发光装置及植物栽培方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够促进植物的育成的发光装置及植物栽培方法。该发光装置具备在380nm以上且490nm以下的范围具有发光峰波长的发光元件、和被来自上述发光元件的光激发而发出在580nm以上且小于680nm的范围具有至少一个发光峰波长的光的第一荧光体，表示620nm以上且小于700nm的范围内的光量子束密度R相对于380nm以上且490nm以下的范围内的光量子束密度B之比的R/B为2.0以上且4.0以下，表示620nm以上且小于700nm的范围内的光量子束密度R相对于700nm以上且780nm以下的范围内的光量子束密度FR之比的R/FR为0.7以上且13.0以下。

【技术实现步骤摘要】
发光装置及植物栽培方法
本专利技术涉及发光装置及植物栽培方法。
技术介绍
近年来，在发生气象变动、人为的环境破坏等所导致的环境变化中，为了使蔬菜的稳定供给成为可能，对提高蔬菜的生产效率、且能够调整生产的植物工场的期待提高。在能够人为地管理的植物工场，能够向市场稳定地供给清洁且安全的蔬菜，因此被期待作为新一代的产业。完全从外部环境隔离、能够人为地控制的植物工场能够根据植物的品种，来采集生育方法、生育速度数据、收获数据等各种数据。基于这些数据，在植物工场中，能够不被气象环境等周围的状况左右地建立符合市场的需求与供给的平衡的生产计划提供蔬菜等植物。特别是伴随全球的人口的增加，食粮的增产是必要不可欠缺的。如果能够不受气象环境等周围的状况影响地有计划地生产植物，则在植物工场生产的蔬菜等不仅能够在国内稳定供给，还可能作为有希望的产品向海外输出。通常，在所谓的露地物的室外育成的蔬菜沐浴太阳光，一面进行光合一面成长，而收获。与这样的露地物不同，在植物工场育成的蔬菜要求能够在短时间内收获，或者在通常的生育期间也较大地成长。在植物工场，作为露地物的代替阳光的光源，采用怎样的光源对植物的育成时间、成长等有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其具备：在380nm以上且490nm以下的范围具有发光峰波长的发光元件、和被来自所述发光元件的光激发而发出在580nm以上且小于680nm的范围具有至少一个发光峰波长的光的第一荧光体，表示620nm以上且小于700nm的范围内的光量子束密度R相对于380nm以上且490nm以下的范围内的光量子束密度B之比的R/B为2.0以上且4.0以下，表示620nm以上且小于700nm的范围内的光量子束密度R相对于700nm以上且780nm以下的范围内的光量子束密度FR之比的R/FR为0.7以上且13.0以下。

【技术特征摘要】
2016.06.29 JP 2016-1288351.一种发光装置，其具备：在380nm以上且490nm以下的范围具有发光峰波长的发光元件、和被来自所述发光元件的光激发而发出在580nm以上且小于680nm的范围具有至少一个发光峰波长的光的第一荧光体，表示620nm以上且小于700nm的范围内的光量子束密度R相对于380nm以上且490nm以下的范围内的光量子束密度B之比的R/B为2.0以上且4.0以下，表示620nm以上且小于700nm的范围内的光量子束密度R相对于700nm以上且780nm以下的范围内的光量子束密度FR之比的R/FR为0.7以上且13.0以下。2.根据权利要求1所述的发光装置，其具备被来自所述发光元件的光激发而发出在680nm以上且800nm以下的范围具有至少一个发光峰波长的光的第二荧光体，所述R/FR为0.7以上且5.0以下。3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述R/FR为0.7以上且2.0以下。4.根据权利要求2或3所述的发光装置，其中，所述第二荧光体是，含有包含选自除了Ce的稀土元素中的至少一种元素的第一元素Ln、包含选自Al、Ga和In中的至少一种元素的第二元素M、和Ce、Cr，且具有铝酸盐荧光体的组成的荧光体，将第二元素M的摩尔组成比设为5时，Ce的摩尔组成比为x与3之积，Cr的摩尔组成比为y与3之积，所述x为超过0.0002且小于0.50的数，所述y为超过0.0001且小于0.05的数。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿宫美佳，藤尾多茂，铃木朋和，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP