用于TFT玻璃的熔窑制造技术

本发明专利技术提供一种用于TFT玻璃的熔窑，包括：依次设置的冷顶全电熔窑和澄清池；冷顶全电熔窑的底部设置有流液洞，流液洞的出口端与上升道连通，上升道与澄清池的进料口连通；冷顶全电熔窑的上部设有供TFT玻璃配合料加入的进料口,冷顶全电熔窑的内部设有多个窑部电极；澄清池的内部设有多个池内电极和多个火焰加热喷枪，澄清池上设有供烟气排出的排烟口；澄清池的池体底砖上依次设置有鼓泡装置和窑坎，鼓泡装置设置于所有的池内电极的后方。本发明专利技术的熔窑，将熔化和高温澄清、均化的过程分开，既可有效降低TFT玻璃配合料熔化时硼的高挥发及其所产生的缺陷，又可起到TFT玻璃的玻璃液高效澄清及均化作用，从而避免产品中条纹等缺陷的出现，显著提高产品质量。

【技术实现步骤摘要】
用于TFT玻璃的熔窑
本专利技术涉及玻璃生产
，特别是涉及一种用于TFT玻璃的熔窑。
技术介绍
TFT玻璃属“高硼高铝无碱”玻璃，TFT玻璃的成分中氧化硼含量8～12％的硼铝硅酸盐玻璃，其熔制温度和成型温度均很高，熔制时硼挥发以及容易产生分相、分层等问题。硼铝硅酸盐玻璃的熔制温度要比普通浮法玻璃熔制温度高170℃以上，通常采用全氧助燃与电熔化相结合的火电混合加热熔化方式，但硼的挥发率高达7～10％，导致密度较轻的二氧化硅聚集在玻璃液表层，这种富硅质不仅熔点高更难熔，而且粘度大，其中还聚集了大量的微气泡难以排出。这些具有二氧化硅层的玻璃在熔化时必须严格加以控制，否则在熔窑中即使经过多次的高温循环对流也难完全彻底消失，最终在玻璃板中形成条纹和微气泡等缺陷，这对质量要求达到光学玻璃等级的TFT玻璃是完全不可接受的。在生产TFT玻璃常常还会出现由于条纹和微气泡等缺陷而严重影响玻璃的良品率的。中国技术专利《垂直冷顶熔制硼硅浮法玻璃双拼式全电熔窑》，授权公告号CN2878376，该专利中，玻璃熔窑的内部包括熔化区和澄清区，玻璃熔窑长边一侧的熔窑壁上部开有进料口；熔化区位于澄清区的上方；澄清区池壁一侧的下部设有流液洞，玻璃熔窑的流液洞分别连接上升道的一端进料口，上升道的另一端连接供料道。由于电熔窑为垂直熔化方式，挥发的氧化硼能在冷顶式电熔窑的顶部冷凝下来，这样就大大地减少了熔窑中硼的挥发，其挥发率一般仅为1～2％。但是全电熔窑也有其自身的缺陷：(1)电熔窑的垂直熔化方式不利于玻璃液中的微气泡的排除；(2)生产高硼硅全电熔窑最大规模一般不超过30吨/天，否则窑内温度均匀性受到影响，也会产生条纹等缺陷；(3)当窑内电极布置或温度制度稍有不当时，产品的均匀性就受到较大影响，产品合格率低。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于TFT玻璃的熔窑，用于解决现有技术中存在的上述问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种用于TFT玻璃的熔窑，包括：依次设置的冷顶全电熔窑和澄清池；所述冷顶全电熔窑的底部设置有流液洞，所述流液洞的出口端与一竖直设置的上升道的下端连通，所述上升道的上端与所述澄清池的进料口连通；所述冷顶全电熔窑的上部设有供TFT玻璃配合料加入的进料口,所述冷顶全电熔窑的内部设有多个窑部电极；所述澄清池的内部设有多个池内电极和多个火焰加热喷枪，所述澄清池上设有供烟气排出的排烟口，所有的所述火焰加热喷枪设置于所述澄清池的上部；沿着所述TFT玻璃的玻璃液配合料在所述澄清池中的流动方向，所述澄清池的池体底砖上依次设置有鼓泡装置和窑坎，所述鼓泡装置设置于所有的所述池内电极的后方。优选地，所述冷顶全电熔窑的窑体底砖和窑体侧壁为平面结构，或者所述冷顶全电熔窑的窑体底砖和窑体侧壁为台阶式结构。优选地，所有的所述窑部电极插设于所述冷顶全电熔窑的窑体底砖上，或者所有的所述窑部电极插设于所述冷顶全电熔窑的窑体侧壁上。优选地，所有的所述池内电极插设于所述澄清池的池体底砖上，或者所有的所述池内电极插设于所述澄清池的池体侧壁上，或者所有的所述池内电极分为插设于所述澄清池的池体底砖上的底部电极和插设于所述澄清池的池体侧壁上的侧部电极。优选地，所有的所述火焰加热喷枪设置于所述澄清池的上部；所有的所述火焰加热喷枪的喷嘴设置于所述澄清池的池体侧壁上，或者所有的所述火焰加热喷枪的喷嘴设置于所述澄清池的池体碹顶上。优选地，沿着所述TFT玻璃的玻璃液的流动方向，在所述澄清池的后端的池体侧壁上设有出料口，所述出料口连接铂金料道。进一步地，所述澄清池上还设有异质玻璃液表面溢流装置，所述异质玻璃液表面溢流装置与所述澄清池的出料口的前端两侧的池体侧壁连接。更进一步地，所述澄清池的出料口的取料高度低于所述澄清池中TFT玻璃的玻璃液的液面的水平高度。进一步地，所述澄清池的池体底砖上设有第一底部卸料装置，所述第一底部卸料装置处于所述所有的所述池内电极的后方，且所述第一底部卸料装置处于鼓泡装置的前方，且处于所述澄清池的出料口的前方。优选地，所述澄清池的池体底砖上设有第二底部卸料装置，所述第二底部卸料装置处于所述窑坎的后方。优选地，所述上升道的底部设有中间泄料装置。如上所述，本专利技术所述的用于TFT玻璃的熔窑，具有以下有益效果：本专利技术的熔窑，将熔化和高温澄清、均化的过程分开，既可有效降低TFT玻璃配合料熔化时硼的高挥发及其所产生的缺陷，又可起到TFT玻璃的玻璃液高效澄清及均化作用，从而避免产品中条纹等缺陷的出现，显著提高产品质量；澄清池内的鼓泡装置和窑坎的设置，极大地提高了TFT玻璃的玻璃液中的微气泡的逸出速度，加速了TFT玻璃的玻璃液的澄清效率，同时鼓泡装置还加速了TFT玻璃的玻璃液的对流，窑坎的设置提高了TFT玻璃的玻璃液的温度，这样，TFT玻璃的玻璃液的均化效率也得到显著提高，而且本专利技术的冷顶全电熔窑的规模不受熔化出来的TFT玻璃的玻璃液质量影响，即可实现较大的规模。附图说明图1显示为本实施例的用于TFT玻璃的熔窑的纵向剖面结构示意图。图2显示为本实施例的用于TFT玻璃的熔窑的俯视结构示意图。附图标号说明100冷顶全电熔窑110窑部进液口120窑部电极200澄清池201排烟口210池内电极220火焰加热喷枪230异质玻璃液表面溢流装置241第一底部卸料装置242第二底部卸料装置300流液洞310防堵电极400上升道410侧插电极420中间泄料装置250鼓泡装置600出料口700铂金料道800窑坎具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。如图1至图2所示，本实施例的用于TFT玻璃的熔窑，包括：依次设置的冷顶全电熔窑100和澄清池200；所述冷顶全电熔窑100的底部设置有流液洞300，所述流液洞300的出口端与一竖直设置的上升道400的下端连通，所述上升道400的上端与所述澄清池200的进料口110连通；所述冷顶全电熔窑100的上部设有供TFT玻璃配合料加入的进料口110,所述冷顶全电熔窑100的内部设有多个窑部电极120；所述澄清池200的内部设有多个池内电极210和多个火焰加热喷枪220，所述澄清池200上设有供烟气排出的排烟口201，所有的所述火焰加热喷枪220设置于所述澄清池200的上部；沿着所述TFT玻璃的玻璃液在所述澄清池200中的流动方向，所述澄清池200的池体底砖上依次设置有鼓泡装置500和窑坎800，所述鼓泡装置500设置于所有的所述池内电极210的后方。本专利技术中，冷顶全电熔窑100采用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于TFT玻璃的熔窑，其特征在于，包括：依次设置的冷顶全电熔窑(100)和澄清池(200)；所述冷顶全电熔窑(100)的底部设置有流液洞(300)，所述流液洞(300)的出口端与一竖直设置的上升道(400)的下端连通，所述上升道(400)的上端与所述澄清池(200)的进料口连通；所述冷顶全电熔窑(100)的上部设有供TFT玻璃配合料加入的进料口(110),所述冷顶全电熔窑(100)的内部设有多个窑部电极(120)；所述澄清池(200)的内部设有多个池内电极(210)和多个火焰加热喷枪(220)，所述澄清池(200)上设有供烟气排出的排烟口(201)，所有的所述火焰加热喷枪(220)设置于所述澄清池(200)的上部；沿着所述TFT玻璃的玻璃液在所述澄清池(200)中的流动方向，所述澄清池(200)的池体底砖上依次设置有鼓泡装置(500)和窑坎(800)，所述鼓泡装置(500)设置于所有的所述池内电极(210)的后方。

【技术特征摘要】
1.一种用于TFT玻璃的熔窑，其特征在于，包括：依次设置的冷顶全电熔窑(100)和澄清池(200)；所述冷顶全电熔窑(100)的底部设置有流液洞(300)，所述流液洞(300)的出口端与一竖直设置的上升道(400)的下端连通，所述上升道(400)的上端与所述澄清池(200)的进料口连通；所述冷顶全电熔窑(100)的上部设有供TFT玻璃配合料加入的进料口(110),所述冷顶全电熔窑(100)的内部设有多个窑部电极(120)；所述澄清池(200)的内部设有多个池内电极(210)和多个火焰加热喷枪(220)，所述澄清池(200)上设有供烟气排出的排烟口(201)，所有的所述火焰加热喷枪(220)设置于所述澄清池(200)的上部；沿着所述TFT玻璃的玻璃液在所述澄清池(200)中的流动方向，所述澄清池(200)的池体底砖上依次设置有鼓泡装置(500)和窑坎(800)，所述鼓泡装置(500)设置于所有的所述池内电极(210)的后方。2.根据权利要求1所述的用于TFT玻璃的熔窑，其特征在于：所述冷顶全电熔窑(100)的窑体底砖和窑体侧壁为平面结构，或者所述冷顶全电熔窑(100)的窑体底砖和窑体侧壁为台阶式结构。3.根据权利要求1所述的用于TFT玻璃的熔窑，其特征在于：所有的所述窑部电极(120)插设于所述冷顶全电熔窑(100)的窑体底砖上，或者所有的所述窑部电极(120)插设于所述冷顶全电熔窑(100)的窑体侧壁上。4.根据权利要求1所述的用于TFT玻璃的熔窑，其特征在于：所有的所述池内电极(210)插设于所述澄清池(200)的池体底砖上，或者所有的所述池内电极(210)插设于所述澄清池(200)的池体侧壁上，或者所有的所述池内电极(210)分为插设于所述澄清池(200)的池体底砖上的底部电极和插设于所述澄...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，葛承全，左泽方，江龙跃，江欢，何奎，吴琼辉，施凌毓，陈晓红，刘江华，
申请(专利权)人：中国建材国际工程集团有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31