骤：步骤S421)配对第一标志、第二标志，形成标志组；步骤S422)逐一测量配对后的每一所述标志组中的第一标志的中心坐标位置和第二标志的中心坐标位置。在本专利技术一较佳的实施例中，当不同对位层测量时，所述步骤S41)与步骤S42)之间还包括以下步骤：步骤S43)对所测对位层做沿Z轴焦点面的修正。在本专利技术一较佳的实施例中，所述S5)包括以下步骤：步骤S51)设定所述第一标志的中心坐标位置与所述第二标志的中心坐标位置的初始间隔(a，b)；步骤S52)分别计算所述第一标志的中心位置与所述第二中心位置在X轴上的堆叠精度和Y轴上的堆叠精度：△X＝X2-X1-a，△Y＝Y2-Y1-a。在本专利技术一较佳的实施例中，在步骤S51)中设置a＝0，b＝0。在本专利技术一较佳的实施例中，所述第一标志为“十”字形，所述第二标志为“十”字形。在本专利技术一较佳的实施例中，所述的高断差界面的堆叠精度测量方法，应用于液晶面板的堆叠层的测量。本专利技术的优点是：本专利技术的高断差界面的堆叠精度测量方法及应用，通过分别测量和比较基准层和对位层的位置，以及通过坐标的方式，能够精确的间接的获得了堆叠层之间的堆叠精度，同时，通过两次分别测量第一标志的中心位置和第二标志的中心位置同时来化解堆叠精度在Z轴方面的高度差，克服机台阱深的问题。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步解释。图1是第一标志和第二标志的位置关系的剖面图。图2是基准层和对位层的俯视图。图3是实施例1的步骤流程图。图4是图3中步骤S4)的步骤流程图。图5是图4中步骤S42)的步骤流程图。图6是图3中步骤S5)的步骤流程图。图7是实施例2的步骤S4)的步骤流程图。其中，1基准层；2对位层；3膜层；11第一标志；21第二标志。具体实施方式以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。实施例1所示，一种高断差界面的堆叠精度测量方法，包括以下步骤。需要说明的是，本实施例以最基本的堆叠层中的两层作为简单说明。本实施例检测仪器采用的是TotalPitch量测机。如图1至图3所示，步骤S1)选择堆叠层的其中一层作为基准层1，选择堆叠层的其中另一层或多层作为对位层2。为了清除的说明基准层1和对位层2的位置关系，本实施例中，定义基准层1为堆叠层的底层，对位层2为堆叠层的倒数第二层。步骤S2)在所述基准层1上设置第一标志11。本实施例中，每一所述基准层1上的第一标志11为“十”字形，该“十”字形的第一标志11成阵列式分布在基准层1上。步骤S3)在所述对位层2对应于所述第一标志11的位置设置第二标志21。同样的，在本实施例中，第二标志21也设置成“十”字形，该“十”字形的第二标志21成阵列式分布在对位层2上。如图4至图5所示，步骤S4)分别测量所述第一标志11的中心位置和所述第二标志21的中心位置。具体的，为了更具体形象的显示第一标志11和第二标志21的位置以及方便堆叠精度的测量和计算，所述步骤S4)包括以下步骤。S41)建立三维直角坐标，所述三维直角坐标的Z轴表示堆叠层的堆叠方向。本实施例中，也可以建立二维直角坐标，二维直角坐标不包括沿堆叠层的堆叠方向的Z轴。由于只是一层作为对位层2，因此，在对位测量时，对位层2上的所有的第二标志21和对应基准层1上的第一标志11的高度基本一致，因此，在测量时，对位层2和基准层1的高度差是一致的，因此可以忽略，如基准层1的第一标志11的高度为H，则对位层2的高度为H+△H，△H是一个定值，表示对位层2所代表的膜层3的层高。S42)在三维直角坐标上标识出所述第一标志11的中心坐标位置(X1，Y1)和第二标志21的中心坐标位置(X2，Y2)。在本实施例中，为了更加有效精准的测量出堆叠精度；对位层2上的第二标志21设有多个，同样的基准层1上的所述第一标志11分别对应的设有多个。所述第一标志11和第二标志21阵列设置。这样可以多组次测量出同一对位层2上不同点位之处的堆叠精度，方便综合判断整个对位层2的堆叠精度。具体的，所述步骤S42)中包括以下步骤。S421)配对第一标志11、第二标志21，形成标志组。S422)逐一测量配对后的每一所述标志组中的第一标志11的中心坐标位置和第二标志21的中心坐标位置。如图6所示，步骤S5)计算所述第一标志11的中心位置和所述第二标志21的中心位置之间的间隔得到堆叠精度。在本步骤中，在将对位层2对位于基准层1上时，存在一初始的对准位置，如以第一标志11和第二标志21分别代表基准层1和对位层2时，则在初始位置时，所述S5)包括以下步骤。S51)设定所述第一标志11的中心坐标位置与所述第二标志21的中心坐标位置的初始间隔(a，b)。在步骤S51)中设置a＝0，b＝0。本步骤中，初始位置是预先设定的一个理想对准位置，若a＝0，b＝0，则理想状态下，第一标志11与第二标志21的中心位置上下重合。S52)分别计算所述第一标志11的中心位置与所述第二中心位置在X轴上的堆叠精度和Y轴上的堆叠精度：△X＝X2-X1-a，△Y＝Y2-Y1-a。分别多组次的测量出同一对位层2上不同点位的第二标志21和第一标志11之间的△X、△Y，形成一个计算表列，之后通过加权平均值或者其他函数进行处理，得到整个的对位层2的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高断差界面的堆叠精度测量方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1)选择堆叠层的其中一层作为基准层，选择堆叠层的其中另一层或多层作为对位层；步骤S2)在所述基准层上设置第一标志；步骤S3)在所述对位层对应于所述第一标志的位置设置第二标志；步骤S4)分别测量所述第一标志的中心位置和所述第二标志的中心位置；步骤S5)计算所述第一标志的中心位置和所述第二标志的中心位置之间的间隔得到堆叠精度。

【技术特征摘要】
1.一种高断差界面的堆叠精度测量方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1)选择堆叠层的其中一层作为基准层，选择堆叠层的其中另一层或多层作为对位层；步骤S2)在所述基准层上设置第一标志；步骤S3)在所述对位层对应于所述第一标志的位置设置第二标志；步骤S4)分别测量所述第一标志的中心位置和所述第二标志的中心位置；步骤S5)计算所述第一标志的中心位置和所述第二标志的中心位置之间的间隔得到堆叠精度。2.根据权利要求1所述的高断差界面的堆叠精度测量方法，其特征在于，所述步骤S4)包括以下步骤：步骤S41)建立三维直角坐标，所述三维直角坐标的Z轴表示堆叠层的堆叠方向；步骤S42)在三维直角坐标上标识出所述第一标志的中心坐标位置(X1，Y1)和第二标志的中心坐标位置(X2，Y2)。3.根据权利要求2所述的高断差界面的堆叠精度测量方法，其特征在于，所述第一标志、第二标志分别对应的设有多个。4.根据权利要求2所述的高断差界面的堆叠精度测量方法，其特征在于，所述第一标志和第二标志阵列设置。5.根据权利要求3所述的高断差界面的堆叠精度测量方法，其特征在于，所述步骤S42)中包括以下...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚成波，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42