一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗柔性基底；S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层，下SiO2膜层厚度为15～60nm；S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层，Ag膜层厚度6～20nm；S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照；S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层，得到所述透明导电氧化物薄膜，上SiO2膜层厚度为15～60nm；本发明专利技术得到的透明导电SiO2/Ag/SiO2的复合薄膜，具有更好的透过率和导电性能；对Ag膜层采用等离子体辐照，使Ag膜层成膜质量更好，整个复合膜系具有更好的透过率和导电性；SiO2膜层与Ag膜层之间浸润性良好，不需要金属过渡层，且成本低廉，适合工业化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法
本专利技术涉及功能薄膜
，具体是一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法。
技术介绍
柔性透明有机光电器件在我们日常生活中有广阔的应用前景，其关键组成之一就是性能优异的柔性透明底电极和顶电极，且要求顶电极的制备不能破坏器件的有机活性层。迄今为止，应用最广泛的透明电极材料为铟锡氧化物(ITO)，但ITO中的铟元素在自然界中的含量少、价格高，且ITO质地脆、不耐弯折，制备条件苛刻，己不能满足柔性透明光电器件的要求。因此，研制出替代ITO的新型高性能的透明导电薄膜有着重要的意义和价值。近年来，多层透明导电薄膜受到人们的广泛关注，它可在室温下制备、成本低、柔韧性好、导电性高、选材范围广，是一种较为理想的柔性透明电极，在有机光电器件的应用中展现出了一定的潜力。面向透明柔性光电器件的要求，目前具有高柔韧性、高湿热稳定性、功函数可调的多层透明导电电极还比较缺乏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法，通过该方法制备得到的薄膜性能优良，且成本低廉，适于柔性基底使用。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种柔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗柔性基底；S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层，下SiO2膜层厚度为15～60nm；S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层，Ag膜层厚度6～20nm；S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照；S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层，得到所述透明导电氧化物薄膜，上SiO2膜层厚度为15～60nm。

【技术特征摘要】
1.一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗柔性基底；S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层，下SiO2膜层厚度为15～60nm；S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层，Ag膜层厚度6～20nm；S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照；S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层，得到所述透明导电氧化物薄膜，上SiO2膜层厚度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，李刚，姚婷婷，金克武，沈洪雪，王天齐，彭赛奥，甘治平，
申请(专利权)人：蚌埠玻璃工业设计研究院，
类型：发明
国别省市：安徽,34