一种轴向双分裂干式变压器的浇注式低压线圈结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种轴向双分裂干式变压器的浇注式低压线圈结构，包括有上低压线圈和下低压线圈，所述上低压线圈和下低压线圈均包括有铜排出线端面和非铜排出线端面，所述铜排出线端面和非铜排出线端面均设置有对应线圈的环形端绝缘层；所述非铜排出线端面的端绝缘层由左右两个厚度不同的半圆环组成。本实用新型专利技术通过在上下低压线圈的非铜排出线端面设置两个不同厚度的半圆环端绝缘层，使上下低压线圈能够相互定位，避免线圈相对位移影响其安全运行；同时，还通过在端绝缘层相应位置设置切口，保证散热气道畅通，散热效果好。本实用新型专利技术作为一种轴向双分裂干式变压器的浇注式低压线圈结构可广泛应用于变压器领域。

The structure of an axial double split dry type transformer with pouring type low voltage coil

The utility model discloses a low pressure casting type coil axial double split dry-type transformer, including low voltage coil and the low voltage coil, the coil voltage and low voltage coil comprises a copper wire and copper wire end - end, the copper ring discharge line end face and an outlet end of the copper bar there is a corresponding set of coil end insulation layer; the outlet end of the non copper end insulation layer is composed of two semicircular rings composed of different thickness. The utility model under low pressure coil on non copper wire end surface is provided with two semicircular ring end of different thickness of the insulation layer, the upper and lower voltage coil can avoid the influence of mutual positioning, the safe operation of the coil relative displacement; at the same time, through the insulating layer corresponding to the position in the end set incision, ensure airway cooling, heat dissipation good effect. The utility model can be widely used in the field of transformer as a low voltage coil structure of an axial double split dry transformer.

【技术实现步骤摘要】
一种轴向双分裂干式变压器的浇注式低压线圈结构
本技术涉及变压器领域，尤其是一种轴向双分裂干式变压器的浇注式低压线圈结构。
技术介绍
在生产制造单台十二脉波干式整流变压器时，由于低压绕组一个为D接，一个为Y接，必须采用轴向双分裂线圈结构才能使干式整流变压器的上下两条并联支路绕组的短路阻抗偏差小，符合国标要求，因为高低压绕组均采用轴向分裂方式，结构对称，只要D接、Y接绕组的匝数比接近偏差在±0.3％以内即可。同时，该种轴向双分裂线圈结构在太阳能光伏发电系统中专用干式升压变压器中也应用非常广泛，只是其低压绕组接法相同，同时为D接或Y接，两者必居其一。目前许多变压器制造厂在生产轴向双分裂干式变压器时，在套装低压线圈时，只是简单地将低压线圈上半部分与下半部分垒在一起，两者之间没有防止其窜动的结构设计，产品在运输过程中有时会产生位移，影响产品的安全运行。有时低压线圈上下两半部分的散热气道还会由于位置误差过大，会出现散热气道部分堵塞，导致散热不通畅的问题。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术的目的是：提供一种上下线圈定位稳定、散热性能好的轴向双分裂干式变压器的浇注式低压线圈结构。本技术所采用的技术方案是：一种轴向双分裂干式变压器的浇注式低压线圈结构，包括有上低压线圈和下低压线圈，所述上低压线圈和下低压线圈均包括有铜排出线端面和非铜排出线端面，所述铜排出线端面和非铜排出线端面均设置有对应线圈的环形端绝缘层；所述非铜排出线端面的端绝缘层由左右两个厚度不同的半圆环组成。进一步，所述铜排出线端面的环形端绝缘层厚度低于非铜排出线端面的环形端绝缘层的厚度。进一步，所述上低压线圈非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层和下低压线圈非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层啮合。进一步，所述上低压线圈非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层和下低压线圈非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层的接触面均设置有多个均匀分布的散热气道，所述散热气道之间设置有八字型切口。进一步，所述八字型切口的深度小于端绝缘的厚度。本技术的有益效果是：通过在上下低压线圈的非铜排出线端面设置两个不同厚度的半圆环端绝缘层，使上下低压线圈能够相互定位，避免线圈相对位移影响其安全运行；同时，还通过在端绝缘层相应位置设置切口，保证散热气道畅通，散热效果好。附图说明图1为本技术低压线圈结构剖视图；图2为本技术非铜排出线端面端绝缘层横截面结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步说明：一种轴向双分裂干式变压器的浇注式低压线圈结构，包括有上低压线圈和下低压线圈，所述上低压线圈和下低压线圈均包括有铜排出线端面和非铜排出线端面，所述铜排出线端面和非铜排出线端面均设置有对应线圈的环形端绝缘层；所述非铜排出线端面的端绝缘层由左右两个厚度不同的半圆环组成。参照图1，以上低压线圈为例，包括有线圈线匝3、铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层1和非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层2，其中非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层2由左右两个半圆环组成，左侧半圆环厚度为B1+B2，右侧半圆环厚度为B1；同时，相应的线圈线匝3高度为B，铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层1厚度为B1。进一步作为优选的实施方式，所述铜排出线端面的环形端绝缘层1厚度B1低于非铜排出线端面的环形端绝缘层2的厚度B1+B2，非铜排出线端面的环形端绝缘层2的厚度以最厚位置计。在浇注干变低压线圈时，其非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层2比铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层2高B2，以预留啮合切割位置，在浇注固化完后，将非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层切去厚度为B2的半圆环，从而形成如图1所示的非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层2。进一步作为优选的实施方式，所述上低压线圈非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层和下低压线圈非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层啮合，即上下两个厚度为B2的半圆环啮合成一个完整的圆环，因此沿圆周方向上下低压线圈配合紧密，不会产生互相位移。参照图2，进一步作为优选的实施方式，所述上低压线圈非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层和下低压线圈非铜排出线端面对应线圈的环形端绝缘层的接触面均设置有多个均匀分布的散热气道5，所述散热气道5之间设置有八字型切口。进一步作为优选的实施方式，所述八字型切口的深度小于端绝缘的厚度，例如将切口深度设置为B1/3。由于低压线圈上下两半部分的散热气道位置误差过大可能导致气道部分堵塞，因此在上下两半线圈端部端绝缘层重合面部位气道之间设置八字型切口4，在原有散热气道基础上设置一定深度且向外延伸的切口，如图2的阴影部分4，使各气道位置沿圆周不是完全均布，散热气道位置的误差难以导致气道部分堵塞，可以保证上下气道畅通，散热效果好。以上是对本技术的较佳实施进行了具体说明，但本技术创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本技术精神的前提下还可以作出种种的等同变换或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种轴向双分裂干式变压器的浇注式低压线圈结构，包括有上低压线圈和下低压线圈，其特征在于：所述上低压线圈和下低压线圈均包括有铜排出线端面和非铜排出线端面，所述铜排出线端面和非铜排出线端面均设置有对应线圈的环形端绝缘层；所述非铜排出线端面的端绝缘层由左右两个厚度不同的半圆环组成。

【技术特征摘要】
1.一种轴向双分裂干式变压器的浇注式低压线圈结构，包括有上低压线圈和下低压线圈，其特征在于：所述上低压线圈和下低压线圈均包括有铜排出线端面和非铜排出线端面，所述铜排出线端面和非铜排出线端面均设置有对应线圈的环形端绝缘层；所述非铜排出线端面的端绝缘层由左右两个厚度不同的半圆环组成。2.根据权利要求1所述的一种轴向双分裂干式变压器的浇注式低压线圈结构，其特征在于：所述铜排出线端面的环形端绝缘层厚度低于非铜排出线端面的环形端绝缘层的厚度。3.根据权利要求1所述的一种轴向双分裂干式变压器的浇注式低压线...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹贤方，游振国，
申请(专利权)人：广州增变电气有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44