二硒吩并[2,3-b:3’,2’-d]噻吩及其制备方法技术

本发明专利技术涉及二硒吩并[2,3‑b:3',2'‑d]噻吩及其制备方法，属于杂环化合物技术领域。本发明专利技术的二硒吩并[2,3‑b:3',2'‑d]噻吩，具有如式(1)所示的结构。本发明专利技术的二硒吩并[2,3‑b:3',2'‑d]噻吩是一种新型有机功能材料及硒杂噻吩螺烯的构筑模块，为具有优越半导体性能的有机半导体材料的开发及硒杂噻吩螺烯的构筑奠定基础。

Two selenophen and [2,3 b:3`, 2` d] thiophene and its preparation method

The present invention relates to two selenophen and [2,3 b:3', 2' d] thiophene and preparation method thereof, belonging to the technical field of heterocyclic compounds. The invention of the two selenophen and [2,3 b:3', 2' d] thiophene, with formula (1) structure is shown. The invention of the two selenophen and [2,3 b:3', 2' d] thiophene is to build module of a new organic functional materials and selenium hetero helicene thiophene, lay the foundation for the construction of organic semiconductor materials with superior performance and the development of semiconductor hetero helicene of thiophene selenium.

【技术实现步骤摘要】
二硒吩并[2,3-b:3’,2’-d]噻吩及其制备方法
本专利技术涉及二硒吩并[2,3-b:3',2'-d]噻吩及其制备方法，属于杂环化合物

技术介绍
噻吩类衍生物因其优良的光电性质在有机场效应晶体管领域受到了广泛关注，噻吩衍生物的结构与性能之间的内在联系和规律的研究已取得明显进展。然而，由于噻吩衍生物受到诸如S原子半径相对较小、极化度较低等自身结构的限制，其性能进一步提高面临着严峻考验。硒原子自身易极化易供电子的特性，使硒吩衍生物分子间有较强的Se···Se相互作用，体现在有机半导体材料上往往使材料表现出优越的性能。将并噻吩体系中的部分硫原子以硒原子代替可能会改善材料排列方式提高材料的性能，如化合物2的场效应迁移率(1.1cm2/V·s)是化合物1(0.5cm2/V·s)的两倍(K.Yamada,T.Okamoto,K.Kudoh,A.Wakamiya,S.Yamaguchi,J.Takeya.Appl.Phys.Lett.2007,90,072102(1-3))。将噻吩体系中的部分硫原子以硒原子代替将是开发具有优越性能的有机半导体材料的有效途径。专利
技术实现思路
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【技术保护点】
二硒吩并[2,3‑b:3',2'‑d]噻吩，其特征在于，具有如式(1)所示的结构，

【技术特征摘要】
1.二硒吩并[2,3-b:3',2'-d]噻吩，其特征在于，具有如式(1)所示的结构，2.一种如权利要求1所述的二硒吩并[2,3-b:3',2'-d]噻吩的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将如式(2)所示的化合物2,5-二(三甲基硅基)二硒吩并[2,3-b:3',2'-d]噻吩溶于有机溶剂中，然后加入三氟乙酸反应0.5～1.5h，之后淬灭，即得，3.根据权利要求2所述的二硒吩并[2,3-b:3',2'-d]噻吩的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为三氯甲烷或二氯甲烷。4.根据权利要求2所述的二硒吩并[2,3-b:3',2'-d]噻吩的制备方法，其特征在于，所述2,5-二(三甲基硅基)二硒吩并[2,3-b:3',2'-d]噻吩与所述三氟乙酸的摩尔比为1:5～10。5.根据权利要求2所述的二硒吩并[2,3-b:3...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春丽，王华，吴龙龙，徐婉，方茂鸿，单震，
申请(专利权)人：河南大学，
类型：发明
国别省市：河南,41