一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法及其装置，该方法是通过对导电膜施加高于通常使用电压后可以产生高于通常的工作温度的温度来对导电膜自身进行焦耳热处理，在此过程中碳基导电膜的体积电阻率可以得到有效的降低。该方法步骤如下：a)将碳基导电膜接入焦耳热处理装置；b)：施加稳定的电压或者改变电压保持稳定的焦耳热处理温度进行处理；c)：冷却导电膜。该方法涉及一套特别的通电焦耳热处理装置，包括可调节稳压电源、导线、夹持电极、电压电流检测装置以及温度监测装置。通电焦耳热处理方法与外部传热处理方法相比较优势在于：易于操作、方便控制、耗时短而效果明显，同时扩大了热处理的适用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法及其装置
本专利技术涉及一种碳基导电膜的处理方法及其装置，用以降低碳基导电膜的体积电阻率。
技术介绍
目前碳基导电膜以其优异的性能引起国内外研究人员开展相关的研究，尤其是以碳纳米管和石墨烯为导电填料的碳基导电膜具有电导率高、质量轻、光学性能好、柔韧性好等优异性能，被广泛的应用到防静电、电磁屏蔽、电热膜、电池和超级电容器等领域。对于碳基导电膜来说一个重要的目标就是降低其体积电阻率，Yan等人(YanJ，YGJeong.CompositesScienceandTechnology，2015，106：134-140.)通过改变导电填料的种类，含量或者综合使用多种导电填料以达到降低体积电阻率的目的，CN103665908A公开了一种通过控制碳纳米管形成碳纳米管簇来实现降低体积电阻率的方法，Cristhian等人(GarzonCristhian，PalzaHumberto.CompositeScienceandTechnology，2014，99：117-123.)对碳基导电膜进行外热处理以降低碳基导电膜的体积电阻率。
技术实现思路
结合碳基导电膜在被施加高电压后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法，其特征在于：所述降低碳基导电膜体积电阻率的方法是对导电膜进行焦耳热处理，即对碳基导电膜施加超出其通常使用电压时导电膜产生高于其通常工作温度的温度来对导电膜本身进行焦耳热处理的过程。

【技术特征摘要】
2016.06.28 CN 20161048032001.一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法，其特征在于：所述降低碳基导电膜体积电阻率的方法是对导电膜进行焦耳热处理，即对碳基导电膜施加超出其通常使用电压时导电膜产生高于其通常工作温度的温度来对导电膜本身进行焦耳热处理的过程。2.一种降低碳基导电膜体积电阻率的处理装置，其特征在于：该装置是实施权利要求1所述的通电焦耳热处理方法的对应装置，装置由可调节稳压电源、导线、夹持电极、电压电流检测装置以及温度监测装置组成。3.根据权利要求1所述一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法，其特征在于：所述施加超出其常规使用电压，该电压为0.01～10000V，优选的，电压为5～1000V。4.根据权利要求1所述一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法，其特征在于：所述高于导电膜通常工作温度的焦耳热处理温度为50～400℃，优选的，焦耳热处理温度为70～180℃。5.根据权利要求1所述一种降低碳基导电膜体积电阻率的方法，其特征在于：对碳基导电膜进行通电焦耳...

【专利技术属性】
技术研发人员：张朋，孙静，刘舒，魏志凯，瞿美臻，
申请(专利权)人：中国科学院成都有机化学有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51