基于擦除速度的字线控制制造技术

公开了用于擦除深度控制的装置、系统、方法、和计算机程序产品。一种装置包括非易失性存储单元块。控制器被配置成用于对非易失性存储单元块执行第一擦除操作。用于块的控制器被配置成用于基于验证电压阈值来确定所述块中的第一存储单元集合具有比所述块中的第二存储单元集合更快的擦除速度。用于块的控制器被配置成用于针对所述块中的第一存储单元集合和第二存储单元集合使用不同电压对所述块执行第二擦除操作。

【技术实现步骤摘要】
基于擦除速度的字线控制
本公开在各实施例中涉及存储设备，并且更具体地涉及针对存储设备的基于擦除速度的字线控制。
技术介绍
许多数据存储设备(诸如闪存设备)将数据存储在非易失性介质的单元中。每个单元的物理特性(诸如存储电荷、电压、材料相、电阻、磁化等)是可变的以便对数据进行编码。单元的物理特性可以跨可以被划分为离散状态的范围是可变的，从而使得不同的状态对应于不同的数据值。读出单元的物理特性是否满足在其范围内的一个或多个读取阈值(例如，电压阈值、电阻率阈值等)确定了单元的状态，因此允许恢复存储的数据值。由于单元损坏、电荷泄露、温度效应、来自附近单元的干扰、制造差异等，单元的数据编码物理特性可以随着时间的推移而发生变化。例如，擦除单元的状态的速度可以在单元之间发生变化。随着存储密度的增加，特征尺寸缩小，从而使得单元更易于受到这种差异的影响。
技术实现思路
呈现了用于擦除深度控制的装置。在一个实施例中，一种装置包括非易失性存储单元块。在某些实施例中，用于块的控制器被配置成用于对所述非易失性存储单元块执行第一擦除操作。在一个实施例中，控制器被配置成用于基于验证电压阈值来确定块中的第一存储单元集合具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：非易失性存储单元块；以及用于所述块的控制器，所述控制器被配置成，对所述非易失性存储单元块执行第一擦除操作；基于验证电压阈值来确定所述块中的第一存储单元集合具有比所述块中的第二存储单元集合更快的擦除速度；以及针对所述块中的所述第一存储单元集合和所述第二存储单元集合使用不同电压对所述非易失性存储单元块执行第二擦除操作。

【技术特征摘要】
2016.06.27 US 15/194,2951.一种装置，包括：非易失性存储单元块；以及用于所述块的控制器，所述控制器被配置成，对所述非易失性存储单元块执行第一擦除操作；基于验证电压阈值来确定所述块中的第一存储单元集合具有比所述块中的第二存储单元集合更快的擦除速度；以及针对所述块中的所述第一存储单元集合和所述第二存储单元集合使用不同电压对所述非易失性存储单元块执行第二擦除操作。2.如权利要求1所述的装置，其中，所述控制器被配置成：通过施加第一电压在所述第一擦除操作过程中擦除所述非易失性存储单元块；通过施加第二电压在所述第二擦除操作过程中擦除所述第一组存储单元；以及通过施加第三电压在所述第二擦除操作过程中擦除所述第二组存储单元。3.如权利要求2所述的装置，其中，所述第二电压具有比所述第三电压低的幅度。4.如权利要求3所述的装置，其中，所述控制器通过向所述第一存储单元集合的一个或多个控制栅施加更高的偏置电压来降低所述第二电压的幅度，由此减慢对所述第一存储单元集合的擦除，所述第二电压包括所述第一存储单元集合的一个或多个漏极与所述第一存储单元集合的所述一个或多个控制栅之间的电压差。5.如权利要求1所述的装置，其中，所述验证电压阈值包括所述非易失性存储单元块的擦除验证电压阈值，所述擦除验证电压阈值与所述非易失性存储单元块的擦除状态相关联。6.如权利要求1所述的装置，其中，所述验证电压阈值包括高于所述非易失性存储单元块的擦除验证电压阈值的预擦除验证电压阈值。7.如权利要求1所述的装置，其中，所述控制器被配置成基于所述第一擦除操作来确定所述非易失性存储单元块中的第三存储单元集合具有比所述非易失性存储单元块中的所述第二存储单元集合更慢的擦除速度，并且在所述第二擦除操作过程中使用与所述第一和第二存储单元集合的电压不同的所述第三存储单元集合的电压。8.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一擦除操作包括作为单个擦除脉冲被施加的第一电压。9.如权利要求1所述的装置，其中，所述第一擦除操作包括一系列多个擦除脉冲。10.如权利要求1所述的装置，其中，所述控制器包括非易失性存储设备的硬件，所述非易失性存储设备包含所述非易失性存储单元块，所述非易失性存储设备的所述硬件包括以下各项中的一项或多项：与非易失性存储的多个半导体芯片进行通信的存储控制器、包括所述非易失性存储单元块的所述半导体芯片之一、以及与所述非易失性存储单元块在同一半导体芯片上的状态机。11.一种方法，包括：使用第一电压分布对多个字线执行擦除操作的第一部分；对所述多个字线执行第一擦除验证；基于所述第一擦除验证来确定所述多个字线中的第一字线组具有比所述多个字线中的第二字线组更低的阈值电压；以及对所述多个字线执行所述擦除操作的第二部分，其中，在针对所述第一字线组的所述擦除操作的所述第二部分过程中使用第二电压分布，在针对所述第二字线组的所述擦除操作的所述第二部分过程中使用第三电压分布，并且所述第二电压分布和所述第三电压分布是不同的。12.如权利要求11所述的方法，其中，基于所述第一擦除验证来确定所述多个字线中的所述第一字线组具有比所述多个字线中的所述第二字线组更低的阈值电压的步骤包括：选择所述多个字线中的一个或多个字线的一部分；使用擦除验证电压分布对所述多个字线的所述部分执行第二擦除验证以便产生失败位计数；判定所述多个字线的所述部分的所述失败位计数是否小于预定阈值；响应于所述多个字线的所述部分的所述失败位计数小于所述预定阈值而将所述多个字线的所述部分分配给所述第一字线组；以及响应于所述多个字线的所述部分的所述失败位计数大于所述预定阈值而将所述多个字线的所述部分分配给所述第二字线组。13.如权利要求12所述的方法，其中，所述多个字线的所述部分包括一个或多个区域，并且在执行所述第二擦除验证的同时所述多个字线中的不是所述多个字线的所述部分的一部分的字线被设置为读取电压。14.如权利要求11所述的方法，进一步包括：基于所述第一擦除验证来确定所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：B雷，M东加，GJ赫明克，C陈，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US