纹波抑制电路和包括该纹波抑制电路的电压转换器制造技术

本实用新型专利技术实施例提供一种纹波抑制电路和包括该纹波抑制电路的电压转换器，该纹波抑制电路包括第一晶体三极管、第二晶体三极管和第三晶体三极管，所述第一晶体三极管和所述第二晶体三极管串联而构成为达林顿管，所述第三晶体三极管与由所述第一晶体三极管和所述第二晶体三极管构成的所述达林顿管并联，对所述达林顿管的开闭进行控制。该纹波抑制电路不需要使用场效应管，而是采用了价格低廉的晶体三极管，从而能够降低制造成本，并且，由于晶体三极管对于电压Vbe的容忍度比场效应管对于电压Vgs的容忍度高，因此能够对输出纹波进行精确的控制。

Ripple suppression circuit and voltage converter including the ripple suppression circuit

The embodiment of the utility model provides a ripple suppression circuit includes a voltage converter and the ripple suppression circuit, the ripple suppression circuit includes a first transistor and the second transistor and the third transistor, the first transistor and the second transistor crystal three series constitute the Darlington tube. The third transistor and the first transistor and the second transistor constitute the Darlington tube in parallel, to control the opening and closing of the Darlington tube. The ripple suppression circuit does not require the use of FET transistor, but use the low price to tube, can reduce the manufacturing cost, and the transistor voltage for Vbe tolerance than FET voltage for Vgs tolerance is high, so it can accurately control of output ripple.

【技术实现步骤摘要】
纹波抑制电路和包括该纹波抑制电路的电压转换器
本技术涉及电压转换
，尤其涉及一种纹波抑制电路和包括该纹波抑制电路的电压转换器。
技术介绍
电压转换器能够将输入的交流电压转换为直流电压，并输出给用电器。在一个典型的使用场景中，电压转换器例如可以是电子镇流器，其可以将交流电压形式的网电压转换为直流电压，并输出给发光二极管(Light-emittingDiode，LED)等用电器。在实际应用中，通过电压转换器输出的直流电压中会包含一定的交流成分，从而产生输出纹波。目前，一般可以通过设置包含场效应晶体管(FieldEffectTransistor，FET，以下简称为场效应管)的输出电路进行抑制。图1是现有的电压转换器的电路结构图。如图1所示，该电压转换器是一反激式转换器(FlybackConverter)，方框内所示的波纹抑制电路包括场效应管，其中，输入电容电压Vbus是包含交流成分(纹波)的直流源，C52、C53、C54为滤波电容；电容C51上的电压等于Vbus的最大值减去二极管D53、D54压降，输出端电压(+LED--LED)等于电容C51上的电压减去场效应管M51的gs压降(即电压Vgs)。选择合适的D54稳压值，使D53、D54压降以及M51的gs压降之和等于C52的纹波峰峰值，由于M51的增益很大，需要的驱动电流很小，C51上的电压基本保持不变，所以纹波电压基本上降落在M51上，输出端+LED基本上只输出直流部分，达到消除纹波的目的。另外，D55是稳压二极管，用于限制M51的电压Vgs，避免M51因电压Vgs过高而损坏。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
本技术的专利技术人发现，在现有的纹波抑制电路中，由于需要设置高额定电流的场效应管，使得制造成本较高，另外，场效应管的电压Vgs的偏离将导致很大的输出纹波偏离，另外，为了在批量生产中达到一致的纹波抑制效果，需要使场效应管上的压降覆盖Vgs的最大偏离值，因此，使用场效应管将导致较高的功率损失，需要设置额外的铜片，从而导致制造成本进一步增加。本技术实施例提供一种纹波抑制电路和包括该纹波抑制电路的电压转换器，其不需要使用场效应管，而是采用了价格低廉的晶体三极管，从而能够降低制造成本，并且，由于晶体三极管对于电压Vbe的容忍度比场效应管对于电压Vgs的容忍度高，因此能够对输出纹波进行精确的控制。根据本技术实施例的第一方面，提供一种纹波抑制电路，其中，所述纹波抑制电路包括第一晶体三极管、第二晶体三极管和第三晶体三极管，所述第一晶体三极管和所述第二晶体三极管串联而构成为达林顿管，所述第三晶体三极管与由所述第一晶体三极管和所述第二晶体三极管构成的所述达林顿管并联，对所述达林顿管的开闭进行控制。根据本技术实施例的第二方面，其中，所述第一晶体三极管、所述第二晶体三极管和所述第三晶体三极管是双极型晶体三极管。根据本技术实施例的第三方面，其中，所述第一晶体三极管、所述第二晶体三极管和所述第三晶体三极管是NPN双极型晶体三极管。根据本技术实施例的第四方面，其中，所述纹波抑制电路还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管、第二二极管以及电容，其中，所述第一电阻和所述电容串联连接于所述纹波抑制电路的输入电压的正负极之间，所述电容与接地端连接，所述第一二极管和所述第二二极管串联连接后与所述第一电阻并联连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第二电阻的一端和所述第二二极管的正极连接，另一端和所述第二晶体三极管的基极以及所述第三晶体三极管的集电极连接，所述第一晶体三极管的基极和所述第二晶体三极管的发射极连接，所述第一晶体三极管的集电极和所述第一二极管的正极以及所述第二晶体三极管的集电极连接，所述第三晶体三极管的基极经由所述第五电阻与所述第一晶体三极管的发射极连接，所述第三电阻和所述第四电阻并联后连接在所述第一晶体三极管的发射极和所述第三晶体三极管的发射极之间。根据本技术实施例的第五方面，其中，所述电容是电解电容，所述第二二极管是稳压二极管。根据本技术实施例的第六方面，提供一种纹波抑制电路，其中，所述纹波抑制电路包括第一晶体三极管和第二晶体三极管，所述第二晶体三极管与所述第一晶体三极管并联，对所述第一晶体三极管的开闭进行控制。根据本技术实施例的第七方面，其中，所述第一晶体三极管和所述第二晶体三极管是双极型晶体三极管。根据本技术实施例的第八方面，其中，所述第一晶体三极管和所述第二晶体三极管是NPN双极型晶体三极管。根据本技术实施例的第九方面，其中，所述纹波抑制电路还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管、第二二极管以及电容，其中，所述第一电阻和所述电容串联连接于所述纹波抑制电路的输入电压的正负极之间，所述电容与接地端连接，所述第一二极管和所述第二二极管串联连接后与所述第一电阻并联连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第二电阻的一端和所述第二二极管的正极连接，另一端和所述第一晶体三极管的基极以及所述第二晶体三极管的集电极连接，所述第一晶体三极管的集电极和所述第一二极管的正极连接，所述第二晶体三极管的基极经由所述第五电阻与所述第一晶体三极管的发射极连接，所述第三电阻和所述第四电阻并联后连接在所述第一晶体三极管的发射极和所述第二晶体三极管的发射极之间。根据本技术实施例的第十方面，提供一种电压转换器，所述电压转换器包括根据本技术实施例的第一至第九方面中的任一项所述的纹波抑制电路。本技术实施例的有益效果在于：该纹波抑制电路不需要使用场效应管，而是采用了价格低廉的晶体三极管，从而能够降低制造成本，并且，由于晶体三极管对于电压Vbe的容忍度比场效应管对于电压Vgs的容忍度高，因此能够对输出纹波进行精确的控制。参照后文的说明和附图，详细公开了本技术的特定实施方式，指明了本技术的原理可以被采用的方式。应该理解，本技术的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本技术的实施方式包括许多改变、修改和等同。针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。附图说明所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是现有的电压转换器的电路结构图；图2是本技术实施例1的纹波抑制电路的电路结构图；图3是本技术实施例2的纹本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纹波抑制电路，其特征在于，所述纹波抑制电路包括第一晶体三极管、第二晶体三极管和第三晶体三极管，所述第一晶体三极管和所述第二晶体三极管串联而构成为达林顿管，所述第三晶体三极管与由所述第一晶体三极管和所述第二晶体三极管构成的所述达林顿管并联，对所述达林顿管的开闭进行控制。

【技术特征摘要】
1.一种纹波抑制电路，其特征在于，所述纹波抑制电路包括第一晶体三极管、第二晶体三极管和第三晶体三极管，所述第一晶体三极管和所述第二晶体三极管串联而构成为达林顿管，所述第三晶体三极管与由所述第一晶体三极管和所述第二晶体三极管构成的所述达林顿管并联，对所述达林顿管的开闭进行控制。2.根据权利要求1所述的纹波抑制电路，其特征在于，所述第一晶体三极管、所述第二晶体三极管和所述第三晶体三极管是双极型晶体三极管。3.根据权利要求2所述的纹波抑制电路，其特征在于，所述第一晶体三极管、所述第二晶体三极管和所述第三晶体三极管是NPN双极型晶体三极管。4.根据权利要求1所述的纹波抑制电路，其特征在于，所述纹波抑制电路还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一二极管、第二二极管以及电容，其中，所述第一电阻和所述电容串联连接于所述纹波抑制电路的输入电压的正负极之间，所述电容与接地端连接，所述第一二极管和所述第二二极管串联连接后与所述第一电阻并联连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第二电阻的一端和所述第二二极管的正极连接，另一端和所述第二晶体三极管的基极以及所述第三晶体三极管的集电极连接，所述第一晶体三极管的基极和所述第二晶体三极管的发射极连接，所述第一晶体三极管的集电极和所述第一二极管的正极以及所述第二晶体三极管的集电极连接，所述第三晶体三极管的基极经由所述第五电阻与所述第一晶体三极管的发射极连接，所述第三电阻和所述第四电阻并联后连接在所述第一晶体三极管的发射极和所述第三晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志文，毛秋翔，钟国基，
申请(专利权)人：赤多尼科两合股份有限公司，
类型：新型
国别省市：奥地利,AT