设置有电流保护电路的充电电路制造技术

本发明专利技术提供一种设置有电流保护电路的充电电路，其包括电流保护电路和充电控制电路。充电控制电路的电源端与电压源相连，其输出端可与待充电器件相连，充电控制电路包括外置电阻，外置电阻连接于充电控制电路的一连接管脚和接地端之间，外置电阻用于设定充电控制电路输出的充电电流，当外置电阻正常时，电流保护电路不起作用，由外置电阻设定充电控制电路输出的充电电流；当外置电阻异常或者与外置电阻相连的所述连接管脚发生短路时，由电流保护电路设定充电控制电路输出的充电电流。与现有技术相比，本发明专利技术增设有电流保护电路，当外置电阻异常或者管脚发生短路时，可以通过该电流保护电路限制充电电流，从而避免芯片损坏。

Charging circuit with current protection circuit

The invention provides a charging circuit with a current protection circuit, which includes a current protection circuit and a charging control circuit. The charging power supply control circuit connected with the voltage source, the output end can be connected with the charger, the charging control circuit comprises an external resistor, an external resistor connected to the charging control circuit of a connecting pin and a ground terminal, an external resistor for setting the charging current charging control circuit output, when the external resistance is normal and the current protection circuit does not work, by an external resistor to set the charging current control circuit; when the external resistor is connected with the external resistance of the abnormal or the connecting pin is short circuited, constant charging current control output circuit consists of a current protection circuit. Compared with the existing technology, the invention has a current protection circuit, which can limit the charging current through the current protection circuit when the external resistance is abnormal or the pin is short circuited, thereby avoiding the chip damage.

【技术实现步骤摘要】
设置有电流保护电路的充电电路
本专利技术涉及充电电路
，尤其涉及一种设置有电流保护电路的充电电路。
技术介绍
在充电器芯片应用中，通常需要一个外置电阻设定充电电流，芯片通过检测外置电阻的阻抗决定充电电流的阈值。如图1所示，其为传统的线性充电器芯片的电路示意图，该线性充电器芯片包括PMOS晶体管M1、M2、M3，电阻R1、R2、RSET，运算放大器VA、CA、MA，其基本原理为：RSET为外置电阻，用于设定充电电流的阈值；输出端VOUT的电流由PMOS晶体管M2提供，它和PMOS晶体管M1成一定比例关系(假设为K1)；运算放大器MA的输入端分别是M1和M2的漏极，输出端控制PMOS晶体管M3的栅极，从而形成反馈环路，使M1和M2的漏极电压相等，保证M1和M2的镜像关系准确，提高电流精度；电阻R1和R2接在输出端VOUT和地之间，用来检测输出电压；运算放大器VA的输入端分别是VFB和基准电压VREF1，输出端控制PMOS晶体管M1和M2的栅极从而形成电压反馈环路，输出电压VOUT的稳定电压为运算放大器CA的输入端分别是PMOS晶体管M3的漏极VSET和基准电压VREF2，输出端控制PMOS晶体管M1和M2的栅极，从而形成电流反馈环路，当输出电压时，电压反馈环路不控制环路，PMOS晶体管M1和M2的栅极由电流反馈环路控制，输出电流为基准电压VREF1和VREF2可以设定为相同的电压，也可以不相等。如果RSET电阻值异常或者该管脚与地之间发生短路，则会造成充电电流非常大，极易造成芯片损坏。因此，需要提出一种改进的技术方案来解决上述问题。【
技术实现思路
】本专利技术的目的在于提供一种充电电路，当外置电阻异常或者管脚发生短路时，其可以通过内部设定的电流保护电路限制充电电流，从而避免芯片损坏。为了解决上述问题，根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种设置有电流保护电路的充电电路，其包括电流保护电路和充电控制电路，所述充电控制电路的电源端与电压源相连，其输出端可与待充电器件相连，所述充电控制电路包括外置电阻，所述外置电阻连接于所述充电控制电路的一连接管脚和接地端之间，所述外置电阻用于设定所述充电控制电路输出的充电电流，当所述外置电阻正常时，所述电流保护电路不起作用，由所述外置电阻设定所述充电控制电路输出的充电电流；当所述外置电阻异常或者与所述外置电阻相连的所述连接管脚发生短路时，由所述电流保护电路设定所述充电控制电路输出的充电电流。进一步的，所述充电控制电路还包括运算放大器VA、CA、MA，MOS管M1、M2、M3，以及电压采样电路。其中，MOS管M1的第一连接端与电压源相连，其第二连接端与MOS管M3的第一连接端相连，MOS管M3的第二连接端与所述连接管脚相连；MOS管M2的第一连接端与所述电压源相连，其控制端与MOS管M1的控制端相连，其第二连接端与所述充电控制电路的输出端相连；运算放大器MA的第一输入端与MOS管M1的第二连接端相连，其第二输入端与所述MOS管M2的第二连接端相连，其输出端与MOS管M3的控制端相连；运算放大器CA的第一输入端与基准电压VREF2相连，其第二输入端与MOS管M3的第二连接端相连，其输出端与MOS管M1和M2的控制端相连；运算放大器VA的第一输入端与基准电压VREF1相连，其第二输入端与所述电压采样电路的输出端相连，其输出端与MOS管M1和M2的控制端相连；所述电压采样电路的输入端与所述充电控制电路的输出端相连，所述电压采样电路用于采样所述充电控制电路的输出端的电压以得到反馈电压，并通过其输出端输出所述反馈电压。进一步的，所述电流保护电路包括MOS管M4、运算放大器C1和电阻RSC，其中，MOS管M4的第一连接端与所述电压源相连，其控制端与MOS管M4、M1和M2的控制端相连，其第二连接端经电阻RSC接地；运算放大器C1的第一输入端与基准电压VREF3相连，其第二输入端与MOS管M4和电阻RSC之间的连接节点相连，其输出端与MOS管M4、M1和M2的控制端相连。进一步的，所述MOS管M1至M4均为PMOS晶体管，所述MOS管M1至M4的第一连接端、第二连接端和控制端分别为PMOS晶体管的源极、漏极和栅极；所述电压采样电路包括电阻R2和R1，所述电阻R2和R1依次串联于所述充电控制电路的输出端和接地端之间，所述电阻R2和R1之间的连接节点为所述电压采样电路的输出端。进一步的，所述充电控制电路还包括运算放大器VA、CA、MA，MOS管M1、M2、M3，以及电压采样电路。其中，MOS管M1的第一连接端与所述电压源相连，其第二连接端与MOS管M3的第一连接端相连，MOS管M3的第二连接端与所述连接管脚相连；MOS管M2的第一连接端与所述电压源相连，其控制端与MOS管M1的控制端相连，其第二连接端与所述充电控制电路的输出端相连；运算放大器MA的第一输入端与MOS管M1的第二连接端相连，其第二输入端与所述MOS管M2的第二连接端相连，其输出端与MOS管M1和M2的控制端相连；运算放大器CA的第一输入端与基准电压VREF2相连，其第二输入端与MOS管M3的第二连接端相连，其输出端与MOS管M3的控制端相连；运算放大器VA的第一输入端与基准电压VREF1相连，其第二输入端与所述电压采样电路的输出端相连，其输出端与MOS管M3的控制端相连；所述电压采样电路的输入端与所述充电控制电路的输出端相连，所述电压采样电路用于采样所述充电控制电路的输出端的电压以得到反馈电压，并通过其输出端输出所述反馈电压。进一步的，所述电流保护电路包括MOS管M4、运算放大器C1和电阻RSC，其中，MOS管M4的第一连接端与所述电压源相连，其控制端与MOS管M1和M2的控制端相连，其第二连接端经电阻RSC接地；运算放大器C1的第一输入端与基准电压VREF3相连，其第二输入端与MOS管M4和电阻RSC之间的连接节点相连，其输出端与MOS管M3的控制端相连。进一步的，所述MOS管M1、M2和M4均为PMOS晶体管，所述MOS管M1、M2和M4的第一连接端、第二连接端和控制端分别为PMOS晶体管的源极、漏极和栅极；所述MOS管M3为NMOS晶体管，所述MOS管M3的第一连接端、第二连接端和控制端分别为NMOS晶体管的漏极、源极和栅极，所述电压采样电路包括电阻R2和R1，所述电阻R2和R1依次串联于所述充电控制电路的输出端VOUT和接地端之间，所述电阻R2和R1之间的连接节点为所述电压采样电路的输出端。进一步的，所述电流保护电路包括MOS管M4和恒流源，所述MOS管M4的第一连接端与所述电压源相连，其控制端接地，其第二连接端与恒流源的一端相连，所述恒流源的另一端接地，所述恒流源内的电流由所述恒流源的一端流向所述恒流源的另一端；所述充电控制电路还包括MOS管M1、M2、M3、M5，运算放大器CA和逻辑电路，电感L和电容C，MOS管M1的第一连接端与所述电压源相连，其控制端接地，其第二连接端与MOS管M3的第一连接端相连，MOS管M3的第二连接端与所述连接管脚相连；运算放大器CA的第一输入端与基准电压VREF2相连，其第二输入端与MOS管M3的第二连接端相连，其输出端与MOS管M3的控制端相连；MOS管M2的第一连接端与所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设置有电流保护电路的充电电路，其特征在于，其包括电流保护电路和充电控制电路，所述充电控制电路的电源端与电压源相连，其输出端可与待充电器件相连，所述充电控制电路包括外置电阻，所述外置电阻连接于所述充电控制电路的一连接管脚和接地端之间，所述外置电阻用于设定所述充电控制电路输出的充电电流，当所述外置电阻正常时，所述电流保护电路不起作用，由所述外置电阻设定所述充电控制电路输出的充电电流；当所述外置电阻异常或者与所述外置电阻相连的所述连接管脚发生短路时，由所述电流保护电路设定所述充电控制电路输出的充电电流。

【技术特征摘要】
1.一种设置有电流保护电路的充电电路，其特征在于，其包括电流保护电路和充电控制电路，所述充电控制电路的电源端与电压源相连，其输出端可与待充电器件相连，所述充电控制电路包括外置电阻，所述外置电阻连接于所述充电控制电路的一连接管脚和接地端之间，所述外置电阻用于设定所述充电控制电路输出的充电电流，当所述外置电阻正常时，所述电流保护电路不起作用，由所述外置电阻设定所述充电控制电路输出的充电电流；当所述外置电阻异常或者与所述外置电阻相连的所述连接管脚发生短路时，由所述电流保护电路设定所述充电控制电路输出的充电电流。2.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述充电控制电路还包括运算放大器VA、CA、MA，MOS管M1、M2、M3，以及电压采样电路，其中，MOS管M1的第一连接端与电压源相连，其第二连接端与MOS管M3的第一连接端相连，MOS管M3的第二连接端与所述连接管脚相连；MOS管M2的第一连接端与所述电压源相连，其控制端与MOS管M1的控制端相连，其第二连接端与所述充电控制电路的输出端相连；运算放大器MA的第一输入端与MOS管M1的第二连接端相连，其第二输入端与所述MOS管M2的第二连接端相连，其输出端与MOS管M3的控制端相连；运算放大器CA的第一输入端与基准电压VREF2相连，其第二输入端与MOS管M3的第二连接端相连，其输出端与MOS管M1和M2的控制端相连；运算放大器VA的第一输入端与基准电压VREF1相连，其第二输入端与所述电压采样电路的输出端相连，其输出端与MOS管M1和M2的控制端相连；所述电压采样电路的输入端与所述充电控制电路的输出端相连，所述电压采样电路用于采样所述充电控制电路的输出端的电压以得到反馈电压，并通过其输出端输出所述反馈电压。3.根据权利要求2所述的充电电路，其特征在于，所述电流保护电路包括MOS管M4、运算放大器C1和电阻RSC，其中，MOS管M4的第一连接端与所述电压源相连，其控制端与MOS管M4、M1和M2的控制端相连，其第二连接端经电阻RSC接地；运算放大器C1的第一输入端与基准电压VREF3相连，其第二输入端与MOS管M4和电阻RSC之间的连接节点相连，其输出端与MOS管M4、M1和M2的控制端相连。4.根据权利要求2或3所述的充电电路，其特征在于，所述MOS管M1至M4均为PMOS晶体管，所述MOS管M1至M4的第一连接端、第二连接端和控制端分别为PMOS晶体管的源极、漏极和栅极；所述电压采样电路包括电阻R2和R1，所述电阻R2和R1依次串联于所述充电控制电路的输出端和接地端之间，所述电阻R2和R1之间的连接节点为所述电压采样电路的输出端。5.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述充电控制电路还包括运算放大器VA、CA、MA，MOS管M1、M2、M3，以及电压采样电路，其中，MOS管M1的第一连接端与所述电压源相连，其第二连接端与MOS管M3的第一连接端相连，MOS管M3的第二连接端与所述连接管脚相连；MOS管M2的第一连接端与所述电压源相连，其控制端与MOS管M1的控制端相连，其第二连接端与所述充电控制电路的输出端相连；运算放大器MA的第一输入端与MOS管M1的第二连接端相连，其第二输入端与所述MOS管M2的第二连接端相连，其输出端与MOS管M1和M2的控制端相连；运算放大器CA的第一输入端与基准电压VREF2相连，其第二输入端与MOS管M3的第二连接端相连，其输出端与MOS管M3的控制端相连；运算放大器VA的第一输入端与基准电压VREF1相连，其第二输入端与所述电压采样电路的输出端相连，其输出端与MOS管M3的控制端相连；所述电压采样电路的输入端与所述充电控制电路的输出端相连，所述电压采样电路用于采样所述充电控制电路的输出端的电压以得到反馈电压，并通过其输出端输出所述反馈电压。6.根据权利要求5所述的充电电路，其特征在于，所述电流保护电路包括MOS管M4、运算放大器C1和电阻RSC，其中，MOS管M4的第一连接端与所述电压源相连，其控制端与MOS管M1和M2的控制端相连，其第二连接端经电阻RSC接地；运算放大器C1的第一输入端与基准电压VREF3相连，其第二输入端与MOS管M4和电阻RSC之间的连接节...

【专利技术属性】
技术研发人员：田文博，常星，王钊，
申请(专利权)人：南京中感微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32