The utility model relates to an array type RF ion source device which comprises a cooling pipe and a plurality of RF ion source unit; each RF ion source unit comprises a fixed seat, parallel grid ionization chamber, RF coil insulation and insulation base, the lateral wall of the RF coil is sleeved on the spiral insulating ionization cavity on the top of the insulation the ionization cavity and bottom openings, parallel grid fixed seat and the top of the insulating cavity ionization and parallel grid connected position of the fixed seat is open with parallel grid, the insulating base is connected with the insulation ionization cavity bottom, the insulating gas entrance is arranged on the base; RF coils are electrically connected in series between through the cooling pipe and between parallel grid connected in series, the insulating base splicing and connecting adjacent element of RF ion source. The utility model can combine parallel grids to transmit large area ion beam, and the shape of the parallel grid network of a single RF ion source unit is easy to keep consistent, and it is not easy to deform, and can ensure the working effect.
【技术实现步骤摘要】
一种新型的阵列式射频离子源装置
本技术涉及射频离子源装置
,更具体地,涉及一种新型的阵列式射频离子源装置。
技术介绍
离子源是使中性原子或分子电离,并从中引出离子束流的装置,它是各种类型的离子加速器、质谱仪、电磁同位素分离器、离子注入机、离子束刻蚀装置、离子推进器以及受控聚变装置中的中性束注入器等设备不可缺少的部件。现有的离子源只有一个栅网,为了满足大面积离子束流的发射要求,需要加大栅网的面积,而大面积的栅网不但制作困难,而且形状也很难保持一致,另外,大面积的栅网在使用一段时间后容易变形,影响工作效果。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种新型的阵列式射频离子源装置,在不加大栅网面积的前提下能满足大面积离子束流发射的要求,栅网的形状容易保持一致且不易变形,能保证工作效果。为达到上述目的,本技术采用的技术方案是:提供一种新型的阵列式射频离子源装置,包括冷却管路及多个射频离子源单元;每个射频离子源单元均包括平行栅网固定座、绝缘电离腔、射频线圈及绝缘底座,射频线圈螺旋套设于绝缘电离腔的外侧壁上,绝缘电离腔的顶部及底部均开口,平行栅网固定座与绝缘电 ...
【技术保护点】
一种新型的阵列式射频离子源装置,其特征在于,包括冷却管路及多个射频离子源单元;每个射频离子源单元均包括平行栅网固定座(1)、绝缘电离腔(2)、射频线圈(3)及绝缘底座(4),射频线圈(3)螺旋套设于绝缘电离腔(2)的外侧壁上,绝缘电离腔(2)的顶部及底部均开口,平行栅网固定座(1)与绝缘电离腔(2)的顶部连接且平行栅网固定座(1)上正对开口的位置处设有平行栅网,绝缘底座(4)与绝缘电离腔(2)的底部连接,绝缘底座(4)上设有气体入口;射频线圈(3)之间通过冷却管路串联电连接,平行栅网之间串联连接,相邻的射频离子源单元的绝缘底座(4)拼接连接。
【技术特征摘要】
1.一种新型的阵列式射频离子源装置,其特征在于,包括冷却管路及多个射频离子源单元;每个射频离子源单元均包括平行栅网固定座(1)、绝缘电离腔(2)、射频线圈(3)及绝缘底座(4),射频线圈(3)螺旋套设于绝缘电离腔(2)的外侧壁上,绝缘电离腔(2)的顶部及底部均开口,平行栅网固定座(1)与绝缘电离腔(2)的顶部连接且平行栅网固定座(1)上正对开口的位置处设有平行栅网,绝缘底座(4)与绝缘电离腔(2)的底部连接,绝缘底座(4)上设有气体入口;射频线圈(3)之间通过冷却管路串联电连接,平行栅网之间串联连接,相邻的射频离子源单元的绝缘底座(4)拼接连接。2.根据权利要求1所述的一种新型的阵列式射频离子源装置,其特征在于,还包括连接结构(5),连接结构(5)上设有通孔;所述连接结构(5)包括上连接板(51)、下连接板(52)及设于两者...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘伟基,冀鸣,陈蓓丽,
申请(专利权)人:中山市博顿光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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