具有泄露控制的低轮廓耦合感应器制造技术

一种低轮廓耦合感应器，其包括磁芯、第一绕组和第二绕组。磁芯包括第一端部凸缘和第二端部凸缘、绕组形成元件、第一外板以及第一泄漏柱。绕组形成元件沿着第一方向设置在第一端部凸缘和第二端部凸缘之间并连接第一端部凸缘和第二端部凸缘。第一外板沿着第二方向设置在第一端部凸缘和第二端部凸缘上方并面向第一端部凸缘和第二端部凸缘。第一泄漏柱沿着第二方向设置在绕组形成元件和第一外板之间。第一绕组在第一端部凸缘和第一泄漏柱之间绕着绕组形成元件缠绕，第二绕组在第一泄漏柱和第二端部凸缘之间绕着绕组形成元件缠绕。第一绕组和第二绕组中的每个绕着在第一方向上延伸的公共轴线缠绕。

Low profile coupled inductor with leakage control

A low profile coupling sensor consisting of a magnetic core, a first winding and a second winding. The core consists of a first end flange and a second end flange, a winding forming element, a first outer plate, and a first leakage column. The winding forming element is arranged in the first direction between the first end flange and the second end flange, and the first end flange and the second end flange are connected. The first outer plate is arranged in second directions above the first end flange and the second end flange and facing the first end flange and the second end flange. The first leakage column is arranged in second directions between the winding forming element and the first outer plate. The first winding is wound around the winding between the first end flange and the first leakage column, and the second winding is wound around the winding between the first leakage column and the second end flange. Each of the first and second windings is wound around a common axis that extends in the first direction.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有泄露控制的低轮廓耦合感应器相关申请本申请要求享有于2015年2月24日提交的美国临时专利申请62/120,264号的优先权的权益，该美国临时专利申请通过引用并入本文。
技术介绍
诸如移动电话和平板电脑的移动电子设备需要大量的电源管理电路。例如，移动电子设备通常包括诸如用于控制电池充电和用于为处理器和其它集成电路提供负载点调节的多个开关电源转换器。电源管理电路通常占用移动电子设备的体积的相当大部分，例如，高达40％。开关电源转换器通常包括一个或多个感应器，以储存呈磁形式的能量。例如，降压型DC-DC转换器包括感应器以作为输出滤波器的一部分，以便从转换器的开关波形中移除AC分量。感应器通常位于DC-DC转换器内的最大部件之间。因此，期望最小化感应器尺寸。然而，难以减小感应器尺寸而不降低感应器性能和/或显著增加感应器成本。例如，减小感应器的磁芯的横截面积通常增加了磁芯的磁阻，从而增加了磁芯损耗。作为另一示例，减小绕组横截面积增大了绕组的DC电阻，从而增加了铜损耗。已知的是，在开关电源转换器中，单个耦合感应器可替代多个分立式感应器，以提高转换器性能、减小转换器尺寸、和/或降低转换器成本。在Sc本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低轮廓耦合感应器，包括：磁芯，所述磁芯包括：第一端部凸缘和第二端部凸缘，绕组形成元件，所述绕组形成元件沿着第一方向设置在所述第一端部凸缘和所述第二端部凸缘之间并连接所述第一端部凸缘和所述第二端部凸缘，第一外板，所述第一外板沿着第二方向设置在所述第一端部凸缘和所述第二端部凸缘上方并面向所述第一端部凸缘和所述第二端部凸缘，所述第二方向正交于所述第一方向，第一泄漏柱，所述第一泄漏柱沿着所述第二方向设置在所述绕组形成元件和所述第一外板之间；以及第一绕组，所述第一绕组在所述第一端部凸缘和所述第一泄漏柱之间绕着所述绕组形成元件缠绕；以及第二绕组，所述第二绕组在所述第一泄漏柱和所述第二端部凸缘之间绕着所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.24 US 62/120,264;2015.09.28 US 14/867,9421.一种低轮廓耦合感应器，包括：磁芯，所述磁芯包括：第一端部凸缘和第二端部凸缘，绕组形成元件，所述绕组形成元件沿着第一方向设置在所述第一端部凸缘和所述第二端部凸缘之间并连接所述第一端部凸缘和所述第二端部凸缘，第一外板，所述第一外板沿着第二方向设置在所述第一端部凸缘和所述第二端部凸缘上方并面向所述第一端部凸缘和所述第二端部凸缘，所述第二方向正交于所述第一方向，第一泄漏柱，所述第一泄漏柱沿着所述第二方向设置在所述绕组形成元件和所述第一外板之间；以及第一绕组，所述第一绕组在所述第一端部凸缘和所述第一泄漏柱之间绕着所述绕组形成元件缠绕；以及第二绕组，所述第二绕组在所述第一泄漏柱和所述第二端部凸缘之间绕着所述绕组形成元件缠绕，所述第一绕组和所述第二绕组中的每个绕着在所述第一方向上延伸的公共轴线缠绕。2.根据权利要求1所述的低轮廓耦合感应器，其特征在于，所述第一泄漏柱在所述第二方向上与所述绕组形成元件和所述第一外板中的一个间隔第一泄漏间隙。3.根据权利要求2所述的低轮廓耦合感应器，其特征在于，所述第一泄漏柱附接至所述绕组形成元件，并且与所述第一外板间隔所述第一泄漏间隙。4.根据权利要求3所述的低轮廓耦合感应器，其特征在于，所述第一外板形成有沿着所述第二方向延伸到所述第一外板中的第一凹部，所述第一泄漏柱在所述第二方向上面向所述第一凹部。5.根据权利要求2所述的低轮廓耦合感应器，其特征在于，所述第一泄漏柱附接至所述第一外板，并且与所述绕组形成元件间隔所述第一泄漏间隙。6.根据权利要求2所述的低轮廓耦合感应器，其特征在于：所述第一外板在所述第二方向上与所述第一端部凸缘间隔第一励磁间隙；以及所述第一外板在所述第二方向上与所述第二端部凸缘间隔第二励磁间隙。7.根据权利要求2所述的低轮廓耦合感应器，其特征在于：所述绕组形成元件以及所述第一端部凸缘和所述第二端部凸缘由铁氧体磁性材料形成；以及所述第一外板由磁性糊料形成。8.根据权利要求1所述的低轮廓耦合感应器，其特征在于，所述第一绕组和所述第二绕组中的每个绕着所述绕组形成元件形成多匝。9.根据权利要求1所述的低轮廓耦合感应器，其特征在于，所述磁芯进一步包括：第二外板，所述第二外板沿着所述第二方向设置在所述第一端部凸缘和所述第二端部凸缘上方并面向所述第一端部凸缘和所述第二端部凸缘，以使得所述第一端部凸缘和所述第二端部凸缘以及所述绕组形成元件各自沿着所述第二方向设置在所述第一外板和所述第二外板之间；以及第二泄漏柱，所述第二泄漏柱沿着所述第二方向设置在所述绕组形成元件和所述第二外板之间。10.根据权利要求9所述的低轮廓耦合感应器，其特征在于，所述第二泄漏柱在所述第二方向上与所述绕组形成元件和所述第二外板中的一个间隔第二泄漏间隙。11.根据权利要求10所述的低轮廓耦合感应器，其特征在于，所述第二泄漏柱附接至所述绕组形成元件，并且与所述第二外板间隔所述第二泄漏间隙。12.根据权利要求11所述的低轮廓耦合感应器，其特征在于，所述第二外板形成有沿着所述第二方向延伸到所述第二外板中的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·W·巴克，J·邱，B·A·三和，A·伊克里亚尼科夫，
申请(专利权)人：马克西姆综合产品公司，
类型：发明
国别省市：美国,US